技術領域

實施方案涉及一種發(fā)光器件封裝件和一種包括其的光單元。

背景技術：

發(fā)光器件例如發(fā)光二極管(LED)是將電能轉化為光的半導體器件，并且廣泛地用作取代傳統熒光燈和白熾燈的下一代光源。

由于LED通過使用半導體器件產生光，因此與通過加熱鎢來產生光的白熾燈或通過激發(fā)經由高壓放電產生的紫外線以與熒光物質碰撞來產生光的熒光燈相比，LED可以表現出很低的電力消耗。

此外，LED通過使用半導體器件的勢能間隙產生光，因此，在壽命、反應速度、安全性和環(huán)境友好要求方面，LED比傳統光源有利。

在這點上，已經進行各種研究來利用LED取代常規(guī)光源。LED越來越多地用作照明裝置的光源，例如在室內和室外使用的各種燈、液晶顯示器、電信號板和街燈。

技術實現要素：

實施方案提供了一種包括保護器件以單獨保護多個發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件。

實施方案提供了一種發(fā)光器件封裝件，其中多個發(fā)光器件設置在彼此平行的多個腔中，使得可以有效地檢測各個發(fā)光器件的變化。

根據實施方案的發(fā)光器件封裝件包括：本體；在本體的第一區(qū)域中的具有第一腔的第一引線框；在本體的第二區(qū)域中的具有第二腔的第二引線框；從第一引線框突入到在本體的第一側面和第一腔之間的區(qū)域中的第一接合部；從第二引線框突入到在與本體的第一側面相反的本體的第二側面和第二腔之間的區(qū)域中的第二接合部；在第一腔中的第一發(fā)光器件；在第二腔中的第二發(fā)光器件；與第一引線框和第二引線框分離并且設置在本體的第一側面和第一腔之間的第三引線框；與第一引線框和第二引線框分離并且設置在本體的第二側面和第二腔之間的第四引線框；在第三引線框和第一接合部中的之一上的第一保護器件；以及在第四引線框和第二接合部中的之一上的第二保護器件。

根據實施方案的發(fā)光器件封裝件包括：本體；在本體的第一區(qū)域中的具有第一腔的第一引線框；在本體的第二區(qū)域中的具有第二腔的第二引線框；從第一引線框突入到在第一腔和第二腔之間的區(qū)域中的第一接合部；從第二引線框突入到在第一接合部和第二腔之間的區(qū)域中的第二接合部；在第一腔中的第一發(fā)光器件；在第二腔中的第二發(fā)光器件；與第一引線框和第二引線框分離并且設置在第一腔和第二腔之間的第三引線框；與第一引線框至第三引線框分離并且設置在第一腔和第二腔之間的第四引線框；在第三引線框和第一接合部中的之一上的第一保護器件；以及在第四引線框和第二接合部中的之一上的第二保護器件。

根據實施方案的光單元包括：發(fā)光器件封裝件；其中排列發(fā)光器件封裝件的模塊襯底；以及在發(fā)光器件封裝件的至少一側上的光學構件。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施方案的發(fā)光器件封裝件的立體圖；

圖2是圖1中示出的發(fā)光器件封裝件的俯視圖；

圖3是沿圖2的線A-A的截面圖；

圖4是示出根據第二實施方案的發(fā)光器件封裝件的立體圖；

圖5是沿圖4的線B-B的截面圖；

圖6是沿圖4的線C-C的截面圖；

圖7是示出根據第三實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖；

圖8是示出根據第四實施方案的發(fā)光器件封裝件的側視截面圖；

圖9是示出根據第五實施方案的發(fā)光器件封裝件的側視截面圖；

圖10是示出根據第六實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖；

圖11是示出根據第七實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖；

圖12是示出根據第八實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖；

圖13和圖14分別是根據第九實施方案的發(fā)光器件封裝件的立體圖和側視截面圖；

圖15是圖1中示出的發(fā)光器件封裝件的電路圖；

圖16是示出根據第十實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖；以及

圖17是示出根據實施方案的發(fā)光器件封裝件的發(fā)光器件的示例的立體圖；

圖18是設置有發(fā)光器件的顯示裝置的分解立體圖；

圖19是示出設置有發(fā)光器件的顯示裝置的另一示例的示意性截面圖；以及

圖20是設置有發(fā)光器件的照明單元的立體圖。

具體實施方式

在下文中，將參考附圖詳細描述實施方案，使得本發(fā)明所屬領域的技術人員可以容易地實現實施方案。在實施方案的描述中，應理解，在層(或者膜)、區(qū)域、圖案或者結構稱為在另一襯底、另一層(或者膜)、另一區(qū)域、另一焊盤或者另一圖案“上”或者“下”，其可以“直接”或者“間接”在該另一襯底、層(或者膜)、區(qū)域、焊盤或者圖案上或者下，或者也可以存在一個或更多個中間層。層的這種位置已經參照附圖進行描述。

出于方便或清楚的目的，可以對附圖中示出的各個層的厚度和尺寸進行放大、省略或示意性地描繪。此外，元件的尺寸沒有完全反映實際尺寸。在整個附圖中，利用相同的附圖標記表示相同的元件。在下文中，將參考附圖描述根據實施方案的發(fā)光器件封裝件。

圖1是示出根據第一實施方案的發(fā)光器件封裝件的立體圖，圖2是圖1中示出的發(fā)光器件封裝件的俯視圖，圖3是沿圖2的線A-A的截面圖。

參考圖1至圖3，發(fā)光器件封裝件100包括：本體110、具有第一腔125的第一引線框121、具有第二腔135的第二引線框131、第三引線框141、第四引線框142、第一發(fā)光器件151、第二發(fā)光器件152、第一保護器件171、第二保護器件172、以及連接構件154至157。

本體110包括絕緣材料或導電材料。例如，本體110包括選自樹脂材料如PPA(聚鄰苯二甲酰胺)、Si、金屬材料、PSG(光敏玻璃)、Al₂O₃和PCB中的至少一種。本體110可以包括具有高反射率的樹脂材料，如PPA(聚鄰苯二甲酰胺)。

本體110可以通過使用具有導電性的材料形成。在這種情況下，在本體110的表面上形成絕緣層(未示出)以防止本體110與第一引線框121和第二引線框131之間的電短路。

