本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱：LED)具有成本低、節(jié)能環(huán)保、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明、顯示屏、信號(hào)燈、背光源等領(lǐng)域。

近年來，LED的光效越來越高，但是光效的提升都伴隨著正向工作電壓的升高。另外，為了解決LED內(nèi)的藍(lán)寶石襯底和GaN外延層之間的晶格失配，以及InGaN量子阱和GaN量子壘之間的晶格失配問題，需要在LED內(nèi)增加緩沖層和應(yīng)力釋放層，但是新增的緩沖層和應(yīng)力釋放層又會(huì)進(jìn)一步升高LED的正向工作電壓。

目前，常用的降低LED的正向工作電壓的方法是在LED內(nèi)各層中增加Si的摻雜量，但是這種方法會(huì)造成電子和空穴的非輻射復(fù)合增多，帶來降低光效的副作用，光效的提升效果有限。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)光效的提升效果有限的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、應(yīng)力釋放層、有源層、P型電子阻擋層、P型氮化鎵層，所述有源層包括多個(gè)量子阱子層和多個(gè)量子壘子層，所述多個(gè)量子阱子層和所述多個(gè)量子壘子層交替層疊設(shè)置，所述多個(gè)量子阱子層均為銦鎵氮層，所述多個(gè)量子壘子層沿所述外延片的層疊方向依次屬于第一量子壘、第二量子壘、第三量子壘；屬于第一量子壘的每個(gè)所述量子壘子層為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層，屬于第二量子壘的每個(gè)所述量子壘子層為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層、或者未摻雜的鋁鎵氮層、或者未摻雜的氮化鎵層，屬于第三量子壘的每個(gè)所述量子壘子層由未摻雜的鋁鎵氮層和未摻雜的銦鎵氮層組成，屬于第一量子壘的每個(gè)所述量子壘子層中Si的摻雜濃度大于屬于第二量子壘的每個(gè)所述量子壘子層中Si的摻雜濃度。

可選地，屬于第一量子壘的每個(gè)所述量子壘子層的厚度小于屬于第二量子壘的每個(gè)所述量子壘子層的厚度，屬于第二量子壘的每個(gè)所述量子壘子層的厚度小于屬于第三量子壘的每個(gè)所述量子壘子層的厚度。

可選地，屬于第二量子壘的所有所述量子壘子層分成摻有Si的部分和未摻雜的部分，沿所述外延片的層疊方向，所述摻有Si的部分位于所述未摻雜的部分的中間。

優(yōu)選地，所述摻有Si的部分中Si的摻雜濃度沿所述外延片的層疊方向先線性增大再線性減小。

可選地，屬于第一量子壘的每個(gè)所述量子壘子層中Si的摻雜濃度為2×10¹⁸～4×10¹⁸cm^-3。

可選地，所述量子壘子層的層數(shù)為6～18層。

優(yōu)選地，屬于第一量子壘的所有所述量子壘子層的層數(shù)為2～4層。

可選地，所述外延片還包括設(shè)置在所述N型氮化鎵層和所述應(yīng)力釋放層之間的N型鋁鎵氮層。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、非摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、應(yīng)力釋放層、有源層、P型電子阻擋層、P型氮化鎵層；

其中，所述有源層包括多個(gè)量子阱子層和多個(gè)量子壘子層，所述多個(gè)量子阱子層和所述多個(gè)量子壘子層交替層疊設(shè)置，所述多個(gè)量子阱子層均為銦鎵氮層，所述多個(gè)量子壘子層沿所述外延片的層疊方向依次屬于第一量子壘、第二量子壘、第三量子壘；屬于第一量子壘的每個(gè)所述量子壘子層為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層，屬于第二量子壘的每個(gè)所述量子壘子層為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層、或者未摻雜的鋁鎵氮層、或者未摻雜的氮化鎵層，屬于第三量子壘的每個(gè)所述量子壘子層由未摻雜的鋁鎵氮層和未摻雜的銦鎵氮層組成，屬于第一量子壘的每個(gè)所述量子壘子層中Si的摻雜濃度大于屬于第二量子壘的每個(gè)所述量子壘子層中Si的摻雜濃度。

可選地，所述制備方法還包括：

在所述N型氮化鎵層和所述應(yīng)力釋放層之間生長(zhǎng)N型鋁鎵氮層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

