光電子器件和用于制造光電子器件的方法
【專利摘要】在不同的實(shí)施例中提出一種光電子器件（500）。光電子器件（500）能夠具有：光電子器件（500）的至少一個(gè)層（100，200，300）；在光電子器件（500）的層（100，200，300）上的至少一個(gè)粘結(jié)劑（504）；和在至少一個(gè)粘結(jié)劑（504）上的覆蓋件（506）；其中至少一個(gè)粘結(jié)劑（504）僅在襯底（502）之上的和/或?qū)樱?00，200，300）之上的子區(qū)域（508）中硬化。
【專利說明】光電子器件和用于制造光電子器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種光電子器件和一種用于制造光電子器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]至今為止,有機(jī)發(fā)光二極管(0LED),尤其堆疊的有機(jī)發(fā)光二極管是相對(duì)于襯底表面上的粗糙度或在工藝制造期間嵌入到有機(jī)發(fā)光二極管的層中的微?；?qū)又械牟痪鶆蛐缘纫资苡绊懙?。這種微粒能夠在相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管中造成所謂的潛在的短路(也稱為熱點(diǎn)(Hotspots))，此外所述短路首先還不能被檢測(cè)，即例如不具有在紅外光譜學(xué)中的標(biāo)志或不具有升高的電背景信號(hào)。然而，這種熱點(diǎn)之后能夠在OLED運(yùn)行中造成OLED的故障。
[0003]為了避免堆疊的OLED的這種自發(fā)的短路，將通常具有若干IOOnm的層厚度的厚的摻雜的空穴傳導(dǎo)層(英語:hole injection layer (HIL),也稱作空穴運(yùn)輸層),英語:holetransport layer (HTL))通常設(shè)為所謂的短路保護(hù)層(英語:shorts protection layer)。由此，應(yīng)當(dāng)使微粒等平坦化。然而，對(duì)此適合的材料還是非常昂貴的并且是顯著的成本要素。通常適用的是，HIL層越厚，OLED的抗短路能力越強(qiáng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在不同的實(shí)施例中，通過新型方法或新型工藝來降低光電子器件的、例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的、例如薄層封裝的OLED的短路行為，以實(shí)現(xiàn)例如后側(cè)技術(shù)(例如覆蓋疊層、例如玻璃疊層)。由于根據(jù)不同的實(shí)施例的新的方法/工藝的適應(yīng)性提供了新的可能性，以用于實(shí)現(xiàn)有效的耦合輸出層或用于影響光電子器件(例如0LED)的，例如頂部發(fā)射的OLED的放射特性(或吸收特性)，以及用于改進(jìn)在光電子器件(例如OLED)中的熱量分布或熱量管理。
[0005]在不同的實(shí)施例中，提供光電子器件。光電子器件能夠具有光電子器件的至少一個(gè)層；在光電子器件的層上的至少一個(gè)粘結(jié)劑；和在粘結(jié)劑上的覆蓋件；其中至少一個(gè)粘結(jié)劑僅在襯底之上的和/或在層之上的子區(qū)域中硬化。
[0006]在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，子區(qū)域能夠具有粘結(jié)劑的邊緣區(qū)域。
[0007]在另一設(shè)計(jì)方案中，邊緣區(qū)域能夠是粘結(jié)劑的環(huán)周結(jié)構(gòu)的至少一部分。
[0008]在另一設(shè)計(jì)方案中，子區(qū)域能夠至少部分地橫向地設(shè)置在光電子器件的有源區(qū)域之外。在不同的實(shí)施例中，光電子器件的位于由光電子器件發(fā)射的光或由光電子器件接收的光的光路中的區(qū)域能夠作為有源區(qū)域。
[0009]在另一設(shè)計(jì)方案中，至少一個(gè)粘結(jié)劑能夠具有不同粘度的多種粘結(jié)劑。
[0010]在另一設(shè)計(jì)方案中，在粘結(jié)劑中能夠設(shè)有具有與粘結(jié)劑的折射率不同的微粒。
[0011]在另一設(shè)計(jì)方案中，粘結(jié)劑能夠具有比覆蓋件更低的折射率。
[0012]在另一設(shè)計(jì)方案中，能夠在覆蓋件的至少一個(gè)表面上設(shè)有光學(xué)折射層。
[0013]在不同的實(shí)施例中，折射層理解為具有的層，例如以若干微米數(shù)量級(jí)的周期性結(jié)構(gòu)。在不同的實(shí)施例中，折射層能夠具有透鏡，棱錐體，或截錐結(jié)構(gòu)。[0014]在另一設(shè)計(jì)方案中，子區(qū)域能夠至少部分地包圍設(shè)有液態(tài)的非粘性的材料或液態(tài)的粘結(jié)劑。
[0015]在另一設(shè)計(jì)方案中，光電子器件能夠設(shè)立為發(fā)光二極管或具有發(fā)光二極管，例如有機(jī)發(fā)光二極管。
[0016]在另一設(shè)計(jì)方案中，層能夠是光電子器件的封裝層。
[0017]在另一設(shè)計(jì)方案中，覆蓋件能夠具有玻璃或薄膜或者是玻璃或薄膜。
[0018]在不同的實(shí)施例中，提供一種用于制造光電子器件的方法，其中所述方法具有:借助于至少一個(gè)粘結(jié)劑將覆蓋件施加到光電子器件的層上；以及僅在光電子器件的襯底之上的和/或在層之上的或僅層之外的子區(qū)域中改變至少一個(gè)粘結(jié)劑的粘度。
[0019]在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，粘度能夠借助于光輻照來改變。
[0020]在另一設(shè)計(jì)方案中，借助于紫外光輻照來進(jìn)行所述光輻照。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021 ] 本發(fā)明的實(shí)施例在附圖中示出，并且在下文中被詳細(xì)地闡述。
[0022]附圖示出:
[0023]圖1示出根據(jù)不同的實(shí)施例的未封裝的且不具有覆蓋件的一個(gè)光電子器件的橫截面視圖；
[0024]圖2示出根據(jù)不同的實(shí)施例的未封裝的且不具有覆蓋件的一個(gè)光電子器件的橫截面視圖；
[0025]圖3示出根據(jù)不同的實(shí)施例的未封裝的且不具有覆蓋件的一個(gè)光電子器件的橫截面視圖；
[0026]圖4A至4E示出在制造根據(jù)圖1的光電子器件期間在不同的時(shí)間點(diǎn)的所述光電子器件的橫截面視圖；
[0027]圖5示出根據(jù)不同的實(shí)施例的具有覆蓋件的光電子器件的橫截面視圖；
[0028]圖6示出根據(jù)圖5的光電子器件的俯視圖；
[0029]圖7A至7C示出原理橫截面視圖，借助于所述視圖示出在粘結(jié)劑常規(guī)地整面地硬化時(shí)光電子器件的可能的損壞；
[0030]圖8A至SC示出原理橫截面視圖，借助于所述視圖示出根據(jù)不同的實(shí)施例的具有僅在子區(qū)域中硬化的粘結(jié)劑的光電子器件的疊層；
[0031]圖9示出根據(jù)不同的實(shí)施例的具有覆蓋件的光電子器件的橫截面視圖；
[0032]圖10示出根據(jù)圖9的光電子器件的俯視圖；
[0033]圖1lA和IlB不出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的橫截面視圖(圖11A)和相應(yīng)的放射輪廓線(圖11B);
[0034]圖12A和12B不出根據(jù)不同的實(shí)施例的光電子器件的橫截面視圖(圖12A)和相應(yīng)的放射輪廓線(圖12B);以及
[0035]圖13示出用于制造根據(jù)不同的實(shí)施例的光電子器件的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]在下文中的詳細(xì)的描述中參考附圖，所述附圖形成所述描述的一部分并且其中為了圖解說明示出特定的能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的實(shí)施形式。在此方面，相關(guān)于所描述的附圖的定向使用方向術(shù)語:如“上”、“下”、“前”、“后”、“前面”、“后面”等。因?yàn)?，?shí)施形式的組件能夠定位在多個(gè)不同的方位中，所以方向術(shù)語用于圖解說明，并且不以任何方式受限制?？梢岳斫獾氖?，能夠使用其他的實(shí)施形式并且能夠進(jìn)行邏輯的改變，而不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍?？梢岳斫獾氖牵灰惶囟ǖ剡M(jìn)行另外的說明，在此所描述的不同的示例的實(shí)施形式的特征就能夠彼此組合。因此，下面的詳細(xì)說明不理解為受限制的意義，并且本發(fā)明的保護(hù)范圍通過附加的權(quán)利要求來限定。
