本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種雙芯片垂直并聯(lián)方式的二極體封裝結(jié)構(gòu)和制造方法。

背景技術(shù)：

受封裝外形尺寸的限制，在一定的封裝尺寸內(nèi)能夠封入的芯片面積最大值是一定的。為了在一定的封裝外形尺寸內(nèi)，使TVS等二極體器件實(shí)現(xiàn)更大的電流能力和功率能力，目前在TVS等二極體器件的制造中有人采用芯片串聯(lián)的方法，但這種方法存在兩個(gè)弊端：其一，對(duì)于TVS器件來(lái)說(shuō)，必須采用兩個(gè)半額定電壓值的芯片串聯(lián)，對(duì)于額定電壓值≤12V的低電壓TVS器件是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，原因是低電壓TVS芯片當(dāng)電壓≤6V時(shí)、其漏電流特別大；其二，對(duì)于整流二極管來(lái)說(shuō)，兩個(gè)芯片串聯(lián)增加了正向壓降值，在使用時(shí)增加了功耗和器件的發(fā)熱量。面對(duì)小型化器件提高電流能力和功率能力的市場(chǎng)需求，急需新的方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種雙芯片垂直并聯(lián)方式的二極體封裝結(jié)構(gòu)，可在小型化封裝的尺寸之內(nèi)，提高器件的電流能力和功率能力。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種雙芯片垂直并聯(lián)方式的二極體封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架, 由外引線A、外引線B和載片臺(tái)組成，所述外引線A和外引線B上面均設(shè)有向上的定位臺(tái)階，所述外引線A與載片臺(tái)為一體，所述載片臺(tái)頂面設(shè)有凸臺(tái)；

內(nèi)引線A，由底面設(shè)有凸臺(tái)的電極片和側(cè)面向下折彎90o的焊接臂構(gòu)成，所述焊接臂的底面焊接于外引線A的定位臺(tái)階之間；

內(nèi)引線B，由電極片和側(cè)面向下折彎90o的焊接臂構(gòu)成，所述焊接臂的底面焊接于外引線B的定位臺(tái)階之間；

第一芯片,其陽(yáng)極面與內(nèi)引線A底面的凸臺(tái)焊接在一起，其陰極面與內(nèi)引線B的電極片頂面焊接在一起；

第二芯片，其陰極面與內(nèi)引線B的電極片底面焊接在一起，其陽(yáng)極面與載片臺(tái)頂面的凸臺(tái)焊接在一起。

所述第一芯片和第二芯片是兩個(gè)具有相同功能和尺寸的TVS、半導(dǎo)體放電管或二極管芯片。

本發(fā)明還提供了上述雙芯片垂直并聯(lián)方式的二極體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟：

（1）將兩個(gè)內(nèi)引線與兩個(gè)芯片焊接成為一個(gè)組件：a、將內(nèi)引線A倒裝入石墨模具的定位孔中，b、將焊片一裝填入石墨模具的定位孔中，c、按陽(yáng)極面朝下的方向?qū)⒌谝恍酒b填入石墨模具的定位孔中，d、將焊片二裝填入石墨模具的定位孔中，e、將內(nèi)引線B倒裝入石墨模具的定位孔中，f、將焊片三裝填入石墨模具的定位孔中，g、按陰極面朝下的方向?qū)⒌诙酒b填入石墨模具的定位孔中，h、將裝配好的組件放置真空爐內(nèi)燒結(jié)；

（2）燒結(jié)完成后將組件的底面粘貼到一個(gè)帶有繃環(huán)的藍(lán)膜上；

（3）利用自動(dòng)焊接成套設(shè)備，將組件焊接在引線框架上：a、自動(dòng)焊接成套設(shè)備先在引線框架的外引線A、外引線B的定位臺(tái)階和載片臺(tái)上涂覆焊錫膏，b、吸取步驟（2）中藍(lán)膜上的組件，c、將組件放置于引線框架上的焊錫膏上進(jìn)行燒結(jié)；

（4）燒結(jié)完成后，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行包封、后固化、去塑料毛刺、切筋、鍍錫、測(cè)試、印字、編帶、檢驗(yàn)、入成品庫(kù)。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：用兩個(gè)相同額定電壓值的TVS等二極體芯片，采用垂直并聯(lián)方式的封裝結(jié)構(gòu)和制造方法，達(dá)到了提高器件電流能力和功率能力的效果。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明中引線框架的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明中內(nèi)引線A的立體圖；