本體110包括多個側面111至114，其中側面111至114中的至少一個側面相對于本體110的底表面垂直或傾斜。本體110的側面111至114可以相對于本體110的底表面垂直或傾斜，第一側面111和第二側面112的寬度可以與第三側面113和第四側面114的寬度不同。第一側面111和第二側面112的寬度可以對應于第三側面113與第四側面114之間的距離，第三側面113和第四側面114的寬度可以對應于第一側面111與第二側面112之間的距離。當從頂部觀察時，根據發(fā)光器件封裝件100的應用和設計，本體110可以具有各種外部形狀，如三角形、矩形、多邊形和圓形。

本體110包括第一側面111至第四側面114，其中第一側面111和第二側面112彼此相反，第三側面113和第四側面114彼此相反。第一側面111和第二側面112的寬度或長度可以等于或不同于第三側面113和第四側面114的寬度或長度。例如，第一側面111和第二側面112的長度可以比第三側面113和第四側面114的長度短。本體110具有多邊形結構，例如，六面體結構，但是實施方案不限于此。

本體110的上部116形成有開口區(qū)域。開口區(qū)域形成在第一腔125和第二腔135的區(qū)域中。第一腔125和第二腔135彼此間隔開，以發(fā)出光。

第一引線框121形成由散熱部122和在散熱部122與頂表面部分124之間的傾斜部123限定的第一腔125。第一引線框121的散熱部122暴露于本體110的底表面并且設置在與本體110的底表面相同的平面上。散熱部122用作引線。第一引線框121的散熱部122與散熱板或襯底的金屬焊盤物理連接/電連接以實施導熱功能。

第一腔125具有從第一引線框121的頂表面部分124向下凹陷的杯形或凹陷形。

第二引線框131形成由散熱部132和在散熱部132與頂表面部分134之間的傾斜部133限定的第二腔135。第二引線框131的散熱部132暴露于本體110的底表面并且設置在與本體110的底表面相同的平面上。散熱部132用作引線。第二引線框131的散熱部132與散熱板或襯底的金屬焊盤物理連接或電連接以實施導熱功能。

第二腔135具有從第二引線框131的頂表面部分134向下凹陷的杯形狀或凹陷形。

第一引線框121和第二引線框131彼此間隔開預定的間隔T1。第一引線框121的第一腔125和第二引線框131的第二腔135相對于本體110的第一側面111和第二側面112更靠近本體110的中心線P1。由于第一腔125和第二腔135更靠近本體110的頂表面上的中心線P1，因此，可以增強從發(fā)光器件封裝件100發(fā)出的光的強度。

第一引線框121包括在第一腔125和第一側面111之間的第一接合部126。第一接合部126設置在由本體110的第一側面111和第四側面114限定的角落處。

第二引線框131包括在第二腔135和第二側面112之間的第二接合部136。第二接合部136設置在由本體110的第二側面112和第三側面113限定的角落處。

第三引線框141設置在第一引線框121的第一腔125與本體110的第一側面111之間。在從本體110的頂部觀察時，第三引線框141相對于第二引線框131更靠近第一引線框121，并且設置在由本體110的第一側面111和第三側面113限定的角落處。第三引線框141對應于第一引線框121的第一接合部126設置。第一保護器件171安裝在第三引線框141上并且與第三引線框141電連接。

第四引線框142設置在第二引線框131的第二腔135和本體110的第二側面112之間。在從本體110的頂部觀察時，第四引線框142相對于第一引線框121更靠近第二引線框131，并且設置在由本體110的第二側面112和第三側面113限定的角落處。第四引線框142對應于第二引線框131的第二接合部136設置。第二保護器件172安裝在第四引線框142上并且與第四引線框142電連接。

第一引線框121、第二引線框131、第三引線框141和第四引線框142彼此物理地間隔開。第一引線框121、第二引線框131、第三引線框141和第四引線框142可以具有相同的厚度，但是實施方案不限于此。

第一引線框121、第二引線框131、第三引線框141和第四引線框142可以包括選自Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag和P中的至少一種。此外，第一引線框121、第二引線框131、第三引線框141和第四引線框142可以由同質的金屬層或異質的金屬層形成，并且實施方案不限于此。

第一腔125中設置有至少一個第一發(fā)光器件151。第一發(fā)光器件151附接在第一腔125的散熱部122上，并且通過第一連接構件154和第二連接構件155分別與第一接合部126和第一保護器件171連接。第一保護器件171可以與第一發(fā)光器件151和第一引線框121中的一個電連接。

第二腔135中設置有至少一個第二發(fā)光器件152。第二發(fā)光器件152附接在第二腔135的散熱部132上，并且通過第三連接構件156和第四連接構件157分別與第二接合部136和第二保護器件172連接。第一連接構件154至第四連接構件157可以包括導線。第二保護器件172可以與第二發(fā)光器件152和第二引線框131中的一個電連接。

由于第一連接構件154至第四連接構件157中的一個端部與第一腔125和第二腔135間隔開，因此由于不需要提供用于接合連接構件的空間，所以可以減小第一腔125和第二腔135的寬度。第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152彼此成一直線地分別設置在腔125和腔135的中心處。

第一引線框121和第二引線框131可以具有相對于本體110的中心線P1對稱的結構。此外，第一引線框121和第二引線框131可以具有點對稱結構或不對稱結構。第三引線框141和第四引線框142可以具有相對于本體110的中心線P1對稱的結構。此外，第三引線框141和第四引線框142可以具有點對稱結構或不對稱結構。

第一發(fā)光器件151的中心和第二發(fā)光器件152的中心彼此成一直線，并且第一接合部126和第二接合部136設置為在本體110的上部處彼此相反，同時彼此間隔開的預定間隔大于第一腔125和第二腔135之間的間隔。此外，第三引線框141和第四引線框142設置為在本體110的上部處彼此相反，同時彼此間隔開的預定間隔大于第一腔125和第二腔135之間的間隔。

第一接合部126設置在第一引線框121的中心處，第二接合部136設置在第二引線框131的中心處。

第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152之間的間隔小于第一保護器件171和第二保護器件172之間的間隔。