[0037]在本文的范圍中，使用術(shù)語“連接”、“聯(lián)接”以及“耦合”以用于描述直接的且間接的連接、直接的或間接的聯(lián)接以及直接的或間接的耦合。在附圖中，只要是適宜的，相同的或相似的元件設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。
[0038]在不同的實(shí)施例中，提供光電子器件。
[0039]在不同的實(shí)施例中，光電子器件能夠構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二極管(organic lightemitting diode, OLED),構(gòu)成為有機(jī)光電二極管(organic photodiode, 0PD),構(gòu)成為有機(jī)太陽能電池(organic solar cell, 0SC),或構(gòu)成為有機(jī)晶體管,例如構(gòu)成為有機(jī)薄膜晶體管(organic thin film transistor,0TFT)。在不同的實(shí)施例中，光電子器件能夠是集成電路的一部分。此外，能夠設(shè)有多個(gè)光電子器件，例如安裝在共同的殼體中。多個(gè)光電子器件能夠彼此并排地和/或彼此相疊地堆疊地設(shè)置。
[0040]圖1示出有機(jī)發(fā)光二極管100作為根據(jù)不同實(shí)施例的一個(gè)光電子器件的執(zhí)行方案。在圖1中，有機(jī)發(fā)光二極管100是還未被封裝的并且也不設(shè)有覆蓋件，例如保護(hù)覆蓋件，如其在下文中還詳細(xì)闡述。
[0041]有機(jī)發(fā)光二極管100形式的光電子器件100能夠具有襯底102。襯底102例如能夠用作用于電子元件或?qū)?，例如光電子元件的載體元件。例如，襯底102能夠具有玻璃，石英，和/或半導(dǎo)體材料或任意其他適合的材料或由其構(gòu)成。此外，襯底102能夠具有塑料薄膜或帶有一個(gè)或帶有多個(gè)塑料薄膜的疊層板或由其構(gòu)成。塑料能夠具有一個(gè)或多個(gè)聚烯烴(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或由其構(gòu)成。此外，塑料能夠具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或由其構(gòu)成。此外，襯底102例如能夠具有金屬薄膜，例如鋁薄膜、不銹鋼薄膜、銅薄膜或組合物或其上的層堆疊。襯底102能夠具有一種或多種上述材料。襯底102能夠構(gòu)成為半透明的，例如透明的，部分半透明的，例如部分透明的。
[0042]在不同的實(shí)施例中，術(shù)語“半透明的層”能夠理解為，對(duì)于光能穿透的層，例如對(duì)于由光電子器件產(chǎn)生的、例如一個(gè)或多個(gè)波長范圍的光、例如對(duì)于在一個(gè)波長范圍中的可見光(例如至少在380nm至780nm波長范圍的子范圍中)能穿透的層。例如，在不同的實(shí)施例中，術(shù)語“半透明的層”能夠理解為基本上將所有的耦合輸入到結(jié)構(gòu)(例如層)中的光量也從所述結(jié)構(gòu)(例如層)中耦合輸出。
[0043]在不同的實(shí)施例中，術(shù)語“透明的層”能夠理解為對(duì)于光能穿透的層(例如至少在380nm至780nm波長范圍的子范圍中)，其中耦合輸入到結(jié)構(gòu)(例如層)中的光基本上也以沒有散射或光轉(zhuǎn)換的情況下從所述結(jié)構(gòu)(例如層)中耦合輸出。
[0044]在襯底102上或上方，能夠施加電極104 (例如以第一電極層104的形式)。第一電極104 (在下文中也稱作下電極104)能夠由導(dǎo)電的材料構(gòu)成或是導(dǎo)電的材料，例如由金屬或透明導(dǎo)電氧化物(transparent conductive oxide, TCO)或相同的或不同的金屬的和/或相同的或不同的TCO的多個(gè)層的層堆疊構(gòu)成。透明導(dǎo)電氧化物是透明的、導(dǎo)電的材料，例如金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(ITO)。除了二元的金屬氧化物，例如ZnO、SnO2或In2O3之外,三元的金屬氧化物,例如Zn2Sn04、CdSn03、ZnSn03、MgIn204、GaIn03、Zn2In205或In4Sn3O12或不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO族。此外，TCO不強(qiáng)制性對(duì)應(yīng)于化學(xué)計(jì)量的組成并且還能夠是P摻雜的或η摻雜的。第一電極104能夠構(gòu)成為陽極，即構(gòu)成為空穴注入的材料。
[0045]在不同的實(shí)施例中，第一電極104能夠由金屬的層的組合的層堆疊構(gòu)成在TCO的層上，或反之亦然。一個(gè)示例是施加在銦錫氧化物層(ITO)上的銀層(在ITO上的Ag)。在不同的實(shí)施例中，第一電極104能夠具有金屬(例如Ag、Pt、Au、Mg)或所描述的材料的金屬合金(例如AgMg合金)。在不同的實(shí)施例中，第一電極104能夠具有AlZnO或類似的材料。
[0046]在不同的實(shí)施例中，第一電極104能夠具有例如能夠用作陰極材料、即用作電子注入的材料的金屬。另外，在不同的實(shí)施例中，例如Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca或Li以及所述材料的化合物、組合物或合金能夠設(shè)作為陰極材料。
[0047]在不同的實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管100能夠設(shè)立為所謂的頂部發(fā)射體和/或所謂的底部發(fā)射體。在不同的實(shí)施例中，頂部發(fā)射體能夠理解為有機(jī)發(fā)光二極管，其中將光從有機(jī)發(fā)光二極管向上、例如穿過第二電極放射。在不同的實(shí)施例中，底部發(fā)射體能夠理解為有機(jī)發(fā)光二極管100，其中將光從有機(jī)發(fā)光二極管100向下，例如穿過襯底和第一電極放射。
[0048]在襯底102上或上方，能夠施加第一電極104 (例如以第一電極層104的形式)。第一電極104 (在下文中也稱為下電極104)能夠由導(dǎo)電材料構(gòu)成或是導(dǎo)電材料，例如由金屬或?qū)щ娡该餮趸?transparent conductive oxide, TC0)或相同的或不同的金屬的和/或相同的或不同的TCO的多個(gè)層的層堆疊構(gòu)成。透明導(dǎo)電氧化物是透明的、導(dǎo)電的材料，例如金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(ITO)。除了二元的金屬氧化物，例如ZnO、SnO2或In2O3之外,三元的金屬氧化物,例如Zn2Sn04、CdSn03、ZnSn03、MgIn204、GaIn03、Zn2In205或In4Sn3O12或不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO族。此外，TCO不強(qiáng)制性對(duì)應(yīng)于化學(xué)計(jì)量的組成并且還能夠是P摻雜的或η摻雜的。
[0049]在不同的實(shí)施例中，第一電極104能夠具有金屬；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或Li,以及所述材料的化合物、組合物或合金。
[0050]在不同的實(shí)施例中，第一電極104能夠由金屬的層的組合的層堆疊構(gòu)成在TCO的層上，或反之亦然。一個(gè)示例是施加在銦錫氧化物層(ITO)上的銀層(在ITO上的Ag)或ITO-Ag-1TO 多層。
[0051]在不同的實(shí)施例中，替選于或除了上述材料以外，第一電極能夠設(shè)有下述材料中的一種或多種:由金屬納米線和納米顆粒，例如Ag構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；石墨顆?；蚴珜樱挥砂雽?dǎo)體納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。
[0052]此外，所述電極能夠具有導(dǎo)電的聚合物或過渡金屬氧化物或透明導(dǎo)電氧化物。
[0053]對(duì)于發(fā)光器件100放射穿過襯底的光的情況,第一電極104和襯底102能夠構(gòu)成為半透明的或透明的。在此情況下，能夠?qū)τ诘谝浑姌O104由金屬構(gòu)成的情況，第一電極104例如能夠具有小于或等于大約25nm的層厚度,例如小于或等于大約20nm的層厚度,例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外，第一電極104例如能夠具有大于或等于大約IOnm的層厚度、例如大于或等于大約15nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，第一電極104能夠具有在大約IOnm至大約25nm的范圍中的層厚度,例如在大約IOnm至大約18nm的范圍中的層厚度，例如在大約15nm至大約18nm的范圍中的層厚度。