通過將有源層中的量子壘子層分成第一量子壘、第二量子壘、第三量子壘，第一量子壘為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層，第二量子壘為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層、或者未摻雜的鋁鎵氮層、或者未摻雜的氮化鎵層，第三量子壘由未摻雜的鋁鎵氮層和未摻雜的銦鎵氮層組成，第一量子壘高摻Si，可以增強(qiáng)電流的擴(kuò)展能力，有效降低正向工作電壓，同時(shí)第二量子壘低摻Si，第三量子壘不摻雜Si，Si的摻雜濃度沿外延層的層疊方向減小，可以將電子阻擋在量子阱子層中進(jìn)行復(fù)合發(fā)光，不會(huì)造成光效的降低。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種發(fā)光二極管的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的量子壘子層中Si的摻雜濃度的分布示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例一提供的量子壘子層生長(zhǎng)時(shí)間的分布示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例一提供的正向工作電壓的對(duì)比示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例一提供的抗靜電能力的對(duì)比示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例一提供的第二量子壘中Si的摻雜濃度的變化示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法的流程圖；

圖9a-圖9i是本發(fā)明實(shí)施例二提供的外延片制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，參見圖1，該外延片包括襯底1、以及依次層疊在襯底上的緩沖層2、非摻雜氮化鎵層3、N型氮化鎵層4、應(yīng)力釋放層5、有源層6、P型電子阻擋層7、P型氮化鎵層8。

在本實(shí)施例中，參見圖2，有源層6包括多個(gè)量子阱子層61和多個(gè)量子壘子層，多個(gè)量子阱子層61和多個(gè)量子壘子層交替層疊設(shè)置，多個(gè)量子阱子層61均為銦鎵氮層，多個(gè)量子壘子層沿外延片的層疊方向(如圖中箭頭所示)依次屬于第一量子壘62a、第二量子壘62b、第三量子壘62c。屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層，屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層、或者未摻雜的鋁鎵氮層、或者未摻雜的氮化鎵層，屬于第三量子壘的每個(gè)量子壘子層由未摻雜的鋁鎵氮層和未摻雜的銦鎵氮層組成，屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度大于屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度。

例如，如圖2所示，有源層6包括16層量子阱子層61和16層量子壘子層，16層量子壘子層中，沿外延片的層疊方向，第1層至第3層量子壘子層屬于第一量子壘62a，第4層至第15層量子壘子層屬于第二量子壘62b，第16層量子壘子層屬于第三量子壘62c。如圖3所示，第1層至第3層量子壘子層中Si的摻雜濃度為4×10¹⁸cm^-3，第4層至第15層量子壘子層中Si的摻雜濃度為0.5×10¹⁸cm^-3，第16層量子壘子層中Si的摻雜濃度為0。

通過將有源層中的量子壘子層分成第一量子壘、第二量子壘、第三量子壘，第一量子壘為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層，第二量子壘為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層、或者未摻雜的鋁鎵氮層、或者未摻雜的氮化鎵層，第三量子壘由未摻雜的鋁鎵氮層和未摻雜的銦鎵氮層組成，第一量子壘高摻Si，可以增強(qiáng)電流的擴(kuò)展能力，有效降低正向工作電壓，同時(shí)第二量子壘低摻Si，第三量子壘不摻雜Si，Si的摻雜濃度沿外延層的層疊方向減小，可以將電子阻擋在量子阱子層中進(jìn)行復(fù)合發(fā)光，不會(huì)造成光效的降低。

可選地，屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度可以小于屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度，屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度可以小于屬于第三量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度。

例如，參見圖4，在各個(gè)量子壘子層的生長(zhǎng)速率的情況中，第一量子壘的生長(zhǎng)時(shí)間為150s，第二量子壘的生長(zhǎng)時(shí)間為180s，第三量子壘的生長(zhǎng)時(shí)間為250s，第一量子壘、第二量子壘、第三量子壘的厚度比為15:18:25。

通過在Si的摻雜濃度沿外延層的層疊方向減小的情況下，沿外延層的層疊方向增加各層的厚度，進(jìn)一步將電子阻擋在量子阱子層內(nèi)，降低電子的遷移速率，使電子進(jìn)行擇優(yōu)遷移，改善電流的橫向擴(kuò)展，在不降低光效的前提下大幅度降低正向工作電壓，同時(shí)改善漏電，提高外延片的抗靜電能力。外延片制成的芯片在4000v的測(cè)試條件下，與現(xiàn)有芯片相比，正向工作電壓降低0.15V左右(如圖5所示)，抗靜電能力提高19％左右(如圖6所示)。

可選地，屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度、屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度、屬于第三量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度可以相同，實(shí)現(xiàn)更為簡(jiǎn)單方便。

可選地，屬于第二量子壘的所有量子壘子層可以分成摻有Si的部分和未摻雜的部分，摻有Si的部分為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層，未摻雜的部分為未摻雜的鋁鎵氮層、或者未摻雜的氮化鎵層；沿外延片的層疊方向，摻有Si的部分位于未摻雜的部分的中間。