如圖1至圖3中所示，第三引線框141從本體110的上部延伸到本體110的底表面。第三引線框141包括：設置在本體110的底表面上的第一引線部141A和從第一引線部141A延伸到本體110的上部的傾斜部141B。第三引線框141通過第一引線部141A接收電力。第一引線部141A在本體110的第一側面111的底部處暴露，并且具有比第三引線框141的上部的寬度寬且比本體110的底表面的寬度小的寬度。

此外，第四引線框142從本體110的上部延伸到本體110的底表面。第四引線框142包括設置在本體110的下表面上的第二引線部142A和從第二引線部142A延伸到本體110的上部的傾斜部142B。第四引線框142通過第二引線部142A接收電力。第二引線部142A在本體110的第二側面112的底部處暴露，并且具有比第四引線框142的上部的寬度寬且比本體110的底表面的寬度小的寬度。

用于本體110的材料還可以形成在其中除了第一腔125和第二腔135與連接構件連接的區(qū)域之外的第一引線框121和第二引線框131的頂表面中，但是實施方案不限于此。此外，可以在第一引線框121和第二引線框131中形成至少一個孔，以增強與本體110的耦接強度。此外，第一引線框121、第二引線框131、第三引線框141和第四引線框142中的至少之一的頂表面或底表面上可以形成有凹凸結構，以增加與本體110的接觸面積。

此外，用于本體110的材料還可以形成在其中除了形成保護器件的區(qū)域以外的第三引線框141和第四引線框142的頂表面中，但是實施方案不限于此。

第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152可以選擇性地發(fā)出具有在紫外頻帶到可見頻帶的范圍內的波長帶的光。此外，第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152可以發(fā)出具有相同的主峰值波長或不同的主峰值波長的光。第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152可以包括使用III-V族化合物半導體的LED芯片。例如，第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152可以包括選自UV(紫外)LED芯片、藍光LED芯片、綠光LED芯片、白光LED芯片和紅光LED芯片中的至少一種。

如圖15中所示，第一保護器件171與第一發(fā)光器件151反向并聯連接，以保護發(fā)光器件封裝件中的第一發(fā)光器件151。第二保護器件172與第二發(fā)光器件152反向并聯連接，以保護發(fā)光器件封裝件中的第二發(fā)光器件152。第一保護器件171和第二保護器件172可以選擇性地包括齊納二極管、閘流管或TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管。

由于第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152設置在第一腔125和第二腔135中同時彼此分離，因此可以有效地實施用于第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152的電測試，如測量正向電壓Vf或光信息。如果第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152彼此電連接，則由于電干擾以及一個發(fā)光器件可能對另一個發(fā)光器件施加影響，因此測試的可靠性可能降低。

參考圖3，第一腔125中設置有覆蓋第一發(fā)光器件151的第一模制構件161和覆蓋第二發(fā)光器件152的第二模制構件162。此外，本體110的上部116處設置有第三模制構件163。第一模制構件161、第二模制構件162和第三模制構件163可以由單層、單獨的層或至少兩層形成。第一模制構件161、第二模制構件162和第三模制構件163中的至少之一的頂表面可以是平坦的、凹陷的或凸出的，但是實施方案不限于此。

可以通過使用相同的透射材料來制備第一模制構件161和第二模制構件162，但是實施方案不限于此。第一模制構件161、第二模制構件162和第三模制構件163中的至少之一可以包括磷光體，以改變從第一發(fā)光器件151和/或第二發(fā)光器件152發(fā)出的光的波長。通過從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152發(fā)出的光的一部分激發(fā)磷光體，使得可以改變光的波長。例如，如果第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152是藍光LED并且磷光體是黃色磷光體，則通過藍光激發(fā)黃色磷光體，使得可以產生白光。如果第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152發(fā)出UV光，則對第一模制構件161和第二模制構件162添加紅色磷光體、綠色磷光體和藍色磷光體以產生白光。可以對第一模制構件161和第二模制構件162添加相同類型的磷光體或不同類型的磷光體，并且實施方案不限于此。

可以在本體110上形成透鏡。透鏡可以包括凸透鏡和/或凹透鏡，并且可以調節(jié)從發(fā)光器件封裝件100發(fā)出的光的分布。

通過引用可以將第一實施方案的元件及其描述應用于其它實施方案。

圖4至圖6是第二實施方案。

圖4是示出根據第二實施方案的發(fā)光器件封裝件的立體圖，圖5是沿圖4的線B-B的截面圖，圖6是沿圖4的線C-C的截面圖。在下面關于第二實施方案的描述中，為了避免重復，可以不詳細說明已經在第一實施方案中描述過的元件和結構。

參考圖4至圖6，發(fā)光器件封裝件100包括：本體110、具有第一腔125的第一引線框121、具有第二腔135的第二引線框131、第三引線框141、第四引線框142、第一發(fā)光器件151、第二發(fā)光器件152、第一保護器件171、第二保護器件172、以及連接構件154至157。

第一引線框121包括第一肋部(rib)128，第二引線框131包括第二肋部138。第一肋部128從第一引線框121突出，并且設置于在本體110的上部的第二引線框131與第三側面113之間，第一肋部128的端部相對于第一腔125更靠近第二腔135。第二肋部138從第二引線框131突出，并且設置于在本體110的上部處的第一引線框121與第四側面114之間，第二肋部138的端部相對于第二腔135更靠近第一腔125。第一肋部128和第二肋部138穿過本體110的中心區(qū)域，使得可以增強本體110的中心區(qū)域處的抗拉強度。由于第一引線框121和第二引線框131在本體110的中心區(qū)域處彼此間隔開，因此在施加外部沖擊時，本體110的中心區(qū)域可以容易地破壞。為了解決這個問題，第一肋部128和第二肋部138增強了本體110的中心區(qū)域處的抗拉強度，從而可以改善發(fā)光器件封裝件的可靠性。

參考圖5和圖6，在第一引線框121和第一肋部128的外部處形成有第一突出部128A。第一突出部128A從第一引線框121的頂表面向下突出。第一突出部128A從第一引線框121的頂部突入第一腔125和本體110的第三側面113之間。第二引線框131和第二肋部138的外部處形成有第二突出部138A。第二突出部138A從第二引線框131的頂部向下突出。第二突出部138A從第二肋部138的頂部突入第二腔135與本體110的第四側面114之間。第一肋部128和第二肋部138相對于本體110的中心彼此相反地突出，并且由于第一突出部128A和第二突出部138A，可以增強本體110的中心區(qū)域處的抗拉強度。