[0054]此外，對(duì)于第一電極104是半透明的或透明的情況和對(duì)于第一電極104由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)構(gòu)成的情況，第一電極104例如具有在大約50nm至大約500nm的范圍中的層厚度，例如在大約75nm至大約250nm的范圍中的層厚度,例如在大約IOOnm至大約150nm的范圍中的層厚度。
[0055]此外，對(duì)于第一電極104是半透明的或透明的情況和對(duì)于第一電極104由例如能夠與導(dǎo)電聚合物組合的例如由Ag構(gòu)成的金屬納米線所構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)、能夠與導(dǎo)電聚合物組合的由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)或由石墨層和復(fù)合材料構(gòu)成的情況，第一電極104例如具有在大約Inm至大約500nm的范圍中的層厚度，例如在大約IOnm至大約400nm的范圍中的層厚度，例如在大約40nm至大約250nm的范圍中的層厚度。
[0056]對(duì)于發(fā)光器件100將光僅向上放射的情況，第一電極104也能夠設(shè)立為不透明的或能反射的。在此情況下，第一電極104例如能夠具有大于或等于大約40nm的層厚度，例如大于或等于大約50nm的層厚度。
[0057]第一電極104能夠構(gòu)成為陽極，即構(gòu)成為空穴注入的電極或構(gòu)成為陰極，即構(gòu)成為電子注入的陰極。
[0058]第一電極104能夠具有第一電端子,能夠?qū)⒌谝浑妱?shì)(由能量源(未不出)提供)(例如電流源或電壓源)施加到所述第一電端子上。替選地，第一電勢(shì)能夠施加到襯底102上或是施加在襯底102上的，并且此外然后間接地被輸送給第一電極104或是輸送給第一電極104的。第一電勢(shì)例如能夠是接地電勢(shì)或不同預(yù)設(shè)的參考電勢(shì)。
[0059]此外，光電子器件100能夠具有有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)106,所述層結(jié)構(gòu)施加在第一電極104上或上方或者是施加在第一電極104上或上方的。
[0060]有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)106能夠包含一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層108,例如具有發(fā)突光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體，以及一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層110。
[0061]用于在根據(jù)不同的實(shí)施例的光電子器件100中能夠用于發(fā)射體層108的發(fā)射體材料的示例，包含有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚苯(例如2或2，5取代的聚對(duì)苯乙炔)的衍生物以及金屬絡(luò)合物，例如銥絡(luò)合物如發(fā)藍(lán)色磷光的FIrPic (雙(3，5-二氟-2- (2-吡啶)苯基-(2-羧基吡啶)-銥III)，發(fā)綠色磷光的Ir (ppy)3 (三(2-苯基吡啶)銥 III)，發(fā)紅色磷光的 Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)(三[4，4’-二-叔丁基-(2，2，)二吡啶]釕(III)絡(luò)合物)以及發(fā)藍(lán)色熒光的DPAVBi (4，4-二 [4- (二-對(duì)-甲苯氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯基)，發(fā)綠色熒光的TTPA (9，10-二 [N，N-二-(對(duì)甲苯基)氨基]蒽)和發(fā)紅色熒光的DCM2 (4- 二氰基甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合物的發(fā)射體。這種非聚合物的發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍍來沉積。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體，所述聚合物發(fā)射體尤其能夠借助于濕法化學(xué)的方法，例如旋涂(Spin Coating)或狹縫模具式涂布(Slot Dye Coating)來沉積。
[0062]發(fā)射體材料能夠以適合的方式嵌入基體材料中。[0063]應(yīng)當(dāng)注意的是，在其他的實(shí)施例中同樣設(shè)有其他適合的發(fā)射體材料。
[0064]光電子器件100的發(fā)射體層108的發(fā)射體材料例如能夠選擇為，使得光電子器件100發(fā)射白光。發(fā)射體層108能夠具有不同顏色(例如藍(lán)色和黃色或藍(lán)色、綠色和紅色)發(fā)射的發(fā)射體材料，替選地發(fā)射體層108也能夠由多個(gè)子層構(gòu)造，如發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射體層108或發(fā)藍(lán)色磷光的發(fā)射體層108、發(fā)綠色磷光的發(fā)射體層108和發(fā)紅色磷光的發(fā)射體層108。通過混合不同的顏色，能夠得出具有白色的色彩印象的光。替選地，也能夠提出，由所述層產(chǎn)生的初級(jí)發(fā)射的光路中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級(jí)輻射并且發(fā)射不同波長的次級(jí)輻射，使得從(還不是白色的)初級(jí)輻射通過將初級(jí)輻射與次級(jí)輻射進(jìn)行組合來得出白色的色彩印象。
[0065]通常，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)106能夠具有一個(gè)或多個(gè)功能層。一個(gè)或多個(gè)功能層能夠具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的小的非聚合物的分子(“小分子”)或這些材料的組合。例如，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)106具有構(gòu)成為或者是空穴運(yùn)輸層110的一個(gè)或多個(gè)功能層，使得例如在是OLED的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)將空穴有效地注入到電致發(fā)光的層中或電致發(fā)光的區(qū)域中。替選地，在不同的實(shí)施例中，有機(jī)的電致發(fā)光的層結(jié)構(gòu)能夠具有一個(gè)或多個(gè)功能層，所述功能層能夠構(gòu)成為電子運(yùn)輸層(未示出)和/或構(gòu)成為電子注入層(未示出)，使得例如在是OLED的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)將電子有效地注入到電致發(fā)光的層中或電致發(fā)光的區(qū)域中。作為用于空穴運(yùn)輸層110的材料，例如能夠使用叔胺、咔唑衍生物(Carbazoderivate)、導(dǎo)電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩。在不同的實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)功能層能夠構(gòu)成為電致發(fā)光的層。
[0066]在不同的實(shí)施例中，能夠?qū)⒖昭ㄟ\(yùn)輸層110例如以沉積的方式施加在第一電極104上或上方，并且能夠?qū)l(fā)射體層108例如以沉積的方式施加在空穴運(yùn)輸層110上或上方。
