本發(fā)明涉及電極的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種柔性透明電極及其制備方法。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電電極是各種電子器件，包括觸摸屏、顯示器、薄膜太陽(yáng)能電池等重要組成部分。目前透明導(dǎo)電電極一般采用金屬氧化物，例如ito薄膜。由于氧化物電極中的一些關(guān)鍵金屬元素例如銦儲(chǔ)量有限，同時(shí)金屬氧化物薄膜需要真空鍍膜設(shè)備和技術(shù)，這些因素導(dǎo)致該電極成本攀升；更關(guān)鍵的是由于金屬氧化物的本征脆性等特征，導(dǎo)致其無(wú)法應(yīng)用于現(xiàn)在日益興起的柔性器件中，例如柔性薄膜太陽(yáng)能電池、柔性觸摸屏顯示器、以及電子皮膚等領(lǐng)域。
目前，主要的替代材料包括：石墨烯、碳納米管、導(dǎo)電高分子、銀納米線和金屬網(wǎng)格。其中，金屬網(wǎng)格(metalmesh)技術(shù)利用銀、銅等金屬材料在玻璃或pet等塑膠薄膜上生長(zhǎng)形成導(dǎo)電金屬網(wǎng)格圖案。金屬網(wǎng)格具有高的導(dǎo)電性和低的電阻值，且均優(yōu)于ito薄膜，因此被認(rèn)為是一種最有發(fā)展前景的ito替代材料。直線金屬網(wǎng)格在具備低電阻高透光的同時(shí)，不具備彎折性，也就是柔性差。相較于曲線形的金屬網(wǎng)格其用途受限制。
金屬網(wǎng)格的制備方法有激光燒結(jié)法、噴墨打印和書寫法、晶界印刷及模板法和光刻法。以光刻為例，工藝流程大體分為10步：硅片表面處理、涂膠、前烘、曝光、后烘、顯影、清除殘膠、豎膜、圖形轉(zhuǎn)移和去膠，其中每一步都必須對(duì)處理?xiàng)l件和參數(shù)進(jìn)行嚴(yán)格的最優(yōu)化控制，這樣才能確保產(chǎn)品質(zhì)量和大規(guī)模重復(fù)制作的可能性?？芍?，目前的制備工藝均不適合大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)。
中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所許高杰研究團(tuán)隊(duì)，與美國(guó)佐治亞理工學(xué)院俞敏峰教授緊密合作，成功研制出“直寫式”三維微納結(jié)構(gòu)制造系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了金屬材料微米/納米級(jí)別的單線和陣列的快速生長(zhǎng)。該微納結(jié)構(gòu)制造系統(tǒng)，包括計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、直流電源、高精度移動(dòng)平臺(tái)和裝有電解液(即微/納米線前驅(qū)體溶液)的玻璃微管，直流電源、玻璃微管和基底之間通過(guò)外界導(dǎo)線構(gòu)成傳統(tǒng)的電沉積系統(tǒng)。
該微納結(jié)構(gòu)制造系統(tǒng)是將電化學(xué)沉積與蘸筆工藝結(jié)合起來(lái)，可制備復(fù)雜微納線式結(jié)構(gòu)，并在線徑控制(可以控制在100nm左右)，材料選擇(金屬、導(dǎo)電聚合物等)，寬深比(可達(dá)到100以上)等方面有較大的靈活性。但目前并未有將該技術(shù)應(yīng)用于透明電極制備的研究成果。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供了一種柔性透明電極，在保證低電阻和高透光性的同時(shí)，極大地提高了器件的彎折性和穩(wěn)定性。
具體技術(shù)方案如下
一種柔性透明電極，包括柔性透明薄膜，所述柔性透明薄膜的表面沉積有導(dǎo)電的曲線型微/納米線；
所述的曲線型包括和/或波紋型。
相較于直線型微/納米線，曲線型微/納米線具有較大的空間力場(chǎng)分布和較高的柔韌性，將其生長(zhǎng)在柔性透明電極表面，可以極大地提高電極的柔性。