圖7是示出根據第三實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖。

參考圖7，發(fā)光器件封裝件包括：本體110、具有第一腔125的第一引線框121、具有第二腔135的第二引線框131、第三引線框141、第四引線框142、第一發(fā)光器件151、第二發(fā)光器件152、第一保護器件171、第二保護器件172、以及連接構件154至157。

第一引線框121的第一接合部126和第二引線框131的第二接合部136相對于本體110的中心區(qū)域對角地設置。此外，第三引線框141和第四引線框142相對于本體110的中心區(qū)域對角地設置。第一引線框121的第一接合部126的一部分129還朝向第三引線框141的側面突出。例如，第一接合部126的一部分129具有凹凸結構以增加散熱面積。第二引線框131的第二接合部136的一部分139還朝向第四引線框142的側面突出。例如，第二接合部136的一部分139具有凹凸結構以增加散熱面積。

圖8是示出根據第四實施方案的發(fā)光器件封裝件的側視截面圖。

參考圖8，發(fā)光器件封裝件包括：本體110、具有第一腔125的第一引線框121、具有第二腔135的第二引線框131、第三引線框141、第四引線框142、第一發(fā)光器件151、第二發(fā)光器件152、第一保護器件171、第二保護器件172、以及連接構件154至157。

第三引線框141的上部處形成有第三腔145，并且第一保護器件171設置在第三腔145的底表面上。第四引線框142的上部處形成有第四腔146，并且第二保護器件172設置在第四腔146的底表面上。第三腔145和第四腔146的深度可以對應于第一保護器件171和第二保護器件172的厚度。具體地，第三腔145和第四腔146的深度在50μm至200μm的范圍內。在從本體110的頂表面測量時，第三腔145和第四腔146的深度小于第一腔125和第二腔135的深度。

第一保護器件171和第二保護器件172的至少一部分設置在第三腔145和第四腔146中，因此可以減少從發(fā)光器件151和152發(fā)出的光的損失。

圖9是示出根據第五實施方案的發(fā)光器件封裝件的側視截面圖。

參考圖9，發(fā)光器件封裝件包括：本體110、以及形成本體110的上部處并且具有高于或低于本體110的頂表面的梯級結構的第一凹陷部117和第二凹陷部118。第三引線框141的頂表面暴露在第一凹陷部117中，第一保護器件171安裝在設置在第一凹陷部117中的第三引線框141上。第四引線框142的頂表面暴露在第二凹陷部118中，第二保護器件172安裝在設置在第二凹陷部118中的第四引線框142上。

圖10是示出根據第六實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖。

參考圖10，第一保護器件171安裝在第一引線框121的第一接合部126上，并且通過第一連接構件154與第一發(fā)光器件151連接。第三引線框141通過第二連接構件155與第一發(fā)光器件151連接。由于在第三引線框141上沒有安裝保護器件，因此用于接合連接構件的區(qū)域的長度和寬度分別在100μm至200μm的范圍內。第一連接構件154和第二連接構件155可以包括導線。

圖11是示出根據第七實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖。

參考圖11，在發(fā)光器件封裝件中，第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152盡可能遠地間隔開。第一引線框121的第一接合部126和第二引線框131的第二接合部136設置為對應于本體110的中心線P1的第一區(qū)域，第三引線框181和第四引線框182設置為對應于本體110的中心線P1的第二區(qū)域。第三引線框181和第四引線框182的引線部分可以設置在本體110的第三側面下，但是實施方案不限于此。

第三引線框181設置在第一腔125和第二腔135之間或者設置在第一接合部126和本體110的第三側面113之間。第四引線框182設置在第三引線框181和第二腔135之間或者設置在第二接合部136和本體110的第三側面113之間。

第一引線框121的第一接合部126設置在第三引線框181和本體110的第四側面114之間，第二引線框131的第二接合部136設置在第四引線框182和本體110的第四側面114之間。

第一保護器件171可以設置在第一引線框121的第一接合部126上，并且通過第一連接構件154與第一發(fā)光器件151電連接。第二保護器件172可以設置在第二引線框131的第二接合部136上，并且通過第四連接構件157與第二發(fā)光器件152電連接。

第一腔125相對于本體110的中心線P1更靠近本體110的第一側面111，第二腔135相對于本體110的中心線P1更靠近本體110的第二側面112。

或者，第一保護器件171可以設置在第三引線框181上并且與第一發(fā)光器件151電連接，第二保護器件172可以設置在第四引線框182上并且與第二發(fā)光器件152電連接。第一引線框121、第二引線框131、第三引線框181和第四引線框182中的至少之一可以設置有孔或凹凸結構，但是實施方案不限于此。

第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件152之間的間隔可以比第一保護器件171與第二保護器件172之間的間隔寬。

第一引線框121、第二引線框131、第三引線框181和第四引線框182的至少一部分可以暴露于本體110的至少一個側面，但是實施方案不限于此。

可以在第一腔125和第二腔135中設置模制構件，并且可以向模制構件添加磷光體。模制構件可以包括透射樹脂材料，但是實施方案不限于此。

圖12是示出根據第八實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖。

參考圖12，具有垂直電極結構的第一發(fā)光器件151A通過第一腔125與第一引線框121電連接，并且通過第一連接構件154A與第三引線框141電連接。安裝在第一接合部126上的第一保護器件171通過第二連接構件155A與第三引線框141連接。具有垂直電極結構的第二發(fā)光器件152A通過第二腔135與第二引線框131電連接，并且通過第三連接構件156A與第四引線框142電連接。安裝在第二接合部136上的第二保護器件172通過第四連接構件157A與第四引線框142連接。第一發(fā)光器件151A和第二發(fā)光器件152A具有其中電極設置在其底部的結構，并且可以與第一引線框121和第二引線框131電連接。

圖13和圖14是示出根據第九實施方案的發(fā)光器件封裝件的側視截面圖。在下面關于第九實施方案的描述中，為了避免重復，可以不詳細說明已經在第一實施方案中描述過的元件和結構。