圖4為本發(fā)明中內(nèi)引線A的主視圖；

圖5為本發(fā)明中內(nèi)引線B的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明中芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中，1、引線框架，11、外引線A，12、外引線B，13、載片臺(tái)，14、定位臺(tái)階，2、內(nèi)引線A，3、焊接臂，4、電極片，5、凸臺(tái)，6、內(nèi)引線B，7、第一芯片，8、第二芯片。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的說(shuō)明，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此。

如圖1至圖6所示，一種雙芯片垂直并聯(lián)方式的二極體封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架1，由外引線A 11、外引線B 12和載片臺(tái)13組成，外引線A 11和外引線B 12上面均設(shè)有向上的定位臺(tái)階14，外引線A 11與載片臺(tái)13為一體，載片臺(tái)13頂面設(shè)有凸臺(tái)5；

內(nèi)引線A 2，由底面設(shè)有凸臺(tái)5的電極片4和側(cè)面向下折彎90o的焊接臂3構(gòu)成，焊接臂3的底面焊接于外引線A 11的定位臺(tái)階14之間；

內(nèi)引線B 6，由電極片4和側(cè)面向下折彎90o的焊接臂3構(gòu)成，焊接臂3的底面焊接于外引線B 12的定位臺(tái)階14之間；

第一芯片7，其陽(yáng)極面與內(nèi)引線A 2底面的凸臺(tái)5焊接在一起，其陰極面與內(nèi)引線B 6的電極片4頂面焊接在一起；

第二芯片8，其陰極面與內(nèi)引線B 6的電極片4底面焊接在一起，其陽(yáng)極面與載片臺(tái)13頂面的凸臺(tái)5焊接在一起。于此，便實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)芯片沿垂直方向上的并聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)。

其中，第一芯片7和第二芯片8是兩個(gè)具有相同功能和尺寸的TVS、半導(dǎo)體放電管或二極管芯片。

本發(fā)明還提供了上述雙芯片垂直并聯(lián)方式的二極體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟：

（1）將兩個(gè)內(nèi)引線與兩個(gè)芯片焊接成為一個(gè)組件：a、將內(nèi)引線A倒裝入石墨模具的定位孔中，b、將焊片一裝填入石墨模具的定位孔中，放置在內(nèi)引線A的電極片的底面凸臺(tái)上，c、按陽(yáng)極面朝下的方向?qū)⒌谝恍酒b填入石墨模具的定位孔中，d、將焊片二裝填入石墨模具的定位孔中，放置在第一芯片的陰極面上，e、將內(nèi)引線B倒裝入石墨模具的定位孔中，f、將焊片三裝填入石墨模具的定位孔中，g、按陰極面朝下的方向?qū)⒌诙酒b填入石墨模具的定位孔中，放置在內(nèi)引線B的電極片底面上，組件裝配完成，h、將裝配好的組件放置真空爐內(nèi)進(jìn)行燒結(jié)；

（2）燒結(jié)完成后出將組件的底面粘貼到一個(gè)帶有繃環(huán)的藍(lán)膜上；

（3）利用自動(dòng)焊接成套設(shè)備，將組件焊接在引線框架上：a、自動(dòng)焊接成套設(shè)備先在引線框架的外引線A、外引線B的定位臺(tái)階上涂覆定量的焊錫膏，再在載片臺(tái)上涂覆定量焊錫膏，b、吸取步驟（2）中藍(lán)膜上的組件，c、將組件的內(nèi)引線A的焊接臂對(duì)準(zhǔn)外引線A的定位臺(tái)階，將組件的內(nèi)引線B的焊接臂對(duì)準(zhǔn)外引線B的定位臺(tái)階，第二芯片放置在載片臺(tái)上，完成組件裝配到引線框架上后進(jìn)燒結(jié)爐進(jìn)行燒結(jié)；

（4）燒結(jié)完成后，然后對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行包封、后固化、去塑料毛刺、切筋、鍍錫、測(cè)試，印字、編帶、檢驗(yàn)、入成品庫(kù)。