技術(shù)編號(hào)：12725513
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種增強(qiáng)型氮化鎵基器件，可用于GaN基數(shù)字集成電路。背景技術(shù)在二十世紀(jì)末，隨著日本Akassaki提出采用AlN成核層來(lái)改善GaN材料質(zhì)量為轉(zhuǎn)折，極大的推動(dòng)了GaN材料的研究，三族氮化物半導(dǎo)體材料及其器件得到快速發(fā)展，相對(duì)于第一代Si、Ge半導(dǎo)體和第二代GaAs和InP半導(dǎo)體器件，其帶寬、頻率、效率、耐擊穿電壓等不斷刷新著半導(dǎo)體器件的記錄。目前，GaN半導(dǎo)體的應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛，覆蓋半導(dǎo)體行業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域。與硅和砷化鎵等一、二代半導(dǎo)體材料相比，GaN基半導(dǎo)體禁...
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