專利名稱:一種封裝裝置及封裝有機(jī)光電子器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及有機(jī)光電子器件制造領(lǐng)域,尤其涉及一種封裝裝置及封裝有機(jī)光電子器件的方法。
背景技術(shù):
有機(jī)光電子學(xué)目前已形成一個(gè)物理學(xué)、有機(jī)化學(xué)、信息電子科學(xué)和材料科學(xué)等諸多學(xué)科相互交叉的新興研究學(xué)科。其中,有機(jī)電致發(fā)光器件、有機(jī)光伏器件和有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管為代表的有機(jī)光電子器件在新型平板顯示、固體照明、柔性顯示、高密度信息傳輸與存儲(chǔ)、新能源和光化學(xué)利用等領(lǐng)域顯現(xiàn)了廣闊的應(yīng)用前景,受到科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。絕大部分有機(jī)光電子器件由有機(jī)薄膜功能層及電極層構(gòu)成。有機(jī)薄膜功能材料對(duì) 大氣中污染物、氧氣和潮氣都非常敏感。氧氣與有機(jī)材料發(fā)生氧化生成的化合物有強(qiáng)烈的淬滅作用,明顯降低器件的效率;水汽會(huì)使有機(jī)材料水解,有機(jī)功能層出現(xiàn)黑斑或暗斑,并且收縮。電極層多為化學(xué)性質(zhì)活潑的金屬,極易與空氣中的氧氣發(fā)生反應(yīng),在含有水汽的環(huán)境中更容易發(fā)生電腐蝕,產(chǎn)生針孔或鼓泡,使有機(jī)光電子器件的電阻率明顯增大,導(dǎo)電性變差,并最終導(dǎo)致整個(gè)器件完全失效。通常采用對(duì)有機(jī)光電子器件進(jìn)行封裝的方法來(lái)阻擋水分與氧氣的侵入,以延長(zhǎng)有機(jī)光電子器件的壽命。但是在封裝過(guò)程中,仍然有很大被水分與氧氣侵入的可能,例如在封裝蓋板和基板貼合時(shí)。因此,如何開(kāi)發(fā)有效的封裝裝置及封裝方法是當(dāng)前有機(jī)光電子領(lǐng)域的亟待解決的課題之一。現(xiàn)有技術(shù)中,在對(duì)有機(jī)光電子器件進(jìn)行封裝時(shí),通過(guò)在密封腔體上設(shè)置單一的可旋轉(zhuǎn)墊片,在抽取真空之前阻礙蓋板與基板貼合,改善封裝效果。但由于只在蓋板與基板的一側(cè)設(shè)置了可旋轉(zhuǎn)墊片,蓋板與基板之間存在傾斜,容易造成各部分受力不均,使得蓋板與基板先接觸部位封裝膠過(guò)渡擴(kuò)展,尤其對(duì)于大尺寸基板與蓋板封裝或光電器件在基板上分布不對(duì)稱時(shí)表現(xiàn)更加明顯。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種封裝裝置及封裝有機(jī)光電子器件的方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)在封裝過(guò)程中由于封裝蓋板各部分受力不均所引起的封裝膠線粗細(xì)不均的問(wèn)題。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝裝置,包括定位底座,所述定位底座設(shè)置有預(yù)設(shè)尺寸的凹槽;所述定位底座的凹槽的周邊設(shè)置有具有水平托載功能的至少兩個(gè)托架,所述托架可沿規(guī)定方向水平移動(dòng)。較佳的實(shí)施例,所述定位底座上還設(shè)置有用于限制托架水平移動(dòng)的限位栓,一個(gè)限位栓與一個(gè)托架對(duì)應(yīng)。所述托架的托載面與所述凹槽底部的平面的間距為2. 5毫米至4毫米。較佳的實(shí)施例,所述托架設(shè)置于所述凹槽的相對(duì)的周邊上。
