1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
一絕緣層，設(shè)置于一基底上，其中該絕緣層具有一中心區(qū)域；
一第一繞線部及與其電性連接的一第二繞線部，設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的一第一層位且圍繞該中心區(qū)域，其中該第一繞線部及該第二繞線部各自包括由內(nèi)向外排列的多個(gè)導(dǎo)線層；
一第一延伸導(dǎo)線層及局部圍繞該第一延伸導(dǎo)線層的一第二延伸導(dǎo)線層，設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的該第一層位，其中該第一繞線部及該第二繞線部圍繞該第一延伸導(dǎo)線層及該第二延伸導(dǎo)線層；以及
一第三延伸導(dǎo)線層，設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的一第二層位并圍繞該中心區(qū)域；
其中，所述延伸導(dǎo)線層及所述導(dǎo)線層具有一第一端及一第二端，該第一延伸導(dǎo)線層的該第一端及該第二端分別耦接至該第二繞線部的所述導(dǎo)線層中最內(nèi)側(cè)的導(dǎo)線層的該第一端及該第三延伸導(dǎo)線層的該第一端，而該第二延伸導(dǎo)線層的該第一端及該第二端分別耦接至該第一繞線部的所述導(dǎo)線層中最內(nèi)側(cè)的導(dǎo)線層的該第一端及該第三延伸導(dǎo)線層的該第二端，且該第一延伸導(dǎo)線層及與其耦接的該第三延伸導(dǎo)線層構(gòu)成螺旋型或一渦漩型的空間配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，由內(nèi)向外排列的所述導(dǎo)線層依序包括一第一導(dǎo)線層、一第二導(dǎo)線層、一第三導(dǎo)線層及一第四導(dǎo)線層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第四導(dǎo)線層沿該第三延伸導(dǎo)線層延伸且與該第三延伸導(dǎo)線層重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第四導(dǎo)線層沿該第三延伸導(dǎo)線層延伸，且每一第四導(dǎo)線層的一部分相對(duì)于該第三延伸導(dǎo)線層的一部分橫向偏移。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括一耦接部，設(shè)置于該第一繞線部及該第二繞線部之間的該絕緣層內(nèi)，其中該耦接部包括：
一第一對(duì)連接層，將所述第一導(dǎo)線層的所述第一端分別連接于該第一延伸導(dǎo)線層及該第二延伸導(dǎo)線層的所述第一端；
一第二對(duì)連接層，交錯(cuò)連接所述第二導(dǎo)線層及所述第三導(dǎo)線層的所述第一端；
一第三對(duì)連接層，交錯(cuò)連接所述第一導(dǎo)線層及所述第二導(dǎo)線層的所述第二端；以及
一第四對(duì)連接層，交錯(cuò)連接所述第三導(dǎo)線層及所述第四導(dǎo)線層的所述第二端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：
一第一輸入/輸出部，自該第一繞線部的所述導(dǎo)線層中最外側(cè)的導(dǎo)線層的該第一端向外延伸；
一第二輸入/輸出部，自該第二繞線部的所述導(dǎo)線層中最外側(cè)的導(dǎo)線層的該第一端向外延伸；以及
一第三輸入/輸出部，自該第三延伸導(dǎo)線層向外延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括一多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，位于該絕緣層內(nèi)的該第二層位下方，且通過(guò)至少兩個(gè)導(dǎo)電插塞連接至該第三延伸導(dǎo)線層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括一防護(hù)環(huán)，位于該絕緣層內(nèi)的該第二層位下方的一第三層位，圍繞該第一繞線部及該第二繞線部，且電性連接至該基底。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第三延伸導(dǎo)線層具有圍繞該中心區(qū)域一圈的一連接部，且該連接部的一端為該第三延伸導(dǎo)線層的該第一端。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第三延伸導(dǎo)線層具有圍繞一圈的一連接部，且該連接部的一端為該第三延伸導(dǎo)線層的該第二端。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
