1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：
設(shè)置在襯底之中或之上的多個半導(dǎo)體器件；
設(shè)置在所述多個半導(dǎo)體器件之上的第一絕緣蝕刻停止層；
設(shè)置在所述第一絕緣蝕刻停止層上的第一電介質(zhì)層；
完全設(shè)置在所述第一電介質(zhì)層和所述第一絕緣蝕刻停止層中的開口內(nèi)的第一金屬化結(jié)構(gòu)，所述第一金屬化結(jié)構(gòu)電耦合至所述多個半導(dǎo)體器件中的第一半導(dǎo)體器件并且包括設(shè)置在第一金屬過孔之上并耦合至所述第一金屬過孔的第一金屬布線；
設(shè)置在所述第一電介質(zhì)層上的第二絕緣蝕刻停止層；
設(shè)置在所述第二絕緣蝕刻停止層上的第二電介質(zhì)層；
完全設(shè)置在所述第二電介質(zhì)層和所述第二絕緣蝕刻停止層中的開口內(nèi)的第二金屬化結(jié)構(gòu)，所述第二金屬化結(jié)構(gòu)電耦合至所述第一金屬化結(jié)構(gòu)并且包括設(shè)置在第二金屬過孔之上并耦合至所述第二金屬過孔的第二金屬布線；以及
完全設(shè)置在所述第一絕緣蝕刻停止層和所述第二絕緣蝕刻停止層以及所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層中的開口內(nèi)的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器，所述MIM電容器在橫向上鄰近所述第一金屬化結(jié)構(gòu)的所述第一金屬布線和所述第一過孔，且在橫向上鄰近所述第二金屬化結(jié)構(gòu)的所述第二金屬布線和所述第二過孔，并電耦合至所述多個半導(dǎo)體器件中的第二半導(dǎo)體器件。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述第一半導(dǎo)體器件包含在邏輯電路中，并且其中所述MIM電容器是嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(eDRAM)電容器。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述MIM電容器包括：
沿著所述第一絕緣蝕刻停止層和所述第二絕緣蝕刻停止層以及所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層中的所述開口的底部和側(cè)壁設(shè)置的杯狀金屬板；
設(shè)置在所述杯狀金屬板上并與所述杯狀金屬板共形的絕緣體層；以及
設(shè)置在所述第二電介質(zhì)層上的溝槽填充金屬板，所述第二電介質(zhì)層將所述溝槽填充金屬板與所述杯狀金屬板隔離。
4.如權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述開口的側(cè)壁包含垂直的或接近垂直的輪廓。
5.如權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述開口的側(cè)壁從所述第一電介質(zhì)層的底部到所述第二電介質(zhì)層的頂部向外傾斜。
6.如權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層是低K電介質(zhì)層，并且所述絕緣體層是高K電介質(zhì)層。
7.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：
設(shè)置在襯底之中或之上的多個半導(dǎo)體器件；
設(shè)置在所述多個半導(dǎo)體器件之上的第一電介質(zhì)層，其內(nèi)設(shè)置有電耦合至所述多個半導(dǎo)體器件的接觸部；
設(shè)置在所述第一電介質(zhì)層之上的第二電介質(zhì)層，其內(nèi)設(shè)置有第一金屬布線和將所述第一金屬布線耦合至所述接觸部的一個或多個過孔；
設(shè)置在所述第二電介質(zhì)層之上的第三電介質(zhì)層，其內(nèi)設(shè)置有第二金屬布線和將所述第二金屬布線耦合至所述第一金屬布線的一個或多個過孔；
設(shè)置在所述第三電介質(zhì)層之上的第四電介質(zhì)層，其內(nèi)設(shè)置有第三金屬布線和將所述第三金屬布線耦合至所述第二金屬布線的一個或多個過孔；
設(shè)置在所述第四電介質(zhì)層之上的第五電介質(zhì)層，其內(nèi)設(shè)置有第四金屬布線和將所述第四金屬布線耦合至所述第三金屬布線的一個或多個過孔，并且其內(nèi)還具有金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的至少一部分，所述MIM電容器鄰近所述第四金屬布線并且電耦合至一個或多個所述半導(dǎo)體器件；以及
設(shè)置在所述第五電介質(zhì)層之上的第六電介質(zhì)層，其內(nèi)設(shè)置有第五金屬布線和將所述第五金屬布線耦合至所述第四金屬布線的一個或多個過孔。
8.如權(quán)利要求7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第四金屬布線的至少一部分電耦合至一個或多個半導(dǎo)體器件，所述一個或多個半導(dǎo)體器件包含在邏輯電路中，并且其中，所述MIM電容器是嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(eDRAM)電容器。
9.如權(quán)利要求7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述MIM電容器設(shè)置在所述第五電介質(zhì)層中，而不在所述第四電介質(zhì)層或所述第六電介質(zhì)層中。