作為優(yōu)選，所述曲線型微/納米線的長(zhǎng)徑比為10～100；
進(jìn)一步地，當(dāng)所述的曲線型微/納米線為螺旋型時(shí)，螺徑為200nm～50μm，螺距為500nm～10μm；不同的螺距，電極具備的柔性也不盡相同。螺距小，柔性相對(duì)低一些，螺距大，柔性隨之增加。螺徑小，材料強(qiáng)度不足，螺徑大，電極的電阻增大，影響損耗。進(jìn)一步優(yōu)選的螺距為4μm、螺徑為3μm，該尺寸的螺旋型微/納米線更易于制備，材料在保證強(qiáng)度的條件下，損耗值可忽略。
當(dāng)所述的曲線型微/納米線為波紋型時(shí)，振幅為200nm～10μm。進(jìn)一步優(yōu)選的振幅為3μm。
作為優(yōu)選，所述曲線型微/納米線呈平行排列，或者是相互交叉形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
當(dāng)呈平行排列時(shí)，線間距為200nm～10mm；
當(dāng)相互交叉形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的尺寸為4μm2～25cm2。
所述柔性透明薄膜需要同時(shí)滿足易彎折、高透光性這兩點(diǎn)，作為優(yōu)選，選自聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)薄膜、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)薄膜、聚酰亞胺(pei)薄膜中的至少一種。
所述曲線型微/納米線需要具有導(dǎo)電性，其材質(zhì)可以選自金屬、合金、導(dǎo)電高分子、半導(dǎo)體中的至少一種。且同時(shí)還需要滿足可通過(guò)電沉積方法制備的前提，作為優(yōu)選，所述的金屬選自金au、銀ag、銅cu、鉑pt、鋅zn、鉬mo、鎢w、錳mn、鎵ga、鈀pd、鎳ni、錫sn、鈷co、鋨os、銥鉻cr、銦inir、釕ru、銠rh、錸re、锝tc、鉈tl等；所述的合金選自上述金屬中兩種或兩種以上；所述的導(dǎo)電高分子選自聚吡咯或聚苯胺；所述的半導(dǎo)體選自si等。為了實(shí)現(xiàn)較小的傳輸損耗，以及形成可靠的金屬-金屬接觸，進(jìn)一步優(yōu)選，所述曲線型微/納米線采用具有較好導(dǎo)電性、楊氏模量高的金屬cu制備得到。
本發(fā)明還公開了上述的柔性透明電極的制備方法，以電化學(xué)沉積法為基礎(chǔ)，借助“直寫式”三維微納結(jié)構(gòu)制造系統(tǒng)，隨著玻璃微管和基底的緩慢接近，當(dāng)達(dá)到一定距離時(shí)玻璃微管針尖處的液體首先接觸基底產(chǎn)生回路電流，電沉積便開始進(jìn)行，此時(shí)在基底和玻璃微管之間通過(guò)一段液橋連接，液體受表面張力作用呈現(xiàn)半月形，電沉積過(guò)程發(fā)生在液橋與基底接觸的一側(cè)，受液橋限制。隨著電沉積的進(jìn)行，基底部分結(jié)晶量越來(lái)越大，通過(guò)控制位移臺(tái)的移動(dòng)速率和針尖處電沉積的速率相一致而進(jìn)行微納米線的制造，玻璃微管的移動(dòng)方向與透絕緣基底表面垂直、平行或其組合的一種。此時(shí)液橋便穩(wěn)定在制備的微納米線和玻璃微管之間，位移臺(tái)的移動(dòng)軌跡決定了制造出來(lái)的微納米線的結(jié)構(gòu)。由液體轉(zhuǎn)變成固體微納米線可以采用風(fēng)干硬化或者熱固化、光固化等方式。
具體步驟如下：
(1)選擇基底，并在基底的一側(cè)或相鄰兩側(cè)制備導(dǎo)電陰極；；
(2)將柔性透明薄膜粘附在步驟(1)所述的基底上；
(3)配制微/納米線前驅(qū)體溶液，以導(dǎo)電陰極為起始點(diǎn)，采用電化學(xué)沉積法在柔性透明薄膜上生長(zhǎng)曲線型微/納米線。
