技術(shù)編號(hào):12788033
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。:本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特指一種去除SiC外延晶片金屬污染或殘留的清洗方法。背景技術(shù):碳化硅(SiC)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,SiC是一種性能優(yōu)異的新一代(第三代)寬禁帶半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,也是目前晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造水平最成熟、應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,是高溫、高頻、抗輻照、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。SiC半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),特別適合制作大功率、高壓、高溫、抗輻照電子器件。由于SiC功率...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。