[0067]在不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)106 (即例如空穴運(yùn)輸層110和發(fā)射體層108的厚度的總和)能夠具有最大大約1.5 μ m的層厚度,例如最大大約1.2μηι的層厚度,例如最大大約Ium的層厚度，例如最大大約800nm的層厚度,例如最大大約500nm的層厚度,例如最大大約400nm的層厚度,例如最大大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)106例如能夠具有多個(gè)直接彼此疊加地設(shè)置的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的堆疊，其中每個(gè)OLED例如能夠具有最大大約1.5μπι的層厚度，例如最大大約1.2μπι的層厚度，例如最大大約Iym的層厚度，例如最大大約800nm的層厚度,例如最大大約500nm的層厚度,例如最大大約400nm的層厚度,例如最大大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)106例如能夠具有三個(gè)或四個(gè)直接彼此疊加設(shè)置的OLED的堆疊，在此情況下，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)106例如能夠具有最大大約3 μ m的層厚度。
[0068]通常，光電子器件100能夠可選地具有例如設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層108上或上方的其他的有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層用于改進(jìn)光電子器件100的功能性進(jìn)而改進(jìn)效率。
[0069]在有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)106上或上方或者必要時(shí)在一個(gè)或多個(gè)其他的有機(jī)功能層上或上方能夠施加第二電極112 (例如以第二電極層112的形式)。
[0070]在不同的實(shí)施例中，第二電極112具有與第一電極104相同的材料或由其構(gòu)成，其中在不同的實(shí)施例中金屬是特別適合的。[0071]在不同的實(shí)施例中，第二電極112例如能夠具有小于或等于大約50nm的層厚度，例如小于或等于大約45nm的層厚度，例如小于或等于大約40nm的層厚度，例如小于或等于大約35nm的層厚度,例如小于或等于大約30nm的層厚度,例如小于或等于大約25nm的層厚度，例如小于或等于大約20nm的層厚度，例如小于或等于大約15nm的層厚度，例如小于或等于大約IOnm的層厚度。
[0072]第二電極112通常能夠以與第一電極104類似的方式，或以不同于所述第一電極104的方式被構(gòu)成或是如此構(gòu)成的。在不同的實(shí)施例中，第二電極112能夠由一種或多種材料并且以相應(yīng)的層厚度(根據(jù)第二電極是否應(yīng)被構(gòu)成為能反射的、半透明的或透明的)構(gòu)成或是如此構(gòu)成的，如在上文中結(jié)合第一電極104所描述。
[0073]在不同的實(shí)施例中，第二電極112 (也能夠稱為覆蓋接觸部(Deckkontakt)112)能夠構(gòu)成為半透明的或透明的。
[0074]然而，在不同的實(shí)施例中，第二電極112能夠具有任意更大的層厚度，當(dāng)?shù)诙姌O112半透明地或透明地構(gòu)成時(shí)，具有例如至少I μ m的層厚度。
[0075]第二電極112能夠具有第二電端子，由能量源提供的第二電勢(shì)(不同于第一電勢(shì))能夠施加到第二電端子上。第二電勢(shì)例如能夠具有下述值:其與第一電勢(shì)的差具有在大約1.5V至大約20V的范圍中的值，例如在大約2.5V至大約15V的范圍中的值，例如在大約5V至大約IOV的范圍中的值。
[0076]在不同的實(shí)施例中，在第二電極112上或上方施加有鏡面層結(jié)構(gòu)114。
[0077]在不同的實(shí)施例中，鏡面層結(jié)構(gòu)114具有最小Iym的層厚度。
[0078]在不同的實(shí)施例中，鏡面層結(jié)構(gòu)114具有一個(gè)或多個(gè)金屬膜。
[0079]鏡面那層結(jié)構(gòu)114的一個(gè)或多個(gè)金屬膜能夠(分別)具有在大約5nm至大約5000nm的范圍中的層厚度，例如具有在大約15nm至大約IOOOnm的范圍中的層厚度，例如具有在大約50nm至大約300nm的范圍中的層厚度,使得鏡面層結(jié)構(gòu)114具有在大約IOnm至大約5000nm的范圍中的總層結(jié)構(gòu)厚度，例如具有在大約15nm至大約IOOOnm的范圍中的層厚度，例如具有在大約50nm至大約300nm的范圍中的層厚度。
[0080]對(duì)于所述情況而言，能夠?qū)⑺腥缟衔闹嗅槍?duì)第二電極112所列出的材料用于鏡面層結(jié)構(gòu)114。因此，也能夠例如設(shè)有摻雜的金屬氧化物化合物，如ITO、IZO或ΑΖ0，所述化合物能夠借助于低損壞的沉積工藝來沉積，例如借助于“面部IEi賤射(Facial TargetSputtering)，，。
[0081]鏡面層結(jié)構(gòu)114能夠具有一個(gè)或多個(gè)鏡面。如果鏡面層結(jié)構(gòu)114具有多個(gè)鏡面，那么相應(yīng)的鏡面借助于相應(yīng)的介電層彼此分開。
[0082]在不同的實(shí)施例中，也能夠略去鏡面層結(jié)構(gòu)114并且其功能由第二電極112提供。
[0083]在不同的實(shí)施例中能夠設(shè)有例如用于改進(jìn)附著性或可加工性的附加的層。
[0084]此外，有機(jī)發(fā)光二極管100還能夠具有一個(gè)或多個(gè)封裝層(未示出)，例如一個(gè)或多個(gè)薄層封裝層，所述薄層封裝層例如能夠在后端工藝處理期間被施加。
[0085]在不同的實(shí)施例中，通過光電子器件的、例如OLED的光學(xué)半透明的、例如光學(xué)透明的接地接觸部(也稱為第一電極)放射光(在此情況下，光電子器件設(shè)立為“底部發(fā)射體，，)。
[0086]圖2示出一種有機(jī)發(fā)光二極管200作為根據(jù)不同的實(shí)施例的一個(gè)光電子器件的實(shí)施方式。[0087]根據(jù)圖2，有機(jī)發(fā)光二極管200在多個(gè)方面與根據(jù)圖1的有機(jī)發(fā)光二極管100相同，因此在下文中僅詳細(xì)闡述根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200與根據(jù)圖1的有機(jī)發(fā)光二極管100的不同之處；在根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200的其余元件方面，參考根據(jù)圖1的有機(jī)發(fā)光二極管100的上述實(shí)施方案。
[0088]不同于根據(jù)圖1的有機(jī)發(fā)光二極管100,在根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200中,鏡面層結(jié)構(gòu)202不構(gòu)成在第二電極112上或上方，而是構(gòu)成在第一電極104之下。
[0089]在這些實(shí)施例中，能量源連接到第一電極104的第一電端子上并且連接到第二電極112的第二電端子上。
[0090]根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200能夠構(gòu)成為頂部發(fā)射體或者是構(gòu)成為頂部發(fā)射體的。
[0091]在不同的實(shí)施例中，根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200直觀地是表面發(fā)射的OLED。在所述實(shí)施例中，兩個(gè)接觸部(也就是說第一電極104和第二電極112)是半透光的，例如半透明的。
[0092]此外，在根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200中，將封裝層結(jié)構(gòu)204，例如薄層封裝204形式的封裝層結(jié)構(gòu)設(shè)置在第二電極112上或上方。
[0093]因此，在不同的實(shí)施例中，襯底側(cè)發(fā)射的光電子器件(例如襯底側(cè)發(fā)射的0LED)直觀地轉(zhuǎn)印刷到表面?zhèn)劝l(fā)射的光電子器件(例如表面?zhèn)劝l(fā)射的0LED)，如其在圖2或圖3中示出。在此，外部的金屬鏡面能夠設(shè)置在光學(xué)半透明的、例如透明的接地接觸部之下或者是設(shè)置在其之下的。在此情況下，光例如穿過光學(xué)半透明的、例如透明的覆蓋接觸部(例如第二電極)離開OLED進(jìn)而該OLED例如構(gòu)成為頂部發(fā)射體。
[0094]在不同的實(shí)施例中，鏡面層結(jié)構(gòu)，例如厚的金屬鏡面能夠直接施加到襯底102上，并且同時(shí)形成下接觸部，即光電子器件300的、例如0LED300的第一電極302。這種光電子器件300在圖3中示出。
[0095]根據(jù)圖3的光電子器件300的其余的層堆疊與根據(jù)圖2的光電子器件200的層堆
疊相同。
