技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種GaN基鰭柵增強(qiáng)型器件及其制作方法，主要解決現(xiàn)有同類器件閾值電壓正漂小的問題。其制作過程為：1.在已有外延基片的GaN緩沖層上制作源、漏電極；2.刻蝕有源區(qū)形成電隔離；3.在源、漏極之間的有源區(qū)刻蝕一條條的納米線溝道；4.在AlGaN勢壘層上生長SiN鈍化層，并光刻和刻蝕柵區(qū)域，形成凹槽；5.通過ICP工藝，用氧離子氧化凹槽區(qū)的AlGaN勢壘層，并制作柵電極；6.在凹槽柵電極和柵極區(qū)域外生長SiN保護(hù)層，并在其上光刻和刻蝕金屬互聯(lián)開孔區(qū)；7.在互聯(lián)開孔和未開孔的保護(hù)層上制作金屬互聯(lián)層，完成器件制作。本發(fā)明增大了器件的閾值電壓，提高了增強(qiáng)型效果，可用于增強(qiáng)/耗盡型數(shù)字集成電路。

技術(shù)研發(fā)人員：李培咸;翟少鵬;霍蕩蕩;張濛;馬曉華;郝躍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號碼：201710149248
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.14
技術(shù)公布日：2017.06.23