技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種變摻雜變組分AlGaN/GaN中子探測器，為PIN結(jié)構(gòu)，以自支撐n型GaN作為襯底，在襯底上利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)順序生長變摻雜變組分n型AlGaN層、未摻雜GaN層和p型GaN層；在p型GaN和n型襯底上沉積金屬并做退火處理形成歐姆接觸電極；在p型GaN層上沉積10BC4或6LiF作為中子轉(zhuǎn)換層。AlGaN/GaN變摻雜變組分結(jié)構(gòu)內(nèi)部具有內(nèi)建電場，當(dāng)中子照射到10BC4或6LiF后發(fā)生核反應(yīng)產(chǎn)生α粒子，α粒子電離AlGaN/GaN產(chǎn)生電子空穴對，該電場驅(qū)動電子、空穴分別向n型和p型電極兩端定向運(yùn)動，有利于收集效率的提高和漏電流的減小，從而提高了中子探測器的靈敏度以及探測效率。

技術(shù)研發(fā)人員：湯彬;朱志甫;鄒繼軍;王盛茂;鄧文娟;彭新村
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東華理工大學(xué)
文檔號碼：201710095598
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.22
技術(shù)公布日：2017.05.24