本發(fā)明涉及顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示器。

背景技術(shù)：

tft-lcd(薄膜晶體管液晶顯示器)由于具備低功耗、輕薄易用、高亮度、高對比度和高響應速度等眾多優(yōu)點，近年來得到了迅速地發(fā)展，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導地位。在tft中，源漏極通常由電學性能優(yōu)異的金屬層構(gòu)成。但由于金屬層容易氧化的特性，制備源漏極一般采用三層結(jié)構(gòu)，即在金屬層的上下各添加一層保護層，以防止源漏極在tft制備過程中發(fā)生氧化。上述方法雖然可以較好的避免金屬層的氧化，但也會增大源漏極與有源區(qū)的接觸電阻。并且會導致源漏極與光刻膠間的粘附力較差，易發(fā)生光刻膠剝離的現(xiàn)象。如何制備具有抗氧化性、且與光刻膠接觸良好的源漏極薄膜是亟待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示器，提高源漏極的抗氧化性，并且能夠避免源漏極與光刻膠的剝離。

為達上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案。

本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：提供基板；在所述基板上形成柵極層、柵絕緣層和有源層；在所述有源層上沉積金屬層，采用含氟氣體對所述金屬層進行等離子體處理以提高表面粗糙度，對處理后的金屬層進行刻蝕處理，分別形成源極層和漏極層。

其中，所述含氟氣體的成分包括sif4和n2。

其中，所述源極層和所述漏極層分別包括銅、鋁、鎂、銀中的任意一種或其組合。

所述薄膜晶體管的制備方法還包括在形成所述源極層和漏極層之后沉積鈍化絕緣層，并且對所述鈍化絕緣層進行圖案化，然后沉積像素電極層。

本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管，包括：基板；柵極層、柵絕緣層和有源層，形成在所述基板之上；源極層和漏極層，形成在所述有源層之上，其中，所述源極層和漏極層經(jīng)過含氟氣體的等離子體處理。

其中，所述含氟氣體的成分包括sif4和n2。

其中，所述源極層和所述漏極層分別包括銅、鋁、鎂、銀中的任意一種或其組合。

所述的薄膜晶體管還包括形成在所述源極層和漏極層之上的鈍化絕緣層和像素電極層。

本發(fā)明的實施例還提供一種陣列基板，包括如前所述的薄膜晶體管。

本發(fā)明還提供一種顯示器，包括如前所述的陣列基板。

本發(fā)明提供的薄膜晶體管及其制作方法，提高了源漏電極的抗氧化性，源極層和漏極層由傳統(tǒng)的上下各有一層保護層的三層結(jié)構(gòu)，得到了簡化，減小了源漏電極與溝道的接觸電阻，并且源極層和漏極層經(jīng)過等離子體轟擊之后，表面粗糙度得以提高，可以增強源極層和漏極層與光刻膠之間的粘附力，防止光刻膠的剝離，提高工藝的良率。

附圖說明

圖1示出根據(jù)實施例的制作薄膜晶體管的流程圖。

圖2示出根據(jù)實施例的處理之前的源漏極金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3示出采用含氟氣體對源漏金屬層進行等離子體處理的工藝圖。

圖4示出根據(jù)實施例的處理之后的源漏極金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實施例一

本實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法。圖1示出根據(jù)實施例的制作薄膜晶體管的流程圖。

根據(jù)本實施例的制作薄膜晶體管的方法包括如下步驟。

在步驟s101中，提供基板，選取一張基板并清洗干凈。

在步驟s102中，在所述基板上通過沉積、曝光、顯影、刻蝕等工藝制作出柵極層、柵絕緣層和有源層。

接下來，在步驟s103，沉積金屬層1，得到的結(jié)構(gòu)如圖2所示。圖2示出處理之前的源漏極金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖。這里的金屬層1即后繼要形成的源極層和漏極層，可以包括銅、鋁、鎂、銀中的任意一種或其組合，由于這些金屬具有優(yōu)良的導電性能，所以能夠為薄膜晶體管提供優(yōu)異的電接觸性能，但這些金屬容易氧化。