參考圖13和圖14，發(fā)光器件封裝件包括：本體110、具有第一腔125的第一引線框121、具有第二腔135的第二引線框131、第三引線框141、第四引線框142、第一發(fā)光器件151、第二發(fā)光器件152、第一保護器件171、第二保護器件172、以及連接構件154至157。

第一引線框121包括第三引線部127，所述第三引線部127從第一引線框121的第一接合部126彎曲穿過本體110，并且暴露于與本體110的第二側面112相鄰的本體110的底表面。此外，第三引線部127可以朝向本體110的第一側面111突出，但是實施方案不限于此。此外，如圖2和圖14中所示，第三引線框141的第一引線部141A和第三引線部127可以在本體110的第一側面111處彼此間隔開，并且可以從本體110的第一側面111突出。

第二引線框131包括第四引線部137，所述第四引線部137從第二引線框131的第二接合部136彎曲穿過本體110，并且暴露于與本體110的第二側面112相鄰的本體110的底表面。此外，第四引線部137可以朝向本體110的第二側面112突出，但是實施方案不限于此。此外，如圖2和圖14中所示，第四引線框142的第二引線部141B和第四引線部137可以在本體110的第二側面112處彼此間隔開，并且可以從本體110的第二側面112突出。

根據第一實施方案至第九實施方案的發(fā)光器件封裝件可以具有如圖15中示出的電路結構，以測試各個發(fā)光器件的電可靠性。

參考圖15，第一發(fā)光器件151和第一保護器件171在第一節(jié)點A1與第二節(jié)點C1之間彼此并聯連接，第二發(fā)光器件152和第二保護器件172在第三節(jié)點A2與第四節(jié)點C2之間彼此并聯連接。第一節(jié)點A1和第二節(jié)點C1相對于第三節(jié)點A2和第四節(jié)點C2電斷開，使得可以防止電干擾。

圖16是示出根據第十實施方案的發(fā)光器件封裝件的俯視圖。

參考圖16，發(fā)光器件封裝件包括：本體110、具有第一腔125的第一引線框121、具有第二腔135的第二引線框131、第三引線框141、第四引線框142、第一發(fā)光器件151、第二發(fā)光器件152、第三發(fā)光器件153、第一保護器件171、第二保護器件172、以及第三保護器件173。

在第一引線框121與第二引線框131之間設置有第五引線框131A和第六引線框143。第五引線框131A具有第五腔135A，并且第三發(fā)光器件153安裝在第五腔135A中。第三保護器件173安裝在第六引線框143上。第三發(fā)光器件153通過第五連接構件158與第五引線框131A的第三接合部136A連接，并且通過第六連接構件159與第三保護器件173連接。第五連接構件158和第六連接構件159可以包括導線。發(fā)光器件封裝件可以包括排列在單個本體中的至少兩個發(fā)光器件，并且發(fā)光器件可以包括能夠發(fā)出具有相同峰值波長的光或發(fā)出具有各種顏色的光的LED芯片，但是實施方案不限于此。

圖17是示出根據實施方案的發(fā)光器件封裝件的發(fā)光器件的示例的立體圖。

參考圖17，發(fā)光器件包括：襯底211、緩沖層213、第一導電半導體層215、有源層217、第二導電半導體層219、電極層231、第一電極焊盤241以及第二電極焊盤251。

襯底211可以包括透射襯底、絕緣襯底或導電襯底。例如，襯底211可以包括選自Al₂O₃、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、Ga₂O₃和LiGaO₃中的至少一種。可以在襯底211的頂表面上形成多個突出部。突出部可以通過蝕刻襯底211形成，或者可以在襯底211的頂表面上形成分離的光提取結構如粗糙結構。突出部可以具有條形狀、半球形狀或穹頂形狀。襯底211可以具有在30μm至300μm的范圍內的厚度，但是實施方案不限于此。

緩沖層213可以形成在襯底211上。緩沖層213可以通過使用II-VI族化合物半導體由至少一個層形成。緩沖層213可以包括通過使用III-V族化合物半導體形成的半導體層。例如，緩沖層213可以包括具有組成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導體層，例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN或AlInN。緩沖層213可以通過交替地堆疊異質的半導體層而具有超晶格結構。

緩沖層213可以減少襯底211與氮化物半導體層之間的晶格失配，并且可以定義為缺陷控制層。緩沖層213的晶格常數可以在襯底211的晶格常數與氮化物半導體層的晶格常數之間。可以通過使用氧化物如ZnO來形成緩沖層213，但是實施方案不限于此。緩沖層213可以具有在30nm至500nm的范圍內的厚度，但是實施方案不限于此。

緩沖層213上形成有低導電層。低導電層是電導率低于第一導電半導體層的導電率的未摻雜的半導體層。低導電層可以通過使用III-V族化合物半導體例如GaN基半導體來形成。即使在制造工藝期間沒有有意地摻雜導電摻雜劑，未摻雜的半導體層仍然具有第一導電特性?？梢允÷晕磽诫s的半導體層，并且實施方案不限于此。

第一導電半導體層215形成在緩沖層213上。第一導電半導體層215可以通過使用摻雜有第一導電摻雜劑的III-V族化合物半導體來形成。例如，第一導電半導體層215可以通過使用具有組成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導體材料來形成。如果第一導電半導體層215是N型半導體層，則第一導電摻雜劑包括N型摻雜劑如Si、Ge、Sn、Se或Te。

在緩沖層213和第一導電半導體層215之間形成有半導體層。半導體層可以具有超晶格結構，其中交替地堆疊異質的第一半導體層和第二半導體層。第一層和第二層中的各個層可以具有約幾或更大的厚度。

可以在第一導電半導體層215和有源層217之間形成第一導電覆層(未示出)。第一導電覆層可以包括GaN基半導體。第一導電覆層的帶隙比有源層217的勢壘層的帶隙寬。第一導電覆層可以限制載流子。

有源層217形成在第一導電半導體層215上。有源層217可以選擇性地包括單量子阱結構、多量子阱(MQW)結構、量子點結構或量子線結構。有源層217可以具有阱層/勢壘層堆疊結構。阱層/勢壘層可以通過使用InGaN/GaN、AlGaN/GaN、InGaN/AlGaN或InGaN/InGaN的堆疊結構以2到20的周期重復。