[0096]應(yīng)當(dāng)指出的是，在替選的實(shí)施例的范圍中，有機(jī)發(fā)光二極管也能夠具有任意其他適合的結(jié)構(gòu)。
[0097]圖4A至圖4F示出在制造根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件100期間在不同時(shí)間點(diǎn)的所述光電子器件。
[0098]圖4A示出在制造光電子器件100期間的第一時(shí)間點(diǎn)400的所述光電子器件100。
[0099]在此時(shí)間點(diǎn)，第一電極104被施加到襯底102上，例如以沉積的方式，例如借助于CVD法(化學(xué)氣相沉積，chemical vapor deposition)或借助于PVD法(物理氣相沉積，physical vapor deposition,例如派射、離子增強(qiáng)的沉積法或熱蒸鍍)，替選地借助于電鍍法；浸入沉積法(Tauchabscheideverfahren);旋涂法(spin coating);印刷；刮涂；或噴射。
[0100]在不同的實(shí)施例中，作為CVD法能夠使用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasmaenhanced chemical vapor deposition, PE-CVD)?在此,在上面應(yīng)當(dāng)施加有待施加的層的元件之上和/或周圍的體積中能夠產(chǎn)生等離子體，其中至少兩種氣態(tài)的起始化合物被輸送給所述體積，所述起始化合物在等離子體中被離子化并且被激發(fā)以相互反應(yīng)。通過產(chǎn)生等離子體能夠是可行的是，能夠?qū)⒃砻鏌岬揭员銓?shí)現(xiàn)例如介電層的產(chǎn)生的溫度相對(duì)于不具有等離子體的CVD法降低。當(dāng)元件、例如待形成的發(fā)光電子器件在高于最高溫度的溫度下被損壞時(shí)，這例如能夠是有利的。根據(jù)不同的實(shí)施例，在待形成的發(fā)光電子器件中，最高溫度例如能夠?yàn)榇蠹s120°C，使得例如施加介電層的溫度能夠小于或等于120°C并且例如小于或等于80°C。
[0101]圖4B示出在制造光電子器件100期間的第二時(shí)間點(diǎn)402的所述光電子器件。
[0102]在此時(shí)間點(diǎn)，一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層110被施加到第一電極104上，例如以沉積的方式，例如借助于CVD法(化學(xué)氣相沉積，chemical vapor deposition)或借助于PVD法(物理氣相沉積，physical vapor deposition,例如派射,離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍)，替選地借助于電鍍法；浸入沉積法；旋涂法(spin coating);印刷；刮涂；或噴射。
[0103]圖4C示出在制造光電子器件100期間的第三時(shí)間點(diǎn)404的所述光電子器件。
[0104]在此時(shí)間點(diǎn)，一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層108被施加到一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層110上，例如以沉積的方式，例如借助于CVD法(化學(xué)氣相沉積,chemical vapor deposition)或借助于PVD法(物理氣相沉積，physical vapor deposition,例如派射,離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍)，替選地借助于電鍍法；浸入沉積法；旋涂法(spin coating);印刷；刮涂；或噴射。
[0105]圖4D示出在制造光電子器件100期間的第四時(shí)間點(diǎn)406的所述光電子器件。
[0106]在此時(shí)間點(diǎn)，第二電極112被施加到一個(gè)或多個(gè)其他的有機(jī)功能層(當(dāng)其存在時(shí))上或施加到一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層108上，例如以沉積的方式，例如借助于CVD法(化學(xué)氣相沉積，chemical vapor deposition)或借助于 PVD 法(物理氣相沉積，physical vapordeposition，例如濺射，離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍)，替選地借助于電鍍法；浸入沉積法；旋涂法(spin coating);印刷；刮涂；或噴射。
[0107]圖4E示出在制造光電子器件100期間的第五時(shí)間點(diǎn)408的所述光電子器件。
[0108]在此時(shí)間點(diǎn)，具有上文所描述的橫向的導(dǎo)熱性的鏡面層結(jié)構(gòu)114被施加到第二電極112上,例如借助于CVD法(化學(xué)氣相沉積，chemical vapor deposition)或借助于PVD法(物理氣相沉積，physical vapor deposition,例如派射,離子增強(qiáng)沉積法或熱蒸鍍),替選地借助于電鍍法；浸入沉積法；旋涂法(spin coating);印刷；刮涂；或噴射。
[0109]圖5示出根據(jù)不同的實(shí)施例的具有覆蓋件的光電子器件500的橫截面視圖。
[0110]如在圖5中示出，在不同的實(shí)施例中，光電子器件500能夠具有載體502，例如襯底502。載體502能夠具有任意的、例如電絕緣的材料。在不同的實(shí)施例中，載體502也能夠由襯底102構(gòu)成。在不同的實(shí)施例中，載體502能夠由在上文中結(jié)合襯底102所描述的材料構(gòu)成。
[0111](還不完整的)光電子器件(必要時(shí)已經(jīng)設(shè)有薄層封裝)，例如有機(jī)發(fā)光二極管100、200,300被施加，例如被固定，例如被粘貼在載體502上或被沉積在所述載體502上。
[0112]在不同的實(shí)施例中，將覆蓋件506、例如玻璃覆蓋件506借助于粘結(jié)劑504固定，例如粘貼或例如疊層在(還不完整的)光電子器件上，例如在有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300上。因此，直觀地，粘結(jié)劑504被施加在有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300上，例如施加在有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300的上部露出的層上并且覆蓋件506被施加，例如被安置在粘結(jié)劑504上。在不同的實(shí)施例中，覆蓋件能夠由電絕緣的薄膜，例如塑料薄膜，導(dǎo)電的薄膜，例如金屬薄膜等構(gòu)成。
[0113]在不同的實(shí)施例中，粘結(jié)劑504能夠具有一種或多種下述材料或由其構(gòu)成:聚合物材料，例如由環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯、含氟聚合物、全氟聚合物、PFPE-(甲基)丙烯酸酯、硅樹月旨、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、MMA+PMMA、乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)、聚酯、聚氨酯等組成。
[0114]首先，粘結(jié)劑504在施加時(shí)是液態(tài)的，例如明膠狀的或膠凍狀的，并且具有在大約0.001Pa*s至3000Pa*s的范圍中的粘度，例如在大約lPa*s至500Pa*s的范圍中的粘度，例如在大約20Pa*s至60Pa*s的范圍中的粘度(其中所給出的值是在室溫下的典型值)。之后，粘結(jié)劑504的一部分或所有的粘結(jié)劑504 (例如當(dāng)粘結(jié)劑僅存在于子區(qū)域中，并且例如在下文中還更詳細(xì)闡述的內(nèi)部區(qū)域用另一材料填充時(shí))在其粘度方面進(jìn)行改變，例如被硬化，例如被疊層，如在下文中再更詳細(xì)闡述。