較佳的實(shí)施例,所述托架在所述凹槽的周邊的設(shè)置位置呈對(duì)稱分布。較佳的實(shí)施例,還包括壓力置換腔,以及與所述壓力置換腔連通的真空導(dǎo)管和與所述壓力置換腔連通的氣體填充導(dǎo)管;所述定位底座設(shè)置在所述壓力置換腔內(nèi);所述真空導(dǎo)管,用于使所述壓力置換腔內(nèi)形成真空;所述氣體填充導(dǎo)管,用于使惰性氣體進(jìn)入所述壓力置換腔。較佳的實(shí)施例,所述氣體填充導(dǎo)管和所述真空導(dǎo)管上分別設(shè)置有閥門(mén)。本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝方法,用于封裝有機(jī)光電子器件,所述有機(jī)光電子器件包括上基板和下基板,方法步驟如下 將所述有機(jī)光電子器件的下基板放入所述定位底座的凹槽內(nèi);將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣耐鈧?cè)移向所述凹槽的內(nèi)側(cè),并將上基板水平放置于所述托架上;將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣膬?nèi)側(cè)移向所述凹槽的外側(cè),使得所述上基板在重力作用下水平下落,與所述下基板貼合。較佳的實(shí)施例,所述有機(jī)光電子器件的上基板和/或下基板的邊緣區(qū)域設(shè)置有緩沖膠線;所述將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣膬?nèi)側(cè)移向所述凹槽的外側(cè),使得所述上基板在重力作用下水平下落,與所述下基板貼合的步驟包括將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣膬?nèi)側(cè)移向所述凹槽的外側(cè),使得所述上基板在重力作用下水平下落,經(jīng)緩沖膠線緩沖后與所述下基板貼合。較佳的實(shí)施例,所述上基板的邊緣區(qū)域和/或所述下基板設(shè)置有封裝膠線;所述將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣膬?nèi)側(cè)移向所述凹槽的外側(cè),使得所述上基板在重力作用下水平下落,與所述下基板貼合的步驟還包括使所述上基板和所述下基板之間通過(guò)所述封裝膠線形成真空密閉室,所述上基板和所述下基板在外部氣壓的作用下相互壓合。較佳的實(shí)施例,使所述上基板和所述下基板之間通過(guò)所述封裝膠線形成真空密閉室,所述上基板和所述下基板在外部氣壓的作用下相互壓合的步驟中所述外部氣壓由惰性氣體產(chǎn)生。較佳的實(shí)施例,在所述上基板與所述下基板貼合的步驟之后,所述方法還包括對(duì)貼合的所述上基板和所述下基板進(jìn)行紫外曝光使所述封裝膠線固化;以及,將紫外曝光后的所述上基板和所述下基板送入烘箱烘烤使所述封裝膠線終極固化。本發(fā)明實(shí)施例取得了如下有益效果通過(guò)在定位底座上設(shè)置處于相同高度且可沿規(guī)定方向水平移動(dòng)的托架,使得在封裝過(guò)程中,有機(jī)光電子器件的上基板保持水平且在上基板下落時(shí)與下基板之間不存在傾斜,避免因此而造成的封裝膠線展寬不均的問(wèn)題。
圖I為本發(fā)明第一實(shí)施例所述的封裝裝置示意圖2為本發(fā)明第二實(shí)施例所述的封裝裝置示意圖;圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例所述的封裝裝置的定位底座剖面圖;圖4A至4C為本發(fā)明實(shí)施例封裝裝置的定位底座示意圖;圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例所述的封裝方法流程圖;圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例所述的封裝方法中,上基板和下基板放置于定位底座后的剖面圖;圖7為本發(fā)明實(shí)施例元器件對(duì)稱布局且涂布離散緩沖膠線的上基板示意圖;圖8為本發(fā)明實(shí)施例元器件非對(duì)稱布局且涂布離散緩沖膠線的上基板示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明第一實(shí)施例提供了一種有機(jī)光電子器件封裝裝置,如圖I所示,包括定位底座2,定位底座2設(shè)置有預(yù)設(shè)尺寸的凹槽;定位底座2的凹槽的周邊設(shè)置有具有水平托載功能的至少兩個(gè)托架3,托架3可沿規(guī)定方向水平移動(dòng)。需要說(shuō)明的是,圖I示出的是定位底座的凹槽的四個(gè)邊設(shè)置有四個(gè)托架的情況,對(duì)于所有托架數(shù)目和設(shè)置位置的調(diào)整,只要使其具有水平托載功能,都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施例取得了如下有益效果通過(guò)在定位底座上設(shè)置處于相同高度且可沿規(guī)定方向水平移動(dòng)的托架,使得在封裝過(guò)程中,上基板保持水平且在上基板下落時(shí)與下基板之間不存在傾斜。