作為優(yōu)選，步驟(1)中，所述的基底選自硅、鍺化硅、藍(lán)寶石、氧化鋁、玻璃、砷化鎵等；基底表面使用酒精進(jìn)行清洗，去除表面雜物。再通過(guò)磁控濺射或電子束蒸發(fā)等方法將導(dǎo)電陰極沉積在基底的一側(cè)或相鄰兩側(cè)；所述導(dǎo)電陰極的材質(zhì)選自金、銀、銅或鎳，導(dǎo)電陰極用于將所述微納米線固定在基底上，其材質(zhì)與微/納米線的材質(zhì)可以相同，也可以不同，無(wú)特殊要求。優(yōu)選與cmos工藝兼容的金屬鎳ni、金au、銅cu等。
步驟(2)中，將柔性透明薄膜鋪設(shè)在基底表面，可以緊貼導(dǎo)電陰極，也可與導(dǎo)電陰極相隔一定距離。
所述的電化學(xué)沉積法在柔性透明薄膜上生長(zhǎng)曲線型微/納米線的具體步驟為：
(a)將具有柔性透明薄膜的基底放置于移動(dòng)平臺(tái)上固定，采用金屬線連接所述基底一側(cè)的導(dǎo)電陰極，并與外部直流電源負(fù)極/地線相連接。在玻璃微管內(nèi)注入待沉積的微納米線前驅(qū)體溶液，將玻璃微管垂直固定，尖端朝下，將所述的基底水平置于玻璃微管下方，使得玻璃微管與所述基底所在平面垂直，另一端將連接有外部直流電源正極的金屬絲插入玻璃微管液體中；
所述的微納米線前驅(qū)體溶液根據(jù)微/納米線的材質(zhì)選擇，為待制作微/納米線材質(zhì)的配合物溶液或是無(wú)機(jī)鹽溶液等；
所述的玻璃微管通過(guò)p-2000激光燒結(jié)融化裝置拉制得到，玻璃微管的規(guī)格采用外徑為1mm，內(nèi)徑為0.5mm；通過(guò)p-2000設(shè)備拉制的玻璃微管頂端呈現(xiàn)口徑為十納米到幾百微米(10nm～200μm)。
(b)調(diào)節(jié)移動(dòng)平臺(tái)確定生長(zhǎng)位置，通過(guò)控制玻璃微管口徑和外部直流電壓來(lái)控制生長(zhǎng)微納米線的尺寸；調(diào)控移動(dòng)平臺(tái)(基底)各方向的位移也就是玻璃微管的走向和移動(dòng)速度來(lái)控制微/納米線的形貌。整個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程是在labview編寫的多步生長(zhǎng)程序控制下完成。
在制備網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的曲線型微/納米線時(shí)，如果微/納米線無(wú)規(guī)則的交叉生長(zhǎng)，不僅增加透明電極的電阻并會(huì)導(dǎo)致透光性大大降低。作為優(yōu)選，在步驟(1)所述基底的相鄰兩側(cè)制備導(dǎo)電陰極，采用正交的兩個(gè)方向來(lái)生長(zhǎng)微/納米線，大部分納米線都能夠有效地相交。連接較多的微/納米線網(wǎng)絡(luò)不僅能夠提供更多的導(dǎo)電通道，大大降低微/納米線透明電極的方阻，而且還能夠形成良好的骨架。后生長(zhǎng)的微/納米線的結(jié)構(gòu)和尺寸要嚴(yán)格控制，以保證不同導(dǎo)電陰極上的微/納米線能相互接觸粘附，以降低網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的電阻。進(jìn)一步優(yōu)選，后生長(zhǎng)的微/納米線的結(jié)構(gòu)和尺寸與先生長(zhǎng)的尺寸保持一致。
當(dāng)所述曲線型微/納米線的材質(zhì)為金屬銅，作為優(yōu)選，步驟(3)中，所述微/納米線前驅(qū)體溶液為硫酸銅溶液，電沉積過(guò)程中cu2+得到電子還原成金屬銅，硫酸銅溶液的濃度決定銅離子的多少，但隨濃度增加，銅的沉積電壓也會(huì)增大，當(dāng)銅的沉積電壓超過(guò)其對(duì)應(yīng)的析氫電壓，會(huì)影響銅微/納米線表面的粗糙度。優(yōu)選的硫酸銅溶液的濃度為0.01～0.15m。進(jìn)一步優(yōu)選為0.05m。