第二導電覆層可以形成在有源層217上。第二導電覆層的帶隙比有源層217的勢壘層的帶隙寬。第二導電覆層可以包括III-V族化合物半導體，如GaN基半導體。

第二導電半導體層219形成在第二導電覆層上。第二導電半導體層219可以包括第二導電摻雜劑。例如，第二導電半導體層219可以包括選自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一種。如果第二導電半導體層219是P型半導體層，則第二導電摻雜劑是P型摻雜劑，如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。

在發(fā)光結構220中，第一導電類型和第二導電類型可以改變?yōu)榕c上面的類型相反。具體地，第二導電半導體層219可以由N型半導體層形成，第一導電半導體層215可以由P型半導體層形成。此外，可以在第二導電半導體層219上形成極性與第二導電半導體層219的極性相反的第三導電半導體層。在發(fā)光器件中，第一導電半導體層215、有源層217和第二導電半導體層219可以構成發(fā)光結構220。發(fā)光結構220可以具有N-P結結構、P-N結結構、N-P-N結結構和P-N-P結結構中的一種結構。在N-P結結構和P-N結結構的情況下，在兩個層之間設置有源層。在N-P-N結結構和P-N-P結結構的情況下，在三個層之間設置至少一個有源層。

第一電極焊盤241形成在第一導電半導體層215上，電極層231和第二電極焊盤251形成在第二導電半導體層219上。

電極層213是電流擴展層，并且包括透射材料和導電材料。電極層213的折射率小于化合物半導體層的折射率。

電極層213形成在第二導電半導體層219上。電極層213可以包括選自ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、IZTO(銦鋅錫氧化物)、IAZO(銦鋁鋅氧化物)、IGZO(銦鎵鋅氧化物)、IGTO(銦鎵錫氧化物)、AZO(鋁鋅氧化物)、ATO(銻錫氧化物)、GZO(鎵鋅氧化物)、ZnO、IrO_x、RuO_x和NiO中的一種。電極層213可以由至少一個層形成?？梢孕纬煞瓷潆姌O層來代替電極層231。反射電極層可以包括選自Al、Ag、Pd、Rh、Pt和Ir中的一種。

第一電極焊盤241和第二電極焊盤251可以包括選自Ti、Ru、Rh、Ir、Mg、Zn、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Au及其合金中的一種。

可以在發(fā)光器件的表面上形成絕緣層。絕緣層可以防止發(fā)光結構220的中間層短路以及濕氣滲入。此外，可以在發(fā)光器件的表面上形成磷光體層，以改變從有源層發(fā)出的光的波長。

第二電極焊盤251可以形成在第二導電半導體層219和/或電極層231上并且可以包括第二電極圖案253。

第二電極圖案253可以具有從第二電極焊盤251分支的臂狀結構或指狀結構。第二電極焊盤251可以包括具有歐姆接觸層、粘合層和接合層的特性的金屬層，并且可以通過使用透射材料形成，但是實施方案不限于此。

在從發(fā)光芯片的頂部觀察時，第二電極焊盤251與第一電極焊盤241間隔開預定的距離，該預定的距離對應于發(fā)光芯片的一個側面的寬度的一半或更大。此外，第二電極圖案253可以形成在電極層231上，并且具有對應于發(fā)光芯片的一個側面的寬度的一半或更大的長度。

第二電極焊盤251和第二電極圖案253中的至少之一的一部分可以與第二導電半導體層219的頂表面歐姆接觸，但是實施方案不限于此。

第一電極焊盤241形成在第一導電半導體層215的頂表面上的第一區(qū)域A3中。第一區(qū)域A3是第一導電半導體層215的其中第二導電半導體層219和有源層217被部分蝕刻并且部分地暴露出第一導電半導體層215的頂表面的局部區(qū)域。第一導電半導體層215的頂表面相對于有源層217的側面成梯級并且位于有源層217的底表面下。

發(fā)光結構220中形成有槽235。槽235具有在從發(fā)光結構220的頂表面到第一導電半導體層215的頂表面的范圍內的深度。在從發(fā)光結構220的頂表面測量時，第一導電半導體層215的第一區(qū)域A3的深度等于或不同于槽235的深度?？梢允÷圆?35。

第一電極圖案可以與第一電極焊盤241連接。具體地，至少一個第一電極圖案與第一電極焊盤241連接。在從發(fā)光芯片的頂部觀察時，第一電極圖案可以設置在第二電極圖案253的一側處或者設置在第二電極圖案253內部。第一電極圖案可以設置在發(fā)光結構的槽235中，同時與第一導電半導體層215的頂表面接觸。第一電極圖案從第一電極圖案241延伸接近第二電極焊盤251，并且第二電極圖案從第二電極圖案251延伸接近第一電極焊盤241。

<照明系統>

根據實施方案的發(fā)光器件封裝件可以應用于照明系統。照明系統可以具有包括多個發(fā)光器件封裝件的陣列結構。照明系統可以包括圖18和圖19中示出的顯示裝置、圖20中示出的光單元、以及照明燈、信號燈、車輛前燈、電子顯示器等。

圖18是根據一個實施方案的顯示裝置的分解立體圖。

參考圖18，根據實施方案的顯示裝置1000可以包括：導光板1041、向導光板1041提供光的發(fā)光模塊1031、在導光板1041下的反射構件1022、在導光板1041上的光學片1051、在光學片1051上的顯示面板1061以及容納導光板1041、發(fā)光模塊1031和反射構件1022的底蓋1011，但是本公開不限于此。

底蓋1011、反射構件1022、導光板1041以及光學片1051可以定義為光單元1050。

導光板1041用于通過擴散線性光來將線性光轉化為平面光。導光板1041可以由透明材料制成，并且可以包括丙烯酰系樹脂如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸脂(PC)、COC以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂中的一種。

發(fā)光模塊1031向導光板1041的至少一個側面提供光，并且最終用作顯示裝置的光源。

發(fā)光模塊1031可以包括在底蓋1011中的至少一個發(fā)光模塊，并且直接或者間接地從導光板1041的一個側面提供光。發(fā)光模塊1031可以包括板1033和根據上述實施方案的發(fā)光器件封裝件100，發(fā)光器件封裝件100可以設置為在板1033上彼此間隔開預定的間距。