本發(fā)明第二實(shí)施例提供了一種有機(jī)光電子器件封裝裝置,如圖2所示的裝置示意圖及圖3所示定位底座的剖面圖,包括定位底座2,定位底座2設(shè)置有預(yù)設(shè)尺寸的凹槽;定位底座2的凹槽的周邊設(shè)置有具有水平托載功能的至少兩個(gè)托架3,托架3可沿規(guī)定方向在定位底座2的凹槽的周邊由內(nèi)側(cè)向外側(cè)或由外側(cè)向內(nèi)側(cè)水平移動(dòng);還包括壓力置換腔1,以及與壓力置換腔I連通的真空導(dǎo)管5和與壓力置換腔I連通的氣體填充導(dǎo)管6 ;定位底座2設(shè)置在壓力置換腔I內(nèi);,真空導(dǎo)管5,用于使壓力置換腔I內(nèi)形成真空;氣體填充導(dǎo)管6,用于使惰性氣體進(jìn)入壓力置換腔I。優(yōu)選的,真空導(dǎo)管5上設(shè)置有閥門(mén)7,氣體填充導(dǎo)管6上設(shè)置有閥門(mén)8。優(yōu)選的,所述有機(jī)光電子器件包括上基板和下基板,定位底座2凹槽的大小尺寸與有機(jī)光電子器件的下基板的大小尺寸相同。優(yōu)選的,定位底座2上還設(shè)置有用于限制托架3水平移動(dòng)的多個(gè)限位栓4,多個(gè)限位栓4與多個(gè)托架3——對(duì)應(yīng)。優(yōu)選的,托架3的托載面與凹槽底部的平面的間距為2. 5毫米至4毫米。多個(gè)托架3可以設(shè)置于底位底座2的部分或全部凹槽的周邊上,優(yōu)選的,多個(gè)托架3設(shè)置于定位底座2的凹槽的相對(duì)的周邊上。
多個(gè)托架3在凹槽的周邊的設(shè)置位置可以為多種分布方式,優(yōu)選的呈對(duì)稱分布。
本發(fā)明實(shí)施例取得了如下有益效果通過(guò)在定位底座上設(shè)置處于相同高度且可沿規(guī)定方向水平移動(dòng)的托架,使得在封裝過(guò)程中,有機(jī)光電子器件的上基板保持水平且在上基板下落時(shí)與下基板之間不存在傾斜;通過(guò)真空導(dǎo)管將壓力置換腔抽成真空,通過(guò)氣體填充導(dǎo)管對(duì)壓力置換腔填充惰性氣體,能夠更充分的排除壓力置換腔中的氧氣和水汽;并且在定位底座上設(shè)置限位栓,使托架保持穩(wěn)定的處于定位底座的凹槽的內(nèi)側(cè)的水平狀態(tài),有利于上基板的放置及下落的穩(wěn)定性。需要說(shuō)明的是,本發(fā)明中定位底座的托架的大小,數(shù)目和位置均可以靈活設(shè)置,下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖4A至4C對(duì)定位底座上托架的設(shè)置進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在本發(fā)明實(shí)施例中,定位底座2設(shè)置有預(yù)設(shè)尺寸的凹槽,凹槽的周邊即為定位底座2的側(cè)壁。托架3可設(shè)置于定位底座2的相對(duì)的側(cè)壁上;或設(shè)置于定位底座2的多個(gè)或全部側(cè)壁上;進(jìn)一步的,多個(gè)托架3為對(duì)稱分布,或多個(gè)托架為不對(duì)稱分布。圖4A示出了托架3設(shè)置于定位底座2相對(duì)的側(cè)壁上,且對(duì)稱分布的情況。
圖4B示出了定位底座2具有三個(gè)托架3,設(shè)置于相對(duì)的兩個(gè)側(cè)壁,但不是對(duì)稱分布的情況。圖4C中示出了定位底座2具有三個(gè)托架3,分別設(shè)置于三個(gè)側(cè)壁上,非對(duì)稱分布的情況。以上只是相對(duì)較佳的幾種托架設(shè)置的形式,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用,在能夠保持封裝蓋板穩(wěn)定且下落時(shí)不傾斜的前提下,可以靈活進(jìn)行設(shè)置。本發(fā)明第三實(shí)施例提供了一種有機(jī)光電子器件封裝方法,其中,有機(jī)光電子器件包括上基板和下基板。