經(jīng)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，影響微/納米線粗糙度的關(guān)鍵因素是沉積電壓。當(dāng)硫酸銅溶液的濃度為0.05m時(shí)，與其匹配的電化學(xué)沉積的電壓為0.34～0.7v。經(jīng)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電壓高于0.7v，銅微/納米線表面會(huì)發(fā)生腐蝕的現(xiàn)象，出現(xiàn)孔洞或樹枝狀瘤結(jié)；隨沉積電壓變小，提供電子變少，cu2+得到電子的機(jī)會(huì)變少，沉積過(guò)程逐漸不完整，銅微/納米線生長(zhǎng)趨于不連續(xù)；當(dāng)沉積電壓低于0.34v，則不發(fā)生銅沉積。進(jìn)一步優(yōu)選，電化學(xué)沉積的電壓為0.6v，此時(shí)生長(zhǎng)的銅微/納米線的表面粗糙度達(dá)到0.006μm。
本發(fā)明中濕度的控制是關(guān)鍵，運(yùn)用電化學(xué)沉積原理，在針尖與基底間建立彎液面，其暴露于外界環(huán)境中，因此對(duì)于制備微/納米線的過(guò)程中外界環(huán)境的濕度變化對(duì)于制備工藝的影響較大，作為優(yōu)選，步驟(3)中，所述電化學(xué)沉積的濕度為60～80％rh。經(jīng)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)外界環(huán)境濕度太高，液橋不容易固化，沉積的速率會(huì)變慢，制作周期會(huì)延長(zhǎng)；而當(dāng)外界環(huán)境濕度太低，形成的液橋固化太快，堵塞針尖，使玻璃微管的移動(dòng)受阻，使得沉積過(guò)程不再進(jìn)行。進(jìn)一步優(yōu)選，70％rh的濕度最適宜本發(fā)明中電沉積的發(fā)生。
本發(fā)明中對(duì)電化學(xué)沉積溫度有一定要求，沉積溫度適中會(huì)形成均勻光滑且結(jié)構(gòu)緊湊的銅納米線；沉積溫度過(guò)高，則形成沿軸向不規(guī)則的粗糙銅微/納米線；沉積溫度過(guò)低，離子的擴(kuò)散受到阻礙，導(dǎo)致晶粒生長(zhǎng)慢速且密實(shí)，這是受熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)控制，作為優(yōu)選，步驟(3)中，所述電化學(xué)沉積的溫度為室溫。
為了使微/納米線均勻生長(zhǎng)，沉積的速率也就是玻璃微管移動(dòng)的速率要選擇恰當(dāng)。玻璃微管移動(dòng)的速率太快，金屬離子來(lái)不及得到電子進(jìn)行反應(yīng)，使得生長(zhǎng)的微/納米線斷斷續(xù)續(xù)粗細(xì)不勻。玻璃微管移動(dòng)的速率太慢，導(dǎo)致金屬離子在固定的地方大量沉積還原，會(huì)造成針尖堵塞。作為優(yōu)選，所述電化學(xué)沉積的速度為0.02～0.15μm/s，進(jìn)一步優(yōu)選為0.08μm/s。
本發(fā)明制備的微/納米線從導(dǎo)電陰極開始生長(zhǎng)，再過(guò)渡到柔性透明薄膜上，這樣可以減少微/納米線轉(zhuǎn)移到透明薄板的步驟。為了使微/納米線和柔性透明薄膜結(jié)合緊密，可以添加環(huán)氧樹脂起到粘結(jié)劑的作用。待微/納米線與柔性透明薄膜結(jié)合牢固后，通過(guò)機(jī)械手直接除去柔性透明薄膜下部的基底，得到所述的柔性透明電極。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下突出優(yōu)勢(shì)：
1、本發(fā)明通過(guò)在柔性透明薄膜表面原位生長(zhǎng)導(dǎo)電的螺旋型和/或波紋型微/納米線得到柔性透明電極，利用螺旋型和波紋型本身的可拉伸性，在保證低電阻和高透光性的同時(shí)，極大地提高了透明電極的彎折性和穩(wěn)定性；
2、本發(fā)明還提供了柔性透明電極的制備方法，工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，制作周期短，可制作高自由度微納結(jié)構(gòu)，同時(shí)可使用的材料很多，便于按需制作，給設(shè)計(jì)者提供了很高的選擇性。
附圖說(shuō)明
圖1為實(shí)施例1中波紋型銅微/納米線的生長(zhǎng)示意圖；圖中，1-基底，2-柔性透明薄膜，3-導(dǎo)電陰極，4-玻璃微管，5-微/納米線；