一絕緣層，設(shè)置于一基底上，其中該絕緣層具有一中心區(qū)域；
一第一繞線部及與其電性連接的一第二繞線部，設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的一第一層位且圍繞該中心區(qū)域，其中該第一繞線部及該第二繞線部各自包括由內(nèi)向外排列的多個(gè)導(dǎo)線層；
一第一延伸導(dǎo)線層及局部圍繞該第一延伸導(dǎo)線層的一第二延伸導(dǎo)線層，設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的該第一層位，其中該第一繞線部及該第二繞線部圍繞該第一延伸導(dǎo)線層及該第二延伸導(dǎo)線層；以及
一第三延伸導(dǎo)線層，設(shè)置于該絕緣層內(nèi)的一第二層位并圍繞該中心區(qū)域；
其中，所述延伸導(dǎo)線層及所述導(dǎo)線層具有一第一端及一第二端，且該第一延伸導(dǎo)線層的該第一端及該第二端分別耦接至該第一繞線部的所述導(dǎo)線層中最內(nèi)側(cè)的導(dǎo)線層的該第一端及該第三延伸導(dǎo)線層的該第二端，而該第二延伸導(dǎo)線層的該第一端及該第二端分別耦接至該第二繞線部的所述導(dǎo)線層中最內(nèi)側(cè)的導(dǎo)線層的該第一端及該第三延伸導(dǎo)線層的該第一端，且該第一延伸導(dǎo)線層及與其耦接的該第三延伸導(dǎo)線層構(gòu)成螺旋型或一渦漩型的空間配置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，中由內(nèi)向外排列的所述導(dǎo)線層依序包括一第一導(dǎo)線層、一第二導(dǎo)線層、一第三導(dǎo)線層及一第四導(dǎo)線層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第四導(dǎo)線層沿該第三延伸導(dǎo)線層延伸且與該第三延伸導(dǎo)線層重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第四導(dǎo)線層沿該第三延伸導(dǎo)線層延伸，且每一第四導(dǎo)線層的一部分相對(duì)于該第三延伸導(dǎo)線層的一部分橫向偏移。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括一耦接部，設(shè)置于該第一繞線部及該第二繞線部之間的該絕緣層內(nèi)，其中該耦接部包括：
一第一對(duì)連接層，將所述第一導(dǎo)線層的所述第一端分別連接于該第一延伸導(dǎo)線層及該第二延伸導(dǎo)線層的所述第一端；
一第二對(duì)連接層，交錯(cuò)連接所述第二導(dǎo)線層及所述第三導(dǎo)線層的所述第一端；
一第三對(duì)連接層，交錯(cuò)連接所述第一導(dǎo)線層及所述第二導(dǎo)線層的所述第二端；以及
一第四對(duì)連接層，交錯(cuò)連接所述第三導(dǎo)線層及所述第四導(dǎo)線層的所述第二端。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：
一第一輸入/輸出部，自該第一繞線部的所述導(dǎo)線層中最外側(cè)的導(dǎo)線層的該第一端向外延伸；
一第二輸入/輸出部，自該第二繞線部的所述導(dǎo)線層中最外側(cè)的導(dǎo)線層的該第一端向外延伸；以及
一第三輸入/輸出部，自該第三延伸導(dǎo)線層向外延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括一多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，位于該絕緣層內(nèi)的該第二層位下方，且通過(guò)至少兩個(gè)導(dǎo)電插塞連接至該第三延伸導(dǎo)線層。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括一防護(hù)環(huán)，位于該絕緣層內(nèi)的該第二層位下方的一第三層位，圍繞該第一繞線部及該第二繞線部，且電性連接至該基底。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第三延伸導(dǎo)線層具有圍繞該中心區(qū)域一圈的一連接部，且該連接部的一端為該第三延伸導(dǎo)線層的該第二端。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第三延伸導(dǎo)線層具有圍繞一圈的一連接部，且該連接部的一端為該第三延伸導(dǎo)線層的該第一端。