[0115]例如，在不同的實(shí)施例中預(yù)設(shè)的疊層工藝的范圍中，覆蓋件506，例如玻璃覆蓋件506(例如在整面地)被疊層到有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300上，例如疊層到所述發(fā)光二極管的背側(cè)上。為了使粘結(jié)劑504硬化，粘結(jié)劑504整面地被施加到有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300上并且通常整面地用紫外輻射來曝光(見圖7A至圖7C)。在所述過程中，例如使粘結(jié)劑504聚合。在此，粘結(jié)劑504通常收縮幾個(gè)百分比或者根據(jù)所使用的粘結(jié)劑504相應(yīng)地膨脹。然而，所述過程能夠引發(fā)有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300(例如包括其必要時(shí)預(yù)設(shè)的薄層封裝)和粘結(jié)劑504之間的邊界面上的機(jī)械應(yīng)力。因此，嵌入的顆粒例如能夠被壓入到有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300中或從中抽出。在有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300運(yùn)行時(shí)，這能夠造成整個(gè)光電子構(gòu)件的短路。如果材料在運(yùn)行期間不同地膨脹，那么這能夠造成類似的特性。圖7A以第一視圖700示出還未硬化的粘結(jié)劑504，其中顆粒702包含在粘結(jié)劑504中和/或有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300中。圖7A以第二視圖710示出借助于整面的UV曝光硬化的粘結(jié)劑712，所述粘結(jié)劑由于UV曝光而收縮或膨脹。由此，在有機(jī)發(fā)光二極管100、200,300和粘結(jié)劑712之間的邊界面上產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，所述機(jī)械應(yīng)力作用到顆粒702上(在圖7B中借助于箭頭714來表示)。在運(yùn)行時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300變熱并且又引發(fā)機(jī)械應(yīng)力。有機(jī)物能夠從有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300中抽出或壓入到有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300中(在圖7C中以具有升高的機(jī)械應(yīng)力的區(qū)域722的第三視圖720表示)，這能夠造成短路或也能夠造成例如封裝層的脫層，用閃電符號(hào)716表示。
[0116]再參考圖5，在光電子器件500中，粘結(jié)劑504僅在襯底502之上的和/或有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300之上的、例如在層之上的子區(qū)域中硬化。在不同的實(shí)施例中，子區(qū)域是載體502之上的、有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300旁邊的區(qū)域。在此情況下，直觀地例如將粘結(jié)劑504的邊緣區(qū)域508硬化，相反地，粘結(jié)劑504的由粘結(jié)劑504的邊緣區(qū)域508基本上完全包圍的內(nèi)部區(qū)域510的粘度保持基本上不改變進(jìn)而還保持為液態(tài)地、例如明膠狀地或膠凍狀地構(gòu)成(見例如圖6中的俯視圖，其中未示出覆蓋件506)。借助于虛線示出的有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300表示為:所述有機(jī)發(fā)光二極管被粘結(jié)劑504完全覆蓋。直觀地，在不同的實(shí)施例中，粘結(jié)劑504的邊緣區(qū)域508能夠具有粘結(jié)劑504的環(huán)周區(qū)域或由所述環(huán)周區(qū)域構(gòu)成。
[0117]應(yīng)當(dāng)指出的是，在不同的實(shí)施例中，邊緣區(qū)域510能夠橫向地延伸至有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300的邊緣，使得能夠除了有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300以外不存在液態(tài)的粘結(jié)劑504，而是粘結(jié)劑504的被硬化的部分直接橫向地連接到有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300 上。
[0118]此外，在不同的實(shí)施例中能夠提出，邊緣區(qū)域部分地或完全地也在有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300之上進(jìn)而在光電子器件500的有源區(qū)域之上延伸，其中然而有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300之上的進(jìn)而光電子器件500的有源區(qū)域之上的內(nèi)部區(qū)域具有粘結(jié)劑504，所述粘結(jié)劑的粘度保持基本上不變進(jìn)而還保持為液態(tài)地、例如明膠狀地或膠凍狀地構(gòu)成。
[0119]因此，直觀地在不同的實(shí)施例中，粘結(jié)劑504即整面地施加到載體502和/或有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300和/或覆蓋件506上，然而例如光電子器件500的邊緣區(qū)域、例如邊緣區(qū)域510的之上的(例如光電子器件500的有源面之外的)粘結(jié)劑504的僅一個(gè)子區(qū)域被硬化，例如曝光，例如借助于UV光曝光。然而，也能夠?qū)⑵渌ㄩL范圍中的光，例如將還更小波長的光用于硬化粘結(jié)劑504。應(yīng)當(dāng)指出的是，在替選的實(shí)施例中，同樣能夠使用其他方法用于在子區(qū)域中硬化粘結(jié)劑504，例如借助于電熱源(未示出)局部地加熱。通過僅在襯底或有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300之上的子區(qū)域中局部地硬化粘結(jié)劑，粘結(jié)劑504保持其在粘結(jié)劑504被硬化的、在例如光電子器件500的有源區(qū)域中的子區(qū)域之外的明膠式或膠凍式的稠度。
[0120]直觀地，圖5示出光電子器件500，例如0LED500，具有在光電子器件500、例如0LED500的有源區(qū)域中的未被硬化的粘結(jié)劑和玻璃疊層。在粘結(jié)劑504的邊緣區(qū)域中，粘結(jié)劑504被硬化進(jìn)而建立載體502和覆蓋件506、例如覆蓋玻璃506之間的(粘結(jié))連接。因此，防止覆蓋件506、例如覆蓋玻璃506相對(duì)于載體502滑落。
[0121]存在于粘結(jié)劑504中的、或已經(jīng)在有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300的各個(gè)層的蒸鍍期間被引入到有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300中的顆粒802，現(xiàn)在根據(jù)不同的實(shí)施例不再被壓入到有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300中或從中抽出。
[0122]圖8A至SC示出原理橫截面視圖，借助于所述原理橫截面視圖示出根據(jù)不同的實(shí)施例的具有僅在子區(qū)域中硬化的粘結(jié)劑的光電子器件的疊層。如在圖8A的第一視圖800中示出，為了局部地硬化粘結(jié)劑504，將粘結(jié)劑504整面地施加到有機(jī)發(fā)光二級(jí)管100、200,300上，并且僅在子區(qū)域中整面地硬化，例如用紫外輻射來曝光(見圖SB中的第二視圖810)，其中在圖SB中示出的子區(qū)域不被硬化進(jìn)而其粘度保持基本上不變(在圖SB中用812標(biāo)出)。在所述過程中，使粘結(jié)劑504例如在被曝光的子區(qū)域中聚合。在此，粘結(jié)劑504通常在被曝光的子區(qū)域中收縮幾個(gè)百分比或根據(jù)所使用的粘結(jié)劑504相應(yīng)地膨脹。因?yàn)檎辰Y(jié)劑504的在圖SB中示出的區(qū)域812然而不被硬化，所以在此區(qū)域中相對(duì)于常規(guī)的處理方式不產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力或至少僅產(chǎn)生降低的機(jī)械應(yīng)力。因此，嵌入的顆粒802同樣不承受機(jī)械應(yīng)力或僅承受降低的機(jī)械應(yīng)力。在有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300運(yùn)行時(shí)，僅對(duì)于顆粒802從有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300中被抽出的情況，粘結(jié)劑504的仍為液態(tài)的部分812能夠流入所形成的材料空隙中(也稱為缺陷部位822，見圖SC中的第三視圖820)并且填充所述材料空隙。因?yàn)椋辰Y(jié)劑504在不同的實(shí)施例中電絕緣地構(gòu)成，所以粘結(jié)劑504直觀地將缺陷部位822困住或隔離。在其周圍形成一種場(chǎng)地(Hof)，其中存在較少的粘結(jié)劑材料。
