技術(shù)編號(hào)：12066094
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及核輻射探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種變摻雜變組分AlGaN/GaN中子探測(cè)器。背景技術(shù)中子探測(cè)器是中子探測(cè)的核心部件?；诎雽?dǎo)體的中子探測(cè)器具有功耗低、線性響應(yīng)范圍寬、響應(yīng)時(shí)間快、n/γ分辨率好、體積小、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn)，特別是基于寬帶隙半導(dǎo)體材料的中子探測(cè)器，可以在許多應(yīng)用領(lǐng)域替代3He正比計(jì)數(shù)管、BF3正比計(jì)數(shù)管和閃爍體探測(cè)器。GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)。隨著GaN材料的日益成熟，具有耐高溫、耐輻照的GaN核輻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。