圖2為實(shí)施例12制備的柔性透明電極上螺旋型微/納米線的陣列結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖3為實(shí)施例13制備的柔性透明電極上螺旋型微/納米線的陣列結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施方式
為使得本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清晰明了，以下結(jié)合具體實(shí)施案例，并參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明主要是采用電化學(xué)沉積原理制備柔性透明電極，在保證低電阻和高透光性的同時(shí)，提高了器件的柔韌性，為制備出低成本、高性能的透明電極提供了有價(jià)值的參考。
實(shí)施例1
(1)以厚度為0.5～1cm的透明玻璃板為基底，經(jīng)酒精清洗后，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)，在基底的相鄰兩側(cè)各沉積一個(gè)金屬陰極，厚度為30～50nm，材質(zhì)選自金；
(2)將厚度為0.1～1cm的pet薄膜粘附在基底表面；
(3)配制0.05m的硫酸銅cuso4/h2so4溶液，注入玻璃微管內(nèi)，選擇一側(cè)金屬陰極，通過(guò)金屬線與外部直流電源負(fù)極/地線相連接，外部直流電源的正極連接的金屬線插入玻璃微管內(nèi)，隨著玻璃微管的針尖和金屬陰極緩慢接近至一定距離時(shí)，針尖處的液體首先接觸金屬陰極產(chǎn)生回路電流，電沉積便開始進(jìn)行，此時(shí)在金屬陰極和針尖之間產(chǎn)生一段液橋，本實(shí)施例中采用cu2+在外界電壓下得到2個(gè)電子還原成cu；采用該方式，在溫度為20℃，濕度為70％rh的空氣環(huán)境中進(jìn)行，先沉積一側(cè)的微/納米線，沉積條件為：沉積電壓為0.6v，沉積速度為0.08μm/s，沉積得到平面的波紋型銅微/納米線的直徑為3μm，長(zhǎng)度為50μm，振幅3μm，，線間距為5μm。再選擇相鄰的另一側(cè)金屬陰極，采用上述方式在正交方向上再次沉積，保持相同的線徑和線間距，形成結(jié)構(gòu)規(guī)整的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)；
本發(fā)明中，整個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程是在labview編寫的多步生長(zhǎng)程序控制下完成，通過(guò)調(diào)節(jié)移動(dòng)平臺(tái)(基底)在各方向的位移也就是玻璃微管針尖的走向確定微/納米線的整體形貌，如螺旋型和/或波紋型；通過(guò)控制玻璃微管針尖的口徑和外部直流電壓來(lái)控制生長(zhǎng)微/納米線的尺寸，再通過(guò)調(diào)控沉積電壓、沉積時(shí)的溫度、濕度，以及玻璃微管針尖的移動(dòng)速度來(lái)控制微納米線的表面粗糙度。通過(guò)控制波紋型微/納米線的直徑和振幅，或者是螺旋型微/納米線的螺徑、螺距等尺寸來(lái)調(diào)節(jié)制備得到的透明電極的柔性，提高透明電極的彈性系數(shù)，還可以調(diào)控相鄰微/納米線的間距，控制透明電極的電阻和透光性，使設(shè)計(jì)更為靈活。
(4)在生長(zhǎng)形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)后涂覆環(huán)氧樹脂，起到粘結(jié)劑的作用，待微/納米線與柔性透明薄膜結(jié)合牢固后，通過(guò)機(jī)械手直接除去柔性透明薄膜下部的基底，得到柔性透明電極。
本實(shí)施例中制備的柔性透明電極，通過(guò)采用高楊氏模量、低密度的材料和金屬?gòu)?fù)合而成。在金屬陰極處開始沉積，然后過(guò)渡到一定厚度的柔性透明薄膜上，減少轉(zhuǎn)移網(wǎng)格結(jié)構(gòu)到透明薄膜的步驟，制作方法簡(jiǎn)便易行。