10.如權(quán)利要求7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述MIM電容器的另一部分設(shè)置在所述第四電介質(zhì)層中，并且鄰近所述第三金屬布線，但所述MIM電容器的任何部分都沒有設(shè)置在所述第三電介質(zhì)層或所述第六電介質(zhì)層中。
11.如權(quán)利要求7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述MIM電容器的另一部分設(shè)置在所述第四電介質(zhì)層和所述第六電介質(zhì)層中，并且鄰近所述第三金屬布線和所述第五金屬布線，但所述MIM電容器的任何部分都沒有設(shè)置在所述第三電介質(zhì)層中。
12.如權(quán)利要求7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括：
設(shè)置在所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層之間的第一蝕刻停止層、設(shè)置在所述第二電介質(zhì)層與所述第三電介質(zhì)層之間的第二蝕刻停止層、設(shè)置在所述第三電介質(zhì)層與所述第四電介質(zhì)層之間的第三蝕刻停止層、設(shè)置在所述第四電介質(zhì)層與所述第五電介質(zhì)層之間的第四蝕刻停止層、以及設(shè)置在所述第五電介質(zhì)層與所述第六電介質(zhì)層之間的第五蝕刻停止層。
13.如權(quán)利要求7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述MIM電容器設(shè)置在溝槽中，所述溝槽至少設(shè)置在所述第五電介質(zhì)層中，并且其中，所述MIM電容器包括：
沿著所述溝槽的底部和側(cè)壁設(shè)置的杯狀金屬板；
設(shè)置在所述杯狀金屬板上并與所述杯狀金屬板共形的絕緣體層；以及
設(shè)置在所述絕緣體層上的溝槽填充金屬板，所述絕緣體層將所述溝槽填充金屬板與所述杯狀金屬板隔離。
14.如權(quán)利要求13所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述溝槽的側(cè)壁包含垂直的或接近垂直的輪廓。
15.如權(quán)利要求13所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述溝槽的側(cè)壁從所述第五電介質(zhì)層的底部到頂部向外傾斜。
16.如權(quán)利要求13所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第二電介質(zhì)層、所述第三電介質(zhì)層、所述第四電介質(zhì)層、所述第五電介質(zhì)層和所述第六電介質(zhì)層是低K電介質(zhì)層，所述絕緣體層是高K電介質(zhì)層。
17.一種制造集成電路結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：
在襯底之中或之上形成多個半導(dǎo)體器件；
在所述多個半導(dǎo)體器件之上形成第一電介質(zhì)層；
在所述第一電介質(zhì)層上形成蝕刻停止層；
對所述蝕刻停止層進(jìn)行構(gòu)圖以在所述蝕刻停止層中形成開口區(qū)域；
在對所述蝕刻停止層進(jìn)行構(gòu)圖之后，在所述蝕刻停止層上形成第二電介質(zhì)層；
在所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層中的每一層中形成金屬布線，所述形成包括將所述金屬布線電耦合至一個或多個所述半導(dǎo)體器件；以及
在形成所述第二電介質(zhì)層之后，在所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層中鄰近所述金屬布線形成金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器，所述MIM電容器形成在形成于所述蝕刻停止層中的所述開口區(qū)域中，所述形成包括將所述MIM電容器電耦合至一個或多個所述半導(dǎo)體器件。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，將所述金屬布線電耦合至一個或多個所述半導(dǎo)體器件包括耦合至包含在邏輯電路中的一個或多個半導(dǎo)體器件，并且其中，形成所述MIM電容器包括形成嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(eDRAM)電容器。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述MIM電容器包括：
在所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層中形成溝槽；
沿著所述溝槽的底部和側(cè)壁形成杯狀金屬板；
在所述杯狀金屬板上形成與所述杯狀金屬板共形的第二電介質(zhì)層；以及
在所述第二電介質(zhì)層上形成溝槽填充金屬板，所述第二電介質(zhì)層將所述溝槽填充金屬板與所述杯狀金屬板隔離。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，形成所述溝槽包括形成具有垂直的或接近垂直的輪廓的溝槽側(cè)壁。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，形成所述溝槽包括形成具有傾斜側(cè)壁的溝槽。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，形成所述一個或多個電介質(zhì)層包括形成一個或多個低K電介質(zhì)層，形成所述第二電介質(zhì)層包括形成高K電介質(zhì)層。