1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板、依次位于所述襯底基板上的第一絕緣層和薄膜晶體管，所述第一絕緣層包括具有吸光作用的有色區(qū)域，所述有色區(qū)域在襯底基板上的正投影至少覆蓋所述薄膜晶體管的有源層在襯底基板上的正投影區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層的有色區(qū)域可以吸收波長(zhǎng)范圍在200-500nm的可見光。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層的有色區(qū)域的材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其中至少兩種的混合與金屬離子的摻雜物。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，其中，所述氧化物、氮化物或者氮氧化物包括SiOx、SiOxNy、SiNx、Al2O3、AlOxNy、AlNx；
所述摻雜的金屬離子包括Cu+、Au2+、Mn2+、Cd2+、Fe2+、Co3+、Cr3+、Fe3+或其中至少兩種的混合。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬離子摻雜比例為1-100％。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬離子摻雜比例為20-60％。
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，包括依次設(shè)置的有源層、柵絕緣層、柵極、第二絕緣層以及源漏電極層，所述源漏電極層通過貫穿所述第二絕緣層的過孔與所述有源層電性連接。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
9.一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上依次形成第一絕緣層和薄膜晶體管，其特征在于，還包括：
形成具有吸光作用的第一絕緣層有色區(qū)域，且所述有色區(qū)域在襯底基板上的正投影至少覆蓋所述薄膜晶體管的有源層在襯底基板上的正投影。
10.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣層的有色區(qū)域的由氧化物、氮化物、氮氧化物或其中至少兩種的混合摻雜金屬離子形成。