經(jīng)測(cè)試：本實(shí)施例沉積得到由銅微/納米線交叉形成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，其中銅微/納米線的表面粗糙度達(dá)到0.006μm，制備得到的柔性透明電極，其透過(guò)率可達(dá)85％以上，方阻10ω/sq
圖1中給出了波紋型銅微/納米線的生長(zhǎng)示意圖，小圖中給出了玻璃微管內(nèi)電解液中離子遷移的示意圖。金屬線插入玻璃微管內(nèi)，隨著玻璃微管的針尖和金屬陰極緩慢接近至一定距離時(shí)，針尖處的液體首先接觸金屬陰極產(chǎn)生回路電流，電沉積便開始進(jìn)行，此時(shí)在金屬陰極和針尖之間產(chǎn)生一段液橋，電解液中的離子mz+在外界電壓下得到z個(gè)電子還原成m
實(shí)施例2～5
制備工藝與實(shí)施例1相同，區(qū)別僅在于步驟(3)的電化學(xué)沉積過(guò)程中的濕度分別替換為50％rh、60％rh、80％rh和90％rh。
經(jīng)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，實(shí)施例2的沉積過(guò)程中，由于環(huán)境濕度太低，形成的液橋固化太快，cu2+得到2個(gè)電子很快還原成金屬cu，堵塞針尖，玻璃微管的移動(dòng)受阻，導(dǎo)致沉積過(guò)程不再進(jìn)行。
對(duì)比實(shí)施例4-5的沉積過(guò)程發(fā)現(xiàn)，相對(duì)于80％rh，當(dāng)濕度為90％rh時(shí)，沉積相同尺寸的微/納米線，時(shí)間會(huì)延長(zhǎng)20％左右，增加了制作周期。
實(shí)施例6～8
制備工藝與實(shí)施例1相同，區(qū)別僅在于步驟(3)的電化學(xué)沉積過(guò)程中的沉積電壓分別替換為0.4v、0.5v和0.7v。
經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，在分別施加0.4v、0.5v和0.7v電壓對(duì)應(yīng)的銅線表面粗糙度0.1μm、0.07μm和0.09μm。
實(shí)施例9～11
制備工藝與實(shí)施例1相同，區(qū)別僅在于步驟(3)的電化學(xué)沉積過(guò)程中前驅(qū)體溶液的濃度分別替換為0.01m、0.1m和0.15m。
經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，在前驅(qū)體溶液的濃度分別為0.01m、0.1m和0.15m對(duì)應(yīng)的銅線表面粗糙度0.2μm、0.1μm和0.5μm。
實(shí)施例12
制備工藝與實(shí)施例1相同，區(qū)別僅在于步驟(3)的電化學(xué)沉積過(guò)程中，通過(guò)labview編寫的多步生長(zhǎng)程序控制生長(zhǎng)的銅微/納米線具有三維的螺旋型微/納米線結(jié)構(gòu)，制備得到螺旋型銅微/納米線的，長(zhǎng)度為50μm，螺徑為3μm，螺距為4μm，線間距為5μm。
經(jīng)測(cè)試：本實(shí)施制備得到的柔性透明電極，其透過(guò)率可達(dá)85％以上，方阻10ω/sq范圍內(nèi)，楊氏模量達(dá)250-260gpa。
實(shí)施例13
制備工藝與實(shí)施例1相同，區(qū)別僅在于步驟(3)的電化學(xué)沉積過(guò)程中，通過(guò)labview編寫的多步生長(zhǎng)程序控制生長(zhǎng)的銅微/納米線具有二維的波紋型微/納米線結(jié)構(gòu)，制備得到波紋型銅微/納米線的，長(zhǎng)度為50μm，振幅3μm，線間距為5μm。
經(jīng)測(cè)試：本實(shí)施制備得到的柔性透明電極，其透過(guò)率也可達(dá)85％以上，方阻10ω/sq范圍內(nèi)，楊氏模量較螺旋型微/納米線低一些，為230-240gpa。
以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。