技術總結
一種CMOS氣體傳感器，其中CMOS氣體傳感器包括：襯底；位于部分襯底表面的多晶硅柵；位于部分襯底表面的多晶硅加熱層；位于襯底上的介質層；位于所述介質層內(nèi)的MOS器件互連結構以及傳感器互連結構；位于所述介質層表面以及第一頂層金屬互連層表面的鈍化層；位于所述第二頂層金屬互連層表面的氣敏層；環(huán)繞所述氣敏層且位于傳感器區(qū)上方的溝槽；被所述溝槽環(huán)繞的懸空結構，所述懸空結構與傳感器區(qū)的襯底之間具有隔熱區(qū)域，且所述懸空結構底部與介質層底部齊平。本發(fā)明氣體傳感器的形成工藝與MOS器件的形成工藝完全兼容，將氣體傳感器和MOS器件集成在同一芯片上，縮小芯片面積，降低功耗、提高集成度和產(chǎn)量。

技術研發(fā)人員：俞挺;袁彩雷;駱興芳
受保護的技術使用者：江西師范大學
文檔號碼：201710082872
技術研發(fā)日：2015.01.29
技術公布日：2017.06.06