如圖5所示,包括如下步驟步驟S101,將有機(jī)光電子器件的下基板放入定位底座的凹槽內(nèi);將托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),規(guī)定方向?yàn)橛砂疾鄣耐鈧?cè)移向凹槽的內(nèi)側(cè),并將上基板水平放置于托架上;優(yōu)選的,通過(guò)限位栓使得所述托架保持穩(wěn)定的處于定位底座的凹槽的內(nèi)側(cè)的水平狀態(tài)。步驟S102,將托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),規(guī)定方向?yàn)橛砂疾鄣膬?nèi)側(cè)移向凹槽的外偵牝使得上基板在重力作用下水平下落,與下基板貼合。優(yōu)選的,有機(jī)光電子器件的上基板和/或下基板的邊緣區(qū)域設(shè)置有緩沖膠線;將托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),規(guī)定方向?yàn)橛砂疾鄣膬?nèi)側(cè)移向凹槽的外側(cè),使得上基板在重力作用下水平下落,與下基板貼合的步驟包括將托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),規(guī)定方向?yàn)橛砂疾鄣膬?nèi)側(cè)移向凹槽的外側(cè),使得上基板在重力作用下水平下落,經(jīng)緩沖膠線緩沖后與下基板貼合。優(yōu)選的,上基板的邊緣區(qū)域和/或下基板設(shè)置有封裝膠線;將托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),規(guī)定方向?yàn)橛砂疾鄣膬?nèi)側(cè)移向凹槽的外側(cè),使得上基板在重力作用下水平下落,與下基板貼合的步驟還包括使上基板和下基板之間通過(guò)封裝膠線形成真空密閉室,上基板和下基板在外部氣壓的作用下相互壓合。優(yōu)選的,使上基板和下基板之間通過(guò)封裝膠線形成真空密閉室,上基板和下基板在外部氣壓的作用下相互壓合的步驟中
外部氣壓由惰性氣體產(chǎn)生。優(yōu)選的,在上基板與下基板貼合的步驟之后,方法還包括對(duì)貼合的上基板和下基板進(jìn)行紫外曝光使封裝膠線固化;以及,將紫外曝光后的上基板和下基板送入烘箱烘烤使封裝膠線終極固化。下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖6,即有機(jī)光電子器件的上基板和下基板放置于定位底座的凹槽內(nèi)的剖面圖,對(duì)上基板和下基板放置于定位底座后的狀態(tài)進(jìn)行說(shuō)明,包括定位底座2上的托架3為由定位底座的凹槽周邊的外側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的內(nèi)側(cè)的狀態(tài),并被限位栓4限位;制備完成的有機(jī)光電子器件的下基板9上設(shè)置有元器件14,下基板9放置于定位底座上; 有機(jī)光電子器件的上基板10的相對(duì)于元器件14的位置貼附有干澡劑片11,在外圍涂布有封裝膠線12和緩沖膠線13。當(dāng)形成真空后,將托架3由由定位底座的凹槽周邊的外側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的內(nèi)側(cè)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為由定位底座的凹槽周邊的內(nèi)側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的外側(cè)的狀態(tài),并被限位栓4限位,使得上基板10在重力作用下下落。本發(fā)明第四實(shí)施例提供了一種有機(jī)光電子器件封裝方法,其中封裝裝置包括壓力置換腔,方法步驟如下步驟一,保持定位底座上的托架為由定位底座的凹槽周邊的內(nèi)側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的外側(cè);優(yōu)選的,使托架的托載面與凹槽底部的平面的間距為2. 5毫米至4毫米。步驟二,將制備完成的有機(jī)光電子器件下基板放入壓力置換腔的定位底座上,其中,設(shè)置了有機(jī)光電子器件的一面朝上。步驟三,將定位底座上的托架由定位底座的凹槽周邊的外側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的內(nèi)側(cè);優(yōu)選的,通過(guò)定位底座上的限位栓限制托架的水平移動(dòng),保持托架穩(wěn)定處于定位底座的凹槽周邊的內(nèi)側(cè)。