板1033可以是包括電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。板1033可以包括金屬芯PCB(MCPCB)、柔性PCB(FPCB)和普通PCB等，但是本公開不限于此。在發(fā)光器件封裝件100安裝在側表面或者散熱板上的情況下，可以移除板1033。本文中，某個散熱板可以與底蓋1011的頂表面接觸。

可以在板1033上安裝多個發(fā)光器件封裝件100，使得多個發(fā)光器件封裝件100的發(fā)光面與導光板1041間隔開預定的距離，但是本公開不限于此。發(fā)光器件封裝件100可以直接地或者間接地向作為導光板1041的一個側面的光入射部提供光，但是本公開不限于此。

可以在導光板1041下設置反射構件1022。反射構件1022反射從導光板1041的底表面入射的光，以使得反射的光能夠向上引導，從而能夠增強光單元1050的亮度。例如，反射構件1022可以由PET樹脂、PC樹脂、PVC樹脂等形成，但是本公開不限于此。

底蓋1011可以容納導光板1041、發(fā)光模塊1031、反射構件1022等。為此，底蓋1011可以為形成有開放的頂表面的箱形的容納部1012，但是本公開不限于此。底蓋1011可以耦接到頂蓋，但是本公開不限于此。

底蓋1011可以由金屬材料或者樹脂材料形成，并且可以通過使用如壓模或者注模的工藝來制造。此外，底蓋1011可以包括金屬材料或者具有高的導熱性的非金屬材料，但是本公開不限于此。

顯示面板1061是例如LCD面板，并且包括彼此面對的第一透明基板和第二透明基板以及置于第一基板和第二襯底基板的液晶層。顯示面板1061的至少一個表面上可以附接有偏光板，但是本公開不限于此。顯示面板1061通過使用穿過光學片1051的光來顯示信息。顯示裝置1000可以應用于各種移動終端、筆記本電腦的監(jiān)視器、膝上型計算機的監(jiān)視器、電視機等。

光學片1051設置在顯示面板1061和導光板1041之間，并且包括至少一個透明片。例如，光學片1051可以包括選自擴散片、水平和/或垂直棱鏡片以及增亮片中的至少一種。擴散片擴散入射光，水平和/或垂直棱鏡片將入射光匯聚到顯示區(qū)域上，增亮片通過再利用損失的光來改善亮度。此外，保護片可以設置在顯示面板1061上，但是本公開不限于此。本文中，顯示裝置1000可以包括導光板1041以及定位在發(fā)光模塊1031的光路上的作為光學構件的光學片1051，但是本公開不限于此。

圖19是根據實施方案的顯示裝置的橫截面視圖。

參考圖19，顯示裝置1100包括：底蓋1152、其上排列以上公開的發(fā)光器件封裝件100的板1120、光學構件1154以及顯示面板1155。

板1120和發(fā)光器件封裝件100可以定義為發(fā)光模塊1160。底蓋1152、至少一個發(fā)光模塊1160以及光學構件154可以定義為光單元1150。

底蓋1152可以設置有容納部1153，但是本公開不限于此。

本文中，光學構件1154可以包括選自透鏡、導光板、擴散片、水平/垂直棱鏡片以及增亮片中的至少一種。導光板可以由聚碳酸脂(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成，并且可以移除。擴散片擴散入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光匯聚到顯示區(qū)域上，增亮片通過再利用損失的光來增強亮度。

光學構件1154設置在發(fā)光模塊1160上。光學構件1154將從發(fā)光模塊1160發(fā)出的光轉化成平面光，并且實施擴散、光匯聚等。

圖20是根據一個實施方案的照明單元的立體圖。

參考圖20，照明單元1500可以包括殼1510、包括在殼1510中的發(fā)光模塊1530以及包括在殼1510中并且從外部電源提供電力的接線端子1520。

殼1510優(yōu)選可以由具有好的散熱特性的材料例如金屬材料或樹脂材料形成。

發(fā)光模塊1530可以包括板1532以及安裝在板1532上的根據實施方案的至少一個發(fā)光器件封裝件100。發(fā)光器件封裝件100可以包括以矩陣構造彼此間隔開預定距離排列的多個發(fā)光器件封裝件。

板1522可以是其上印刷有電路圖案的絕緣體襯底，并且可以包括例如印刷電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4襯底等。

此外，板1532可以由有效反射光的材料形成，并且其表面可以形成為能夠有效地反射光的顏色，例如白色或銀色。

可以在板1532上安裝至少一個發(fā)光器件封裝件100。各個發(fā)光器件封裝件100可以包括至少一個發(fā)光二極管(LED)芯片。LED芯片可以包括發(fā)出紅光、綠光、藍光或白光的彩色LED以及發(fā)出紫外線(UV)的UV LED。

發(fā)光模塊1530可以具有各種發(fā)光器件封裝件的組合，以獲得期望的顏色和亮度。例如，發(fā)光模塊1530可以具有白光LED、紅光LED和綠光LED的組合以獲得高的顯色指數(CRI)。

接線端子1520可以與發(fā)光模塊1530電連接以提供電力。接線端子1520可以以插座形式螺接到外部電源，但是本公開不限于此。例如，接線端子1520可以制成管腳形式并插入外部電源，或者可以通過電力線與外部電源連接。

根據實施方案，可以有效地檢測各個發(fā)光器件的電變化性，如發(fā)光器件封裝件中的正向電壓。

根據實施方案，可以縮短發(fā)光器件封裝件的數據測量時間，使得可以改善發(fā)光器件封裝件的可靠性。

實施方案可以提供能夠保護發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件。

實施方案可以改善發(fā)光器件封裝件以及包括其的光單元的可靠性。

本說明書中對于“一個實施方案”、“實施方案”、“示例實施方案”等的任意引用表示結合實施方案描述的具體特征、結構或者特性包括在本發(fā)明的至少一個實施方案中。本說明書中的各個位置處出現這種短語并非都涉及相同的實施方案。此外，在結合任意實施方案描述具體的特征、結構或者特性時，認為結合實施方案的其它特征、結構或者特性來實現這種特征、結構或者特性在本領域技術人員的預見范圍內。

