1.一種CMOS氣體傳感器，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底包括MOS器件區(qū)以及傳感器區(qū)；
位于所述MOS器件區(qū)部分襯底表面的多晶硅柵；
位于所述傳感器區(qū)部分襯底表面的多晶硅加熱層；
位于所述MOS器件區(qū)以及傳感器區(qū)襯底上的介質(zhì)層，且所述介質(zhì)層覆蓋于多晶硅柵表面以及多晶硅加熱層表面；
位于所述介質(zhì)層內(nèi)的MOS器件互連結(jié)構(gòu)以及傳感器互連結(jié)構(gòu)；
其中，所述MOS器件互連結(jié)構(gòu)位于MOS器件區(qū)上方，所述MOS器件互連結(jié)構(gòu)與多晶硅柵電連接，所述MOS器件互連結(jié)構(gòu)至少包括2層金屬互連層，且所述MOS器件區(qū)的金屬互連層中包括第一頂層金屬互連層，所述第一頂層金屬互連層頂部與介質(zhì)層頂部齊平；
所述傳感器互連結(jié)構(gòu)位于傳感器區(qū)上方，所述傳感器互連結(jié)構(gòu)與多晶硅加熱層電連接，所述傳感器互連結(jié)構(gòu)至少包括2層金屬互連層，傳感器區(qū)的金屬互連層中包括第二頂層金屬互連層，且所述傳感器互連結(jié)構(gòu)中至少有1層金屬互連層還位于MOS器件區(qū)上方，所述第二頂層金屬互連層頂部與介質(zhì)層頂部齊平；
位于所述介質(zhì)層表面以及第一頂層金屬互連層表面的鈍化層；
位于所述第二頂層金屬互連層表面的氣敏層；
環(huán)繞所述氣敏層且位于傳感器區(qū)上方的溝槽，所述溝槽貫穿傳感器區(qū)上方的鈍化層以及介質(zhì)層，且所述溝槽暴露出傳感器區(qū)的部分襯底表面；
被所述溝槽環(huán)繞的懸空結(jié)構(gòu)，所述懸空結(jié)構(gòu)與傳感器區(qū)的襯底之間具有隔熱區(qū)域，且所述懸空結(jié)構(gòu)底部與介質(zhì)層底部齊平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS氣體傳感器，其特征在于，所述介質(zhì)層包括：位于MOS器件區(qū)和傳感器區(qū)的襯底表面的第一介質(zhì)層、位于第一介質(zhì)層表面的第二介質(zhì)層、位于第二介質(zhì)層表面的第三介質(zhì)層、位于第三介質(zhì)層表面的第四介質(zhì)層、以及位于第四介質(zhì)層表面的頂層介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMOS氣體傳感器，其特征在于，所述MOS器件互連結(jié)構(gòu)包括4層金屬互連層，所述MOS器件互連結(jié)構(gòu)包括：位于MOS器件區(qū)第一介質(zhì)層表面的第一金屬互連層、位于MOS器件區(qū)第二介質(zhì)層表面的第二金屬互連層、位于MOS器件區(qū)第三介質(zhì)層表面的第三金屬互連層、位于MOS器件區(qū)第四介質(zhì)層表面的第一頂層金屬互連層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMOS氣體傳感器，其特征在于，所述MOS器件互連結(jié)構(gòu)還包括：位于第一介質(zhì)層內(nèi)的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞與多晶硅柵以及第一金屬互連層電連接；位于第二介質(zhì)層內(nèi)的第二導(dǎo)電插塞，所述第二導(dǎo)電插塞與第一金屬互連層以及第二金屬互連層電連接；位于第三介質(zhì)層內(nèi)的第三導(dǎo)電插塞，所述第三導(dǎo)電插塞與第二金屬互連層以及第三金屬互連層電連接；位于第四介質(zhì)層內(nèi)的第四導(dǎo)電插塞，所述第四導(dǎo)電插塞與第三金屬互連層以及第一頂層金屬互連層電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMOS氣體傳感器，其特征在于，所述傳感器互連結(jié)構(gòu)包括4層金屬互連層，所述傳感器互連結(jié)構(gòu)包括：位于傳感器區(qū)第一介質(zhì)層表面的第一金屬互連層、位于傳感器區(qū)第二介質(zhì)層表面的第二金屬互連層、位于傳感器區(qū)第三介質(zhì)層表面的第三金屬互連層、位于傳感器區(qū)第四介質(zhì)層表面的若干相互電絕緣的第二頂層金屬互連層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMOS氣體傳感器，其特征在于，所述傳感器互連結(jié)構(gòu)還包括：位于第一介質(zhì)層內(nèi)的第一導(dǎo)電插塞，所述第一導(dǎo)電插塞與多晶硅加熱層以及第一金屬互連層電連接，且與所述多晶硅加熱層電連接的第一金屬互連層相互電絕緣；位于第二介質(zhì)層內(nèi)的第二導(dǎo)電插塞，所述第二導(dǎo)電插塞與第一金屬互連層以及部分第二金屬互連層電連接；位于第三介質(zhì)層內(nèi)的第三導(dǎo)電插塞，所述第三導(dǎo)電插塞與部分第二金屬互連層以及第三金屬互連層電連接，且第三金屬互連層與多晶硅加熱層之間電絕緣；位于第四介質(zhì)層內(nèi)的第四導(dǎo)電插塞，所述第四導(dǎo)電插塞與第三金屬互連層以及第二頂層金屬互連層電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMOS氣體傳感器，其特征在于，所述傳感器互連結(jié)構(gòu)中具有若干相互電絕緣的第二金屬互連層，所述傳感器互連結(jié)構(gòu)中的第二金屬互連層還位于MOS器件區(qū)的第二介質(zhì)層表面，其中，傳感器互連結(jié)構(gòu)中的部分第二金屬互連層與多晶硅加熱層電連接，傳感器互連結(jié)構(gòu)中的另一部分第二金屬互連層與第二頂層金屬互連層電連接；所述傳感器互連結(jié)構(gòu)中的第二金屬互連層為懸空結(jié)構(gòu)的支撐臂。