步驟四,將上基板有凹槽的一面向下水平放置于托架上,上基板的凹槽內(nèi)貼有干燥片,上基板表面涂布有封裝膠線及離散的緩沖膠線;優(yōu)選的,使上基板和下基板的平行間距為2至3毫米。步驟五,關(guān)閉壓力置換腔,通過(guò)真空導(dǎo)管將壓力置換腔抽成真空。步驟六,通過(guò)將定位底座上的托架同時(shí)變?yōu)橛啥ㄎ坏鬃陌疾壑苓叺膬?nèi)側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的外側(cè)的狀態(tài),使得上基板在重力作用下水平下落,經(jīng)緩沖膠線緩沖后與封裝膠線和下基板帖合。步驟七,通過(guò)氣體填充導(dǎo)管向壓力置換腔充入惰性氣體,使得上基板在氣壓的作用下與下基板壓緊。優(yōu)選的,通過(guò)氣動(dòng)伺服裝置使托架由定位底座的凹槽周邊的內(nèi)側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的外側(cè)或由定位底座的凹槽周邊的外側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的內(nèi)側(cè)。優(yōu)選的,通過(guò)氣體填充導(dǎo)管向壓力置換腔充入惰性氣體,使得上基板在氣壓的作用下與下基板壓緊后,還包括
將壓緊的上基板和下基板從壓力置換腔中取出,經(jīng)紫外曝光使封裝膠線固化;將紫外曝光固化封裝膠線后的上基板和下基板送入烘箱烘烤使之終極固化。本發(fā)明實(shí)施例取得了如下有益效果通過(guò)在定位底座的凹槽周邊上設(shè)置可沿規(guī)定方向水平移動(dòng)的托架,使得在封裝過(guò)程中,上基板保持水平且在上基板下落時(shí)與基板之間不存在傾斜;以真空導(dǎo)管對(duì)壓力置換腔抽成真空,以氣體填充導(dǎo)管對(duì)壓力置換腔填充惰性氣體,能夠更充分的排除壓力置換腔中的氧氣和水汽;并且在定位底座上設(shè)置限位栓,使托架保持穩(wěn)定的處于定位底座的凹槽周邊的內(nèi)側(cè)的水平狀態(tài),有利于上基板的放置及下落的穩(wěn)定性。下面對(duì)應(yīng)用本發(fā)明的封裝裝置封裝有機(jī)光電子器件的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。首先明確元器件的布局與封裝蓋板的關(guān)系,圖7為器件對(duì)稱布局且涂布離散緩沖膠線的上基板示意圖,其中,元器件為有機(jī)電致發(fā)光二極管,上基板10與玻璃基板的尺寸相同, 元器件在基板上是對(duì)稱布局。上基板10上具有凹槽15,凹槽15內(nèi)貼附有干燥劑片11,在外圍涂布離散的緩沖膠線13 ;對(duì)應(yīng)元器件涂布密封膠線12,每個(gè)元器件對(duì)應(yīng)的密封膠線12均為連續(xù)的。圖8為器件非對(duì)稱布局且涂布離散緩沖膠線的上基板示意圖,其中,元器件為有機(jī)電致發(fā)光二極管,上基板10與玻璃基板的尺寸相同,元器件在基板上是對(duì)稱布局。封裝蓋板10上具有凹槽15,凹槽15內(nèi)貼附有干燥劑片11,在外圍涂布離散的緩沖膠線13 ;對(duì)應(yīng)元器件涂布密封膠線12,每個(gè)元器件對(duì)應(yīng)的密封膠線12均為連續(xù)的。本發(fā)明第五實(shí)施例,以圖7所示的元器件布局為例,上基板與玻璃基板尺寸相同,為200mmX 200mm,元器件在基板上是對(duì)稱布局,上基板采用鈉鈣玻璃,密封膠線為連續(xù)的環(huán)氧樹(shù)脂紫外光固化膠,緩沖膠線為離散的環(huán)氧樹(shù)脂紫外光固化膠。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)如下玻璃襯底/ITO/MTDATA ( 1Q00 A )/a _NPD (200 A) /Alq3 (300 A) 1%C545T/Alq3 (200 A) /LiF (5 A) /Al (1200 A)0器件的制備方法如下步驟一,依次用洗滌劑、丙酮溶液、無(wú)水乙醇溶液和去離子水對(duì)透明導(dǎo)電基板ITO玻璃和透明蓋板玻璃進(jìn)行超聲清洗,清洗之后用干燥氮?dú)獯蹈?。