技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜晶體管及其制備方法，該方法包括：在基板上依次沉積緩沖層及遮光層；在遮光層上形成覆蓋遮光層的IGZO層；對(duì)IGZO層進(jìn)行退火處理，以在退火處理過(guò)程中，緩沖層使得部分IGZO層具有導(dǎo)體特性；形成與IGZO層具有導(dǎo)體特性的部分接觸的源極、漏極。通過(guò)這種方式，本發(fā)明不需要為了使IGZO層與源極、漏極接觸的部分具有導(dǎo)體特性而進(jìn)行其他的工藝處理，簡(jiǎn)化了IGZO薄膜晶體管的制備工藝，提高了生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：石龍強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華星光電技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.17
技術(shù)公布日：2017.07.04