技術(shù)總結(jié)
描述了具有集成在同一電介質(zhì)層中的電容器和金屬布線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。例如，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在襯底之中或之上的多個(gè)半導(dǎo)體器件。在多個(gè)半導(dǎo)體器件上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)電介質(zhì)層。每個(gè)電介質(zhì)層中設(shè)置有金屬布線。金屬布線電耦合至一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件。金屬?絕緣體?金屬(MIM)電容器設(shè)置在電介質(zhì)層中的一個(gè)中，并鄰近所述至少一個(gè)電介質(zhì)層的金屬布線。MIM電容器電耦合至一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件。

技術(shù)研發(fā)人員：N·林德特
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英特爾公司
文檔號(hào)碼：201710123039
技術(shù)研發(fā)日：2011.12.06
技術(shù)公布日：2017.06.23