步驟二,將冷卻后的下基板移入預(yù)處理腔室,在氧分壓為25Pa的環(huán)境下對(duì)下基板進(jìn)行氧等離子處理3min,功率為100W。步驟三,將處理后的下基板傳輸至有機(jī)真空蒸發(fā)腔,待腔內(nèi)氣壓低于2X10-4Pa,開(kāi)始進(jìn)行有機(jī)薄膜的蒸鍍。按照器件結(jié)構(gòu)依次蒸鍍的空穴注入層4,4’,4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(MTDATA)為丨000人,空穴傳輸層N,N’-二苯基-N,N’-(I-萘基)_1,I’-聯(lián)苯-4,4’_:K(a-NPD)為200人,發(fā)光層8_羥基喹啉鋁(Alq3)摻雜10-(2-苯并噻唑)_2,3,6,7-四氫-I, 1,7,7,-四甲基1-1H,5H, IIH-[I]苯丙吡喃酮基[6,7,8-ij]喹嗪-11-酮(C545T),換言之,Alq3 (300 A) C545T(1%),電子傳輸層
Alq3 (200人各有機(jī)層的蒸鍍速率I lA/s,摻雜速率根據(jù)摻雜比例確定。步驟四,在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將基板傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行電子注入層與金屬電極的制備。其氣壓應(yīng)低于4X 10-4Pa,氟化鋰(LiF)蒸鍍速率為O. I 0.2人/s, LiF膜層厚度為5 A ,Al蒸鍍速率為,Al膜層厚度為00()Λ。蒸鍍速率及厚度膜厚儀監(jiān)控。器件的封裝步驟如下步驟五,經(jīng)再生或循環(huán)方式,保持手套箱內(nèi)水汽和氧氣的含量低于3ΡΡΜ,其中手套箱與壓力置換箱相連。步驟六,上基板經(jīng)氧等離子或UV處理后,由裝載室傳送至充滿惰性氣體的手套箱中,在其凹槽內(nèi)貼好干燥劑片,使用點(diǎn)膠機(jī)在上基板上涂布封裝膠線,并在其外圍涂布連續(xù)或離散的緩沖膠線。步驟七,通過(guò)聯(lián)動(dòng)的氣動(dòng)伺服開(kāi)關(guān),將定位底座上的托架機(jī)構(gòu)設(shè)置為由定位底座的凹槽周邊的內(nèi)側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊外側(cè)的狀態(tài),制備完成的有機(jī)光電子器件下基板經(jīng)由裝載室傳送至手套箱內(nèi),再將其放入密封腔中的定位底座內(nèi),設(shè)置了有機(jī)光電子器件的那一面朝上。步驟八,通過(guò)聯(lián)動(dòng)的氣動(dòng)伺服開(kāi)關(guān),將定位底座上的托架機(jī)構(gòu)設(shè)置為由定位底座 的凹槽周邊的外側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的內(nèi)側(cè)的狀態(tài),將上基板有凹槽那面向下水平放置于托架機(jī)構(gòu)之上,上基板和下基板平行,二者間距3mm。步驟九,關(guān)閉真空壓力置換腔,并對(duì)其抽真空,托架機(jī)構(gòu)由于限位栓的作用保持穩(wěn)定由定位底座的凹槽周邊的外側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的內(nèi)側(cè)的狀態(tài),當(dāng)真空壓力置換腔處于真空狀態(tài)時(shí),通過(guò)聯(lián)動(dòng)的氣動(dòng)伺服開(kāi)關(guān),使托架機(jī)構(gòu)同時(shí)處于由定位底座的凹槽周邊的內(nèi)側(cè)水平移動(dòng)至凹槽周邊的外側(cè)的狀態(tài),使得上基板在重力作用下水平下落,在緩沖膠線使上基板受力均勻分散,與下基板完全重合在一起。步驟十,通過(guò)高純惰性氣體導(dǎo)管向密封腔內(nèi)通入高純惰性氣體N2或Ar,由于環(huán)氧樹(shù)脂紫外光固化膠封閉區(qū)內(nèi)外壓強(qiáng)差,使得上基板和下基板緊密、均勻且完全的結(jié)合在一起。步驟十一,將結(jié)合在一起的上基板和下基板從密封腔中取出,送入放置在手套箱內(nèi)的紫外曝光機(jī)內(nèi),用UV MASK將有機(jī)光電子器件遮擋住,紫外曝光使環(huán)氧樹(shù)脂固化。步驟十二,將紫外固化后的上基板與下基板送入烘箱,80°C烘烤I小時(shí),使之終極固化。