技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種去除SiC外延晶片金屬污染或殘留的清洗方法，其包括以下步驟：a、將SiC外延晶片置于加熱的由硫酸與雙氧水混合形成的混合洗液中浸泡；b、用去離子水沖洗SiC外延晶片表面，然后置于丙酮中超聲波清洗；c、用去離子水沖洗SiC外延晶片表面，然后置于加熱的由氨水、雙氧水、去離子水混合形成的混合洗液中浸泡；d、用去離子水沖洗SiC外延晶片表面，然后置于加熱的由鹽酸、雙氧水、去離子水混合形成的混合洗液中浸泡；e、依次用臭氧水、氨水、高純氮加去離子水分別沖洗SiC外延晶片表面；f、依次用臭氧水、氫氟酸溶液、臭氧水分別沖洗SiC外延晶片表面；g、用去離子水沖洗SiC外延晶片表面，高速旋轉(zhuǎn)甩干。

技術(shù)研發(fā)人員：劉丹;孫國勝;孔令沂;張新河;韓景瑞;李錫光;蕭黎鑫
受保護的技術(shù)使用者：東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司
文檔號碼：201710120161
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.02
技術(shù)公布日：2017.06.30