[0123]通過在光電子器件的內(nèi)部區(qū)域510中的、例如在有源區(qū)域中的液態(tài)的、例如明膠狀的或膠凍狀的介質(zhì)，能夠?qū)⒃谝呀?jīng)存在的熱點(diǎn)處形成的熱量更好地向外導(dǎo)出，因?yàn)榻橘|(zhì)是可運(yùn)動(dòng)的(液態(tài)的)進(jìn)而能夠進(jìn)行更好的熱交換(可能地也通過對(duì)流)。此外，根據(jù)不同的實(shí)施例，能夠防止覆蓋件506、例如也稱為覆蓋玻璃506的玻璃覆蓋件506在短路部位處脫層，這在硬化的粘結(jié)劑504中通常通過材料在短路部位處突然地蒸發(fā)而引起。根據(jù)不同的實(shí)施例，脫層的區(qū)域(顯著)大于原本的短路區(qū)域。這例如在透明的器件中具有的缺點(diǎn)是，這種脫層部位不僅在斷開的狀態(tài)下對(duì)光電子器件的、例如OLED的外觀產(chǎn)生負(fù)面影響或在接通的狀態(tài)下造成大面積的不發(fā)光的區(qū)域(例如在若干cm2的區(qū)域中)。
[0124]圖9示出根據(jù)不同的實(shí)施例的具有覆蓋件的光電子器件900的橫截面視圖；以及圖10示出根據(jù)圖9的光電子器件的俯視圖。
[0125]在不同的實(shí)施例中，能夠提出，不僅使用一個(gè)粘結(jié)劑504，而是使用例如具有彼此不同的粘度的多種不同的粘結(jié)劑902、904。在不同的實(shí)施例中，粘結(jié)劑902、904能夠具有不同的硬化特性，使得所述粘結(jié)劑是可選地能硬化的；因此，第一粘結(jié)劑902在用一個(gè)波長或能量的光輻照時(shí)已經(jīng)能夠硬化，其中第二粘結(jié)劑904還未硬化。因此，第一粘結(jié)劑902例如(僅在沒有曝光掩模的情況下)能夠被硬化，并且第二粘結(jié)劑904的粘度保持基本上不變，然而無論如何還未完全地被硬化。在不同的實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑902設(shè)置在載體502之上的子區(qū)域中，例如設(shè)置在載體502或覆蓋件506的邊緣區(qū)域中并且例如橫向地包圍第二粘結(jié)劑904，使得硬化的第一粘結(jié)劑902直觀地形成用于容納(不(完全地)硬化的)第二粘結(jié)劑904的容納區(qū)域。應(yīng)當(dāng)指出的是，在一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案中，第一粘結(jié)劑902的僅一部分也能夠完全地被硬化和/或第二粘結(jié)劑904的一部分也能夠完全地被硬化。
[0126]在不同的實(shí)施例中，第一粘結(jié)劑902能夠具有一種或多種下述材料或由其構(gòu)成:聚合物材料，其例如由環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯、含氟聚合物、全氟聚合物、PFPE-(甲基)丙烯酸酯、硅樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、MMA+PMMA、乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)、聚酯、聚氨酯等組成。此外，在不同的實(shí)施例中，第二粘結(jié)劑904能夠具有一種或多種下述材料或由其構(gòu)成:聚合物材料，其例如由環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯、含氟聚合物、全氟聚合物、PFPE-(甲基)丙烯酸酯、硅樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、MMA+PMMA、乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)、聚酯、聚氨酯等組成。
[0127]因此，在不同的實(shí)施例中，能夠?qū)⒂糜诶缭诠怆娮悠骷倪吘壧幍恼辰Y(jié)區(qū)域的和在光電子器件的內(nèi)部區(qū)域中的、例如在光電子器件的有源區(qū)域中的作為“填充材料”的不同的材料(例如不同的粘結(jié)劑)相互組合。因此，第一粘結(jié)劑902例如能夠在邊緣處通過分散工藝構(gòu)成，并且第二粘結(jié)劑904例如能夠以不同的粘度，例如借助于印刷工藝施加在光電子器件的內(nèi)部區(qū)域中，例如在光電子器件的有源區(qū)域中。
[0128]替選地，代替第二粘結(jié)劑904能夠設(shè)有另一液態(tài)的、例如明膠狀或膠凍狀的材料，例如，在光電子器件的內(nèi)部區(qū)域中，例如在光電子器件的有源區(qū)域中，例如以被第一粘結(jié)劑902包圍的方式設(shè)有凝膠，通常是液體、油、硅樹脂等。
[0129]因此，在光電子器件的內(nèi)部區(qū)域中，例如在光電子器件的有源區(qū)域中，能夠引入能夠不借助于光(例如不借助于UV光)，通常不以第一粘結(jié)劑902硬化的方式來硬化的材料，由此阻止在之后的運(yùn)行中的第二粘結(jié)劑904的或替選于此設(shè)有的液態(tài)材料的之后的硬化。
[0130]在不同的實(shí)施例中，在內(nèi)部區(qū)域中，通常在粘結(jié)劑504、902被硬化或是硬化的子區(qū)域之外，例如在有源區(qū)域中，以適當(dāng)?shù)姆绞皆O(shè)有散射顆?；蛏⑸洳牧?。然后，在不同的實(shí)施例中，在邊緣區(qū)域處借助于硬化的粘結(jié)劑504、902、直觀地通過所形成的粘結(jié)邊緣進(jìn)行覆蓋件506的固定。通過散射顆粒能夠?qū)⒐庠谒鰧又畠?nèi)散射，進(jìn)而能夠?qū)⑺龉飧行У芈视砗陷敵?。[0131]此外，在不同的實(shí)施例中提出，在光電子器件的內(nèi)部區(qū)域中，例如在光電子器件的有源區(qū)域中使用具有更低的折射率的液體，例如油，或硅樹脂等。在不同的實(shí)施例中，結(jié)合以特殊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的覆蓋件，例如以特殊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的覆蓋玻璃，能夠以這種方式改變并且例如有針對(duì)性地調(diào)節(jié)光電子器件的、例如OLED的放射輪廓線。在此，以特殊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的覆蓋件，例如以特殊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的覆蓋玻璃能夠具有比液體，例如油，或硅樹脂等更高的折射率。
[0132]圖1lA和圖1lB示出根據(jù)不同的實(shí)施例的光電子器件1100的橫截面視圖(圖11A)并且以第一圖表1150示出相應(yīng)的放射輪廓線1152 (圖11B)。光電子器件1100類似于根據(jù)圖5的光電子器件500或類似于根據(jù)圖9的光電子器件900，因此在下文中僅闡述一些不同之處。鑒于其余特征的方面，參考根據(jù)圖5的光電子器件500的或根據(jù)圖9的光電子器件900的實(shí)施方案。如在圖1lA中示出，覆蓋件506的、例如覆蓋玻璃506的或覆蓋薄膜506的露出的表面1102例如具有透鏡結(jié)構(gòu)1104。此外，在內(nèi)部區(qū)域中的材料具有的折射率小于覆蓋件506的材料的折射率。這造成放射輪廓線1152變窄，如圖1lB中所示出。
[0133]圖12A和圖12B示出根據(jù)不同的實(shí)施例的光電子器件1200的橫截面視圖(圖12A)和以第二圖表1250示出的相應(yīng)的放射輪廓線1252(圖12B)。光電子器件1200類似于根據(jù)圖5的光電子器件500和根據(jù)圖9的光電子器件900，因此在下文中僅闡述一些不同之處。鑒于其余特征的方面，參考根據(jù)圖5的光電子器件500的或根據(jù)圖9的光電子器件900的實(shí)施方案。如在圖12A中示出的，覆蓋件506的、例如覆蓋玻璃506的或覆蓋薄膜506的朝粘結(jié)劑504、904定向的表面1202例如具有透鏡結(jié)構(gòu)1204。此外，在內(nèi)部區(qū)域中的材料具有的折射率小于覆蓋件506的材料的折射率。這引起所謂的“蝠翼型”放射輪廓線1252，如在圖12B中所示出。
[0134]因此，直觀地在不同的實(shí)施例中，在用于光電子器件、例如OLED的射束成形的內(nèi)部區(qū)域中使用更低折射率的粘結(jié)材料或相應(yīng)更低折射率的液體。