優(yōu)選地，摻有Si的部分中Si的摻雜濃度可以沿外延片的層疊方向先線性增大再線性減小。

例如，參見圖7，第二量子壘的生長(zhǎng)時(shí)間為200s，0～70s的時(shí)間段內(nèi)Si的摻雜濃度為0，70～130s的時(shí)間段內(nèi)Si的摻雜濃度先從0增大至0.5×10¹⁸cm^-3，再?gòu)?.5×10¹⁸cm^-3減小至0，130～200s的時(shí)間段內(nèi)Si的摻雜濃度為0。

通過將第二量子壘中Si的摻雜濃度沿外延片的層疊方向先增大再減小，有利于將電子限制在量子阱子層中進(jìn)行復(fù)合發(fā)光、以及電子進(jìn)行橫向擴(kuò)展，改善電流的擴(kuò)展能力，降低正向工作電壓，同時(shí)減少漏電通道。

可選地，屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度可以為2×10¹⁸～4×10¹⁸cm^-3。當(dāng)屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度小于2×10¹⁸cm^-3時(shí)，無法有效降低正向工作電壓；當(dāng)屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度大于4×10¹⁸cm^-3時(shí)，第一量子壘中的Si過量成為雜質(zhì)，降低反向擊穿電壓，最終造成漏電和失效。

可選地，量子壘子層的層數(shù)可以為6～18層。

優(yōu)選地，屬于第一量子壘的所有量子壘子層的層數(shù)可以為2～4層。當(dāng)屬于第一量子壘的所有量子壘子層的層數(shù)小于2層時(shí)，無法有效降低正向工作電壓；當(dāng)屬于第一量子壘的所有量子壘子層的層數(shù)大于4層時(shí)，有源層中Si過量成為雜質(zhì)，降低反向擊穿電壓，最終造成漏電和失效。

可選地，如圖1所示，外延片還可以包括設(shè)置在N型氮化鎵層4和應(yīng)力釋放層5之間的N型鋁鎵氮層9，以利于電子的橫向擴(kuò)展，進(jìn)一步降低正向工作電壓。

具體地，襯底可以為藍(lán)寶石襯底，襯底的尺寸可以大于或等于2英寸。

具體地，緩沖層可以為氮化鎵層，也可以包括多層氮化鎵子層和多層鋁鎵氮子層，多層氮化鎵子層和多層鋁鎵氮子層交替層疊設(shè)置。

具體地，N型氮化鎵層可以為N型摻雜的氮化鎵層，也可以包括多層N型摻雜的氮化鎵子層，各層N型摻雜的氮化鎵子層中N型摻雜劑的摻雜濃度各不相同。

具體地，應(yīng)力釋放層可以包括依次層疊的第一氮化鎵子層、超晶格子層、第二氮化鎵子層，超晶格子層包括多層銦鎵氮子層和多層氮化鎵子層，多層銦鎵氮子層和多層氮化鎵子層交替層疊設(shè)置。

具體地，P型電子阻擋層可以為P型摻雜的鋁鎵氮層，也可以包括多層P型摻雜的鋁鎵氮子層和多層P型摻雜的氮化鎵子層，多層P型摻雜的鋁鎵氮子層和多層P型摻雜的氮化鎵子層交替層疊設(shè)置。

具體地，P型氮化鎵層可以為P型摻雜的氮化鎵層，也可以包括多層P型摻雜的氮化鎵子層，各層P型摻雜的氮化鎵子層中P型摻雜劑的摻雜濃度各不相同。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法，適用于制備實(shí)施例一提供的外延片。

在本實(shí)施例中，采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(英文：Metal organic Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱：MOCVD)技術(shù)生長(zhǎng)外延片，采用三甲基鎵或者三乙基鎵作為鎵源，高純氨氣(NH₃)作為氮源，三甲基銦作為銦源，三甲基鋁作為鋁源，采用硅烷作為N型摻雜劑，采用二茂鎂作為P型摻雜劑。