本發(fā)明第六實(shí)施例,以圖8所示的元器件布局為例,有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)器件的封裝,玻璃基板尺寸為370mmX470mm,兀器件在下基板上是非對(duì)稱布局的,上基板米用鈉鈣玻璃,密封膠線采用連續(xù)的環(huán)氧樹(shù)脂紫外光固化膠,緩沖膠線為離散的環(huán)氧樹(shù)脂紫外光固化膠。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)如下玻璃襯底/IT0/MTDATA( 1000人)/ a -NPD (200 A) /NPB:l%rubrene(120 A)/ADN: 2%TBPe(180 A)/Alq3 (200 A)/LiF(5 人)/Al (1200人)。器
件制備方法與步驟四實(shí)施例相似,其中,rubrene為紅熒烯,AND為9,10- 二(2-萘基)蒽,TBPe為1,4,7,10-四叔丁基二萘嵌苯,封裝方法采用上述有機(jī)光電子器件封裝方法。本發(fā)明第七實(shí)施例,采用圖7所示對(duì)稱元器件布局,有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)的封裝,下基板為玻璃基板,尺寸為200mmX 200mm ;上基板采用鈉鈣玻璃,密封膠線采用連續(xù)的環(huán)氧樹(shù)脂紫外光固化膠,緩沖膠線為離散的環(huán)氧樹(shù)脂紫外光固化膠。OTFT結(jié)構(gòu)為柵極鉭(Ta) /絕緣層五氧化二鉭(Ta205)/有源層并五苯(Pentacene)/源漏極金(Au)。器件制備方法如下步驟一,采用直流濺射在潔凈的玻璃襯底表面制備一層Ta。步驟二,用陽(yáng)極氧化的方法在Ta薄膜上生成Ta2O5絕緣層。步驟三,傳輸至氣壓低于2X10_4Pa真空腔室,利用可控制溝道長(zhǎng)寬比的掩膜板,蒸鍍有源層并五苯,蒸鍍速率為I 2 A/s,厚度500 L·步驟四,在有源層上蒸鍍?cè)措姌O與漏電極Au。封裝方法采用上述有機(jī)光電子器件封裝方法。本發(fā)明第八實(shí)施例,采用圖8所示非對(duì)稱元器件布局,有機(jī)光伏電池(OPVC)器件 的封裝,玻璃基板尺寸為370mm X 470mm,上基板采用鈉鈣玻璃,密封膠線采用連續(xù)的環(huán)氧樹(shù)脂紫外光固化膠,緩沖膠線為離散的環(huán)氧樹(shù)脂紫外光固化膠。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為玻璃襯底 /ITO/Pentacene (500 A) /C60 (40θΑ) /BCP ( θΑ ) /A1 C1200A}。器件制備方法與第四實(shí)施例類似,其中,C60為富勒烯,BCP為2,9- 二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲,封裝方法采用上述有機(jī)光電子器件封裝方法。以上實(shí)施例以在上基板上設(shè)置封裝膠線和/或緩沖膠線進(jìn)行說(shuō)明,在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中,同樣可以在下基板上封裝膠線和/或緩沖膠線,在此不進(jìn)行一一例舉。顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種封裝裝置,其特征在于,包括 定位底座,所述定位底座設(shè)置有預(yù)設(shè)尺寸的凹槽; 所述凹槽的周邊設(shè)置有具有水平托載功能的至少兩個(gè)托架,所述托架可沿規(guī)定方向水平移動(dòng)。
2.如權(quán)利要求I所述的裝置,其特征在于,所述定位底座上還設(shè)置有用于限制托架水平移動(dòng)的限位栓,一個(gè)限位栓與一個(gè)托架對(duì)應(yīng)。
3.如權(quán)利要求I所述的裝置,其特征在于,所述托架的托載面與所述凹槽底部的平面的間距為2. 5毫米至4毫米。
4.如權(quán)利要求I所述的裝置,其特征在于,所述托架設(shè)置于所述凹槽的相對(duì)的周邊上。
5.如權(quán)利要求I所述的裝置,其特征在于,所述托架在所述凹槽的周邊的設(shè)置位置呈對(duì)稱分布。