雖然已經參照大量示意性實施方案描述了實施方案，但是應當理解，本領域技術人員可以在本公開的原理的精神和范圍內設計出大量其它的修改和實施方案。更具體地，可以在本公開、附圖和所附權利要求的范圍內對主題組合設置的部件和/或設置進行各種變化和修改。除了部件和/或設置方面的變化和修改，替選用途對于本領域技術人員來說也是明顯的。

本申請還涉及以下內容。

1.一種發(fā)光器件封裝件，包括：

本體；

在所述本體的第一區(qū)域中的具有第一腔的第一引線框；

在所述本體的第二區(qū)域中的具有第二腔的第二引線框；

從所述第一引線框突入到在所述本體的第一側面和所述第一腔之間的區(qū)域中的第一接合部；

從所述第二引線框突入到在所述本體的與所述本體的所述第一側面相反的第二側面和所述第二腔之間的區(qū)域中的第二接合部；

在所述第一腔中的第一發(fā)光器件；

在所述第二腔中的第二發(fā)光器件；

與所述第一引線框和所述第二引線框分離的并且設置在所述本體的所述第一側面和所述第一腔之間的第三引線框；

與所述第一引線框和所述第二引線框分離并且設置在所述本體的所述第二側面和所述第二腔之間的第四引線框；

在所述第三引線框和所述第一接合部中的之一上的第一保護器件；以及

在所述第四引線框和所述第二接合部中的之一上的第二保護器件。

2.根據1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一保護器件設置在所述第三引線框上并且電連接至所述第一發(fā)光器件和所述第一引線框中的至少之一，所述第二保護器件設置在所述第四引線框上并且電連接至所述第二發(fā)光器件和所述第二引線框中的至少之一。

3.根據1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一保護器件設置在所述第一引線框的所述第一接合部上并且與所述第一發(fā)光器件電連接，所述第二保護器件設置在所述第二引線框的所述第二接合部上并且與所述第二發(fā)光器件電連接。

4.根據2所述的發(fā)光器件封裝件，還包括：

將所述第一發(fā)光器件與所述第一接合部連接的第一連接構件；

將所述第一發(fā)光器件與所述第一保護器件連接的第二連接構件；

將所述第二發(fā)光器件與所述第二接合部連接的第三連接構件；以及

將所述第二發(fā)光器件與所述第二保護器件連接的第四連接構件。

5.根據3所述的發(fā)光器件封裝件，還包括：

將所述第一發(fā)光器件與所述第一接合部連接的第一連接構件；

將所述第一發(fā)光器件與所述第三引線框連接的第二連接構件；

將所述第二發(fā)光器件與所述第二保護器件連接的第三連接構件；以及

將所述第二發(fā)光器件與所述第四引線框連接的第四連接構件。

6.根據2或3所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一引線框的所述第一腔的底部和所述第二引線框的所述第二腔的底部設置在所述本體的底表面處。

7.根據1至5中任一項所述的發(fā)光器件封裝件，還包括從所述第一引線框突入到在所述第二腔和所述本體的第三側面之間的區(qū)域中的第一肋部。

8.根據7所述的發(fā)光器件封裝件，還包括從所述第二引線框突入到在所述第一腔和所述本體的與所述本體的所述第三側面相反的第四側面之間的區(qū)域中的第二肋部。

9.根據1至5中任一項所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第三引線框的至少一部分設置在所述本體的所述第一側面下，所述第四引線框的至少一部分設置在所述本體的所述第二側面下。

10.根據1至5中任一項所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一引線框和所述第三引線框的至少一部分設置在所述本體的所述第一側面下，所述第二引線框和所述第四引線框的至少一部分設置在所述本體的所述第二側面下。

11.根據2所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第三引線框包括第三腔，所述第一保護器件設置在所述第三腔的底表面上，所述第四引線框包括第四腔，所述第二保護器件設置在所述第四腔的底表面上。

12.根據1至5中任一項所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一保護器件和所述第二保護器件包括齊納二極管、閘流管和TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管中的一種。

13.根據1至5中任一項所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述本體包括樹脂材料，在所述第一腔和所述第二腔中分別設置有模制構件。

14.根據1至5中任一項所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一發(fā)光器件和所述第二發(fā)光器件之間的間隔比所述第一保護器件和所述第二保護器件之間的間隔寬。

15.一種發(fā)光器件封裝件，包括：

本體；

在所述本體的第一區(qū)域中的具有第一腔的第一引線框；

在所述本體的第二區(qū)域中的具有第二腔的第二引線框；

從所述第一引線框突入到在所述第一腔和所述第二腔之間的區(qū)域中的第一接合部；

從所述第二引線框突入到在所述第一接合部和所述第二腔之間的區(qū)域中的第二接合部；

在所述第一腔中的第一發(fā)光器件；

在所述第二腔中的第二發(fā)光器件；

與所述第一引線框和所述第二引線框分離并且設置在所述第一腔和所述第二腔之間的第三引線框；

與所述第一引線框至所述第三引線框分離并且設置在所述第一腔和所述第二腔之間的第四引線框；

在所述第三引線框和所述第一接合部中的之一上的第一保護器件；

在所述第四引線框和所述第二接合部中的之一上的第二保護器件；以及

在所述第一腔和所述第二腔中的模制構件。

16.根據15所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一保護器件設置在所述第三引線框上并且與所述第一發(fā)光器件電連接，所述第二保護器件設置在所述第四引線框上并且與所述第二發(fā)光器件電連接。

17.根據15所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一保護器件設置在所述第一引線框的所述第一接合部上并且與所述第一發(fā)光器件電連接，所述第二保護器件設置在所述第二引線框的所述第二接合部上并且與所述第二發(fā)光器件電連接。

18.根據16所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第一發(fā)光器件和所述第二發(fā)光器件之間的間隔比所述第一保護器件和所述第二保護器件之間的間隔寬。

19.根據18所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述第三引線框設置在所述本體的第三側面和所述第一引線框的所述第一接合部之間，所述第四引線框設置在所述本體的所述第三側面和所述第二引線框的所述第二接合部之間。

20.一種光單元，包括：

多個發(fā)光器件封裝件；

其中排列所述發(fā)光器件封裝件的模塊襯底；以及

在根據1至5以及15至19中任一項所述的發(fā)光器件封裝件的至少一側上的光學構件。