1.一種變摻雜變組分AlGaN/GaN中子探測(cè)器，其特征在于：該探測(cè)器為PIN結(jié)構(gòu)，以自支撐n型GaN作為襯底，在襯底上利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)順序生長(zhǎng)變摻雜變組分n型AlGaN N層、未摻雜GaN I層、p型GaN P層；利用電子束蒸發(fā)設(shè)備在p型GaN層和n型襯底層分別沉積多層金屬并退火處理分別形成p型和n型歐姆接觸電極，而后利用光刻及磁控濺射技術(shù)在p型電極上濺射10BC4形成中子轉(zhuǎn)換層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變摻雜變組分AlGaN/GaN中子探測(cè)器，其制備步驟如下：
1）選取自支撐n型GaN材料做襯底，要求其位錯(cuò)密度低于106cm-2，并且均勻性好，晶向?yàn)镚a面（1-110），雙面拋光，n型摻雜濃度為5～10×1018cm-3，厚度為150～200μm；
2）在步驟1）中獲得的n型GaN襯底上，外延生長(zhǎng)Si摻雜n型變摻雜變組分AlGaN/GaN PIN結(jié)構(gòu)中的N層，N層厚度為4～8μm，從襯底往外生長(zhǎng)時(shí)，n型摻雜濃度由1～10×1018cm-3按指數(shù)遞減至5～10×1016cm-3，Al組分由0.2～0.3線性遞減至0；
3）在步驟2）中獲得的N層上繼續(xù)外延生長(zhǎng)厚度為1～3μm的未摻雜的GaN作為PIN結(jié)構(gòu)中的I層；
4）在步驟3）中獲得的I層上繼續(xù)外延生長(zhǎng)Mg摻雜厚度為100～500nm的GaN作為PIN結(jié)構(gòu)中的P層，其摻雜濃度為1～5×1019cm-3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1變摻雜變組分AlGaN/GaN中子探測(cè)器，其特征在于：所述的p型歐姆接觸電極，在步驟4）中獲得的p型GaN層上，沉積Ni/Au作為歐姆接觸金屬，其中Ni的厚度為10～20nm，Au的厚度為50～100nm，而后進(jìn)行歐姆接觸電極退火處理，退火溫度為450～550℃，退火時(shí)間為600～900s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1變摻雜變組分AlGaN/GaN中子探測(cè)器，其特征在于：所述的n型歐姆接觸電極，在n型襯底上，沉積Ti/Al/Ni/Au作為歐姆接觸金屬，其中Ti的厚度為10～20nm，Al的厚度為30～50nm，Ni的厚度為20～40nm，Au的厚度為50～100nm，而后進(jìn)行歐姆接觸電極退火處理，退火溫度為550～650℃，退火時(shí)間為400～600s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1變摻雜變組分AlGaN/GaN中子探測(cè)器，其特征在于：所述的中子轉(zhuǎn)換層，中子轉(zhuǎn)換材料為10B4C或6LiF，厚度為4～6μm；沉積轉(zhuǎn)換層時(shí)腔體的本底真空為1～5×10-5 Pa , 工作壓力為1～3Pa，氬氣流量為5～20sccm，射頻源為100～300W，濺射時(shí)間為2000～3000s，反濺偏壓為50～150V。