為解決此問題，在步驟s104中，采用含氟氣體對金屬層1進行等離子體處理，含氟氣體主要包括sif4氣體和氮氣。

圖3示出采用含氟氣體對源漏金屬層進行等離子體處理的工藝圖。如圖3所示，采用sif4氣體和氮氣對金屬層1進行等離子體處理，在處理過程中，sif4氣體和氮氣被等離子體化會產(chǎn)生含氟基團，這些含氟基團的氧化性比氧更強，在這些含氟基團存在的情況下，金屬不會與空氣中的氧反應，含氟基團相當于在金屬表面上形成了保護膜，阻擋了金屬與空氣中的氧發(fā)生反應，從而提高了金屬的抗氧化性能。

傳統(tǒng)的源極層和漏極層的上下各有一層保護層，為三層結(jié)構(gòu)，在本實施例中，金屬層經(jīng)過了含氟氣體的等離子體處理，增強了抗氧化性能，源極層和漏極層上部和下部不再需要保護層，源極層和漏極層的結(jié)構(gòu)能夠得以簡化。

此外，如圖4所示，經(jīng)過等離子體的轟擊之后，金屬層1的表面粗糙度提高，這樣可以增強金屬層與后繼工藝過程中的光刻膠之間的粘附力，防止光刻膠剝離的現(xiàn)象發(fā)生。

然后，在步驟s105中對經(jīng)過上述處理后的金屬層進行刻蝕等處理，分別形成源極層和漏極層。

最后，在形成所述源極層和漏極層之后沉積鈍化絕緣層，并且對鈍化絕緣層進行圖案化，鈍化絕緣層的主要成分是二氧化硅，然后再沉積氧化銦錫(ito)膜層，并且進行圖案化，以形成像素電極層。

在本實施例中，采用含氟氣體對金屬層也就是源極層和漏極層進行等離子體處理，提高了源漏電極的抗氧化性，源極層和漏極層由傳統(tǒng)的上下各有一層保護層的三層結(jié)構(gòu)，得到簡化，減小了源漏電極與溝道的接觸電阻，并且源極層和漏極層經(jīng)過等離子體轟擊之后，表面粗糙度得以提高，可以增強源極層和漏極層與光刻膠之間的粘附力，防止光刻膠的剝離，提高工藝的良率。

實施例二

本實施例提供一種薄膜晶體管。

根據(jù)本實施例的薄膜晶體管包括：基板；柵極層、柵絕緣層和有源層，形成在所述基板之上；源極層和漏極層，形成在所述有源層之上，其中，所述源極層和漏極層通過對有源層上沉積的金屬層進行刻蝕處理而形成。所述金屬層也就是所述源極層和漏極層分別包括銅、鋁、鎂、銀中的任意一種或其組合。

在對金屬層進行刻蝕處理之前，先對金屬層進行抗氧化處理，也就是采用含氟氣體對金屬層進行等離子體處理。所述含氟氣體的成分包括sif4氣體和氮氣，經(jīng)過處理之后，在金屬層表面形成抗氧化保護膜，提高了金屬層也就是源極層和漏極層的抗氧化性，其原理在實施例一中已經(jīng)描述，在此不再重復描述。

所述源極層和漏極層經(jīng)過含氟氣體的等離子體處理之后，抗氧化性能得到提高，不需要傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，在源極層和漏極層的上部和下部分別設(shè)置的保護層。這樣，源極層和漏極層的結(jié)構(gòu)能夠得到簡化。源極層和漏極層的結(jié)構(gòu)簡化能夠減少源極層和漏極層與溝道的接觸電阻。而且源極層和漏極層在經(jīng)過等離子體轟擊之后，表面的粗糙度得以提高，在后繼的工藝過程中，源極層和漏極層與光刻膠之間的粘附力得以增強，提高了工藝的良率。

根據(jù)本實施例的薄膜晶體管還包括形成在所述源極層和漏極層之上的鈍化絕緣層和像素電極層，所述鈍化絕緣層的主要成分為二氧化硅，所述像素電極層的主要成分為氧化銦錫(ito)。

本發(fā)明的實施例還提供一種陣列基板，包括如前所述的薄膜晶體管，以及一種液晶顯示器，包括所述的陣列基板。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)的原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求決定。