6.如權(quán)利要求I所述的裝置,其特征在于,還包括壓力置換腔,以及與所述壓力置換腔連通的真空導(dǎo)管和與所述壓力置換腔連通的氣體填充導(dǎo)管; 所述定位底座設(shè)置在所述壓力置換腔內(nèi); 所述真空導(dǎo)管,用于使所述壓力置換腔內(nèi)形成真空; 所述氣體填充導(dǎo)管,用于使惰性氣體進(jìn)入所述壓力置換腔。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置,其特征在于,所述氣體填充導(dǎo)管和所述真空導(dǎo)管上分別設(shè)置有閥門(mén)。
8.一種封裝方法,應(yīng)用如權(quán)利要求I至7任一項(xiàng)所述的裝置封裝有機(jī)光電子器件,所述有機(jī)光電子器件包括上基板和下基板,其特征在于,包括如下步驟 將所述有機(jī)光電子器件的下基板放入所述定位底座的凹槽內(nèi);將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣耐鈧?cè)移向所述凹槽的內(nèi)側(cè),并將上基板水平放置于所述托架上; 將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣膬?nèi)側(cè)移向所述凹槽的外側(cè),使得所述上基板在重力作用下水平下落,與所述下基板貼合。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述有機(jī)光電子器件的所述上基板的邊緣區(qū)域和/或所述下基板的邊緣區(qū)域設(shè)置有緩沖膠線; 所述將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣膬?nèi)側(cè)移向所述凹槽的外側(cè),使得所述上基板在重力作用下水平下落,與所述下基板貼合的步驟包括 將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣膬?nèi)側(cè)移向所述凹槽的外側(cè),使得所述上基板在重力作用下水平下落,經(jīng)緩沖膠線緩沖后與所述下基板貼合。
10.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述上基板和/或所述下基板設(shè)置有封裝膠線; 所述將所述托架沿規(guī)定方向水平移動(dòng),所述規(guī)定方向?yàn)橛伤霭疾鄣膬?nèi)側(cè)移向所述凹槽的外側(cè),使得所述上基板在重力作用下水平下落,與所述下基板貼合的步驟還包括 使所述上基板和所述下基板之間通過(guò)所述封裝膠線形成真空密閉室,所述上基板和所述下基板在外部氣壓的作用下相互壓合。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,使所述上基板和所述下基板之間通過(guò)所述封裝膠線形成真空密閉室,所述上基板和所述下基板在外部氣壓的作用下相互壓合的步驟中 所述外部氣壓由惰性氣體產(chǎn)生。
12.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,在所述上基板與所述下基板貼合的步驟之后,所述方法還包括 對(duì)貼合的所述上基板和所述下基板進(jìn)行紫外曝光使所述封裝膠線固化;以及,將紫外曝光后的所述上基板和所述下基板送入烘箱烘烤使所述封裝膠線終極固化。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種封裝裝置及封裝有機(jī)光電子器件的方法,所述裝置包括定位底座,所述定位底座設(shè)置有預(yù)設(shè)尺寸的凹槽;所述定位底座的凹槽的周邊設(shè)置有具有水平托載功能的至少兩個(gè)托架,所述托架可沿規(guī)定方向水平移動(dòng)。本發(fā)明實(shí)施例取得了如下有益效果通過(guò)在定位底座的凹槽的周邊設(shè)置可沿規(guī)定方向水平移動(dòng)的托架,使得在封裝過(guò)程中,有機(jī)光電子器件的上基板保持水平,且在上基板下落時(shí)與下基板之間不存在傾斜,避免因此而造成的封裝膠線展寬不均的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L51/00GK102881825SQ20121037173
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月28日
發(fā)明者朱儒暉, 于軍勝 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司