[0135]此外，在不同的實(shí)施例中能夠提出，將導(dǎo)熱的顆粒例如玻璃或石墨顆粒引入到未硬化的粘結(jié)劑或液體中，例如油，或硅樹脂等中，因此能夠進(jìn)一步提高層的導(dǎo)熱性，這能夠引起光電子器件、例如有機(jī)發(fā)光二極管100、200、300的有源層的更好的散熱。
[0136]在不同的實(shí)施例中，以常規(guī)的方法造成短路的熱點(diǎn)能夠被減少或減少其作用。甚至在不同的實(shí)施例中，能夠檢測(cè)到未必引起光電子器件失效的熱點(diǎn)。這能夠引起在制造這種光電子器件、例如OLED時(shí)的總產(chǎn)量的改進(jìn)進(jìn)而引起制造成本的潛在的降低。
[0137]此外，通過不同的實(shí)施例能夠降低HIL層厚度，由此通過降低材料消耗得出成本節(jié)約。
[0138]在不同的實(shí)施例中，在光學(xué)透明的OLED構(gòu)件中，HIL層厚度的減少具有對(duì)于透明度的正面影響，因?yàn)橛捎诟偷目倢雍穸饶軌蚪档驮贠LED之內(nèi)的吸收，并且透明度能夠移入到酒精效應(yīng)的第一寬的最大值中。
[0139]根據(jù)不同的實(shí)施例，有機(jī)光電子器件的、例如OLED的有機(jī)層在有源面中不由UV光損壞，這能夠引起有機(jī)光電子器件的、例如OLED的老化特性的改進(jìn)。
[0140]通過在根據(jù)不同的實(shí)施例的光電子器件的、例如發(fā)光二極管的、例如OLED的有源區(qū)域中使用具有更好導(dǎo)熱性的材料，能夠使亮度分布均勻化；此外能夠改進(jìn)在大面積的構(gòu)件中的亮度時(shí)效。[0141]通過在根據(jù)不同的實(shí)施例的光電子器件、例如發(fā)光二極管、例如OLED的有源區(qū)域之內(nèi)引入適合的散射層，例如在頂部發(fā)射的OLED中能夠改進(jìn)耦合輸出。但是在透明的OLED中，在不同的實(shí)施例中提出，引入由眼睛還不能感受到的散射顆粒的小的濃度。
[0142]根據(jù)不同的實(shí)施例，通過使用具有特殊的折射率的液體/油/硅樹脂等并且與具有特殊結(jié)構(gòu)的覆蓋玻璃/薄膜結(jié)合此外可行的是，對(duì)光電子器件的、例如發(fā)光二極管的、例如OLED的放射特性產(chǎn)生影響。
[0143]如上文所描述的，根據(jù)不同的實(shí)施例，在一方面對(duì)于在光電子器件的邊緣處的或在覆蓋件506的邊緣處的粘結(jié)劑和另一方面對(duì)于在光電子器件的內(nèi)部區(qū)域中的、例如在光電子器件的有源區(qū)域中的介質(zhì)使用兩種不同的材料時(shí)，能夠?qū)⒐鈱W(xué)凝膠用作介質(zhì)。為此，在不同的實(shí)施例中例如能夠?qū)⒂∷⒐に?例如利用模板或刮板等)用于在光電子器件的內(nèi)部區(qū)域中的、例如有源區(qū)域中的介質(zhì)，并且在邊緣處將分散工藝用于粘結(jié)劑504。
[0144]在不同的實(shí)施例中，如上面已經(jīng)描述的，將液體或凝膠設(shè)作介質(zhì)以用于改進(jìn)光學(xué)耦合輸出或用于避免短路。此外，能夠使用改進(jìn)導(dǎo)熱率進(jìn)而提高光電子器件的、例如OLED的使用壽命的材料。
[0145]圖13示出流程圖1300，其中示出用于制造根據(jù)不同的實(shí)施例的光電子器件的方法。
[0146]所述方法能夠具有:在1302中，將覆蓋件借助于至少一個(gè)粘結(jié)劑施加到光電子器件的層上。在此，例如能夠首先將粘結(jié)劑施加到覆蓋件的表面上，并且然后能夠?qū)⒏采w件借助于粘結(jié)劑以朝載體定向的方式施加到光電子器件(例如在前端制程工藝中制成的發(fā)光二極管，例如有機(jī)發(fā)光二極管)的層和載體上。替選地，首先能夠?qū)⒄辰Y(jié)劑施加到光電子器件(例如在前端制程工藝中制成的發(fā)光二極管，例如有機(jī)發(fā)光二極管)的層和載體上，然后能夠?qū)⒏采w件施加到粘結(jié)劑上。
[0147]此外，所述方法能夠具有:在1304中，將至少一個(gè)粘結(jié)劑的粘度僅在光電子器件的襯底之上的和/或在層之上的子區(qū)域中改變。
[0148]在不同的實(shí)施例中，能夠借助于光輻照來改變粘度。在不同的實(shí)施例中，能夠借助于紫外光輻照來進(jìn)行光輻照。
【權(quán)利要求】
1.一種光電子器件(500)，具有: -所述光電子器件(500)的至少一個(gè)層(100，200，300)； -在所述光電子器件(500)的所述層(100，200，300)上的至少一個(gè)粘結(jié)劑(504);和 -在至少一個(gè)所述粘結(jié)劑(504)上的覆蓋件(506)； -其中至少一個(gè)所述粘結(jié)劑(504)的僅在襯底(502)之上和/或所述層(100，200，300)之上的子區(qū)域(508)中硬化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件(500)， 其中所述子區(qū)域(508)具有至少一個(gè)所述粘結(jié)劑(504)的邊緣區(qū)域(508)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電子器件(500)， 其中所述邊緣區(qū)域(508)是至少一個(gè)所述粘結(jié)劑(504)的環(huán)周結(jié)構(gòu)(508)的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(500)， 其中所述子區(qū)域(508)至少部分地橫向地設(shè)置在所述光電子器件(500)的有源區(qū)域之外。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(500)， 其中至少一個(gè)所述粘結(jié)劑(504)具有不同粘度的多種粘結(jié)劑。`
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(500)， 其中所述子區(qū)域(508)至少部分地包圍設(shè)有液態(tài)的非粘性的材料或液態(tài)的粘結(jié)劑的區(qū)域(510)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(500)， 其中在所述粘結(jié)劑(504)中設(shè)有微粒，所述微粒具有與所述粘結(jié)劑(504)不同的折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(500)， 其中所述粘結(jié)劑(504)具有比所述覆蓋件(506)更低的折射率。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(500)， 其中在所述覆蓋件(506)的至少一個(gè)表面上設(shè)有光學(xué)折射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(500)， 所述光電子器件設(shè)立為發(fā)光二極管。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光電子器件(500)， 所述光電子器件設(shè)立為有機(jī)發(fā)光二極管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(500)， 其中所述層(100，200，300 )具有所述光電子器件(500 )的封裝層或由其構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(500)， 其中所述覆蓋件具有玻璃或薄膜或由玻璃或薄膜構(gòu)成。
14.一種用于制造光電子器件(500)的方法，其中所述方法具有: -借助于至少一個(gè)粘結(jié)劑(504)將覆蓋件施加到所述光電子器件(500)的層(100，200，300)上；以及 -僅在所述光電子器件(500)的襯底(502)之上的和/或在所述層(100，200，300)之上的子區(qū)域(508)中改變至少一個(gè)粘結(jié)劑(504)的粘度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中借助于光輻照來改變所述粘度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15 所述的方法，其中借助于紫外光輻照來進(jìn)行所述光輻照。
【文檔編號(hào)】H01L51/44GK103563116SQ201280026783
【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月31日
【發(fā)明者】迪爾克·貝克, 埃爾溫·蘭, 丹尼爾·斯特芬·塞茨 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司