技術總結(jié)
本發(fā)明公開了一種濕法刻蝕裝置，包括刻蝕裝置本體、硅基體、氣壓腔，在刻蝕裝置本體上設有紅外吸收區(qū)、框架、刻蝕開口、硅基體、熱電堆、支撐臂、刻蝕裝置本體、刻蝕倉、防護玻璃、控制箱、報警指示燈、噴嘴、氣壓腔、酸液腔、噴頭、定位器、導液管，在氣壓腔與酸液腔之間設有通氣導管，氣壓腔通過通氣導管向酸液腔內(nèi)進行加壓，使酸液從噴頭噴出的時候具有一定的壓力，同時使酸液能夠準確無誤的噴灑到硅基體上，將不需要的部分通過與酸液反應后形成酸液水排出，留下剩下的部分就是反應后我們所要得到的單晶硅片。

技術研發(fā)人員：周士杰;陳圣鐵
受保護的技術使用者：溫州隆潤科技有限公司
文檔號碼：201710083164
技術研發(fā)日：2017.02.16
技術公布日：2017.05.31