具體地，參見圖8，該制備方法包括：

步驟200：提供一襯底。

圖9a為步驟200執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為襯底。

具體地，襯底可以為藍(lán)寶石襯底，襯底的尺寸可以大于或等于2英寸。

步驟201：在襯底上生長(zhǎng)緩沖層。

圖9b為步驟201執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，2為緩沖層。

具體地，緩沖層可以為氮化鎵層，也可以包括多層氮化鎵子層和多層鋁鎵氮子層，多層氮化鎵子層和多層鋁鎵氮子層交替層疊設(shè)置。

步驟202：在緩沖層上生長(zhǎng)未摻雜氮化鎵層。

圖9c為步驟202執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，3為未摻雜氮化鎵層。

具體地，未摻雜氮化鎵層可以為沒有摻雜的氮化鎵層，也可以包括多層沒有摻雜的氮化鎵子層，各層沒有摻雜的氮化鎵子層的生長(zhǎng)溫度各不相同。

步驟203：在未摻雜氮化鎵層上生長(zhǎng)N型氮化鎵層。

圖9d為步驟203執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，4為N型氮化鎵層。

具體地，N型氮化鎵層可以為N型摻雜的氮化鎵層，也可以包括多層N型摻雜的氮化鎵子層，各層N型摻雜的氮化鎵子層中N型摻雜劑的摻雜濃度各不相同。

步驟204：在N型氮化鎵層上生長(zhǎng)N型電流擴(kuò)展層。該步驟204為可選步驟。

圖9e為步驟204執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，9為N型電流擴(kuò)展層。

在本實(shí)施例中，N型電流擴(kuò)展層為N型摻雜的AlGaN層，有利于電流擴(kuò)展，改善應(yīng)力釋放層降低光效的影響。

步驟205：生長(zhǎng)應(yīng)力釋放層。

圖9f為步驟205執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，5為應(yīng)力釋放層。

具體地，應(yīng)力釋放層可以包括依次層疊的第一氮化鎵子層、超晶格子層、第二氮化鎵子層，超晶格子層包括多層銦鎵氮子層和多層氮化鎵子層，多層銦鎵氮子層和多層氮化鎵子層交替層疊設(shè)置。

步驟206：在應(yīng)力釋放層上生長(zhǎng)有源層。

圖9g為步驟206執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，6為有源層。

在本實(shí)施例中，有源層包括多個(gè)量子阱子層和多個(gè)量子壘子層，多個(gè)量子阱子層和多個(gè)量子壘子層交替層疊設(shè)置，多個(gè)量子阱子層均為銦鎵氮層，多個(gè)量子壘子層沿外延片的層疊方向依次屬于第一量子壘、第二量子壘、第三量子壘。屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層，屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層、或者未摻雜的鋁鎵氮層、或者未摻雜的氮化鎵層，屬于第三量子壘的每個(gè)量子壘子層由未摻雜的鋁鎵氮層和未摻雜的銦鎵氮層組成，屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度大于屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度。

通過將有源層中的量子壘子層分成第一量子壘、第二量子壘、第三量子壘，第一量子壘為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層，第二量子壘為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層、或者未摻雜的鋁鎵氮層、或者未摻雜的氮化鎵層，第三量子壘由未摻雜的鋁鎵氮層和未摻雜的銦鎵氮層組成，第一量子壘高摻Si，可以增強(qiáng)電流的擴(kuò)展能力，有效降低正向工作電壓，同時(shí)第二量子壘低摻Si，第三量子壘不摻雜Si，Si的摻雜濃度沿外延層的層疊方向減小，可以將電子阻擋在量子阱子層中進(jìn)行復(fù)合發(fā)光，不會(huì)造成光效的降低。

可選地，屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度可以小于屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度，屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度可以小于屬于第三量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度。

通過在Si的摻雜濃度沿外延層的層疊方向減小的情況下，沿外延層的層疊方向增加各層的厚度，進(jìn)一步將電子阻擋在量子阱子層內(nèi)，降低電子的遷移速率，使電子進(jìn)行擇優(yōu)遷移，改善電流的橫向擴(kuò)展，在不降低光效的前提下大幅度降低正向工作電壓，同時(shí)改善漏電，提高外延片的抗靜電能力。外延片制成的芯片在4000v的測(cè)試條件下，與現(xiàn)有芯片相比，正向工作電壓降低0.15V左右，抗靜電能力提高19％左右。

可選地，屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度、屬于第二量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度、屬于第三量子壘的每個(gè)量子壘子層的厚度可以相同，實(shí)現(xiàn)更為簡(jiǎn)單方便。

可選地，屬于第二量子壘的所有量子壘子層可以分成摻有Si的部分和未摻雜的部分，摻有Si的部分為摻有Si的鋁鎵氮層、或者摻有Si的氮化鎵層，未摻雜的部分為未摻雜的鋁鎵氮層、或者未摻雜的氮化鎵層；沿外延片的層疊方向，摻有Si的部分位于未摻雜的部分的中間。

優(yōu)選地，摻有Si的部分中Si的摻雜濃度可以沿外延片的層疊方向先線性增大再線性減小。

通過將第二量子壘中Si的摻雜濃度沿外延片的層疊方向先增大再減小，有利于將電子限制在量子阱子層中進(jìn)行復(fù)合發(fā)光、以及電子進(jìn)行橫向擴(kuò)展，改善電流的擴(kuò)展能力，降低正向工作電壓，同時(shí)減少漏電通道。

可選地，屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度可以為2×10¹⁸～4×10¹⁸cm^-3。當(dāng)屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度小于2×10¹⁸cm^-3時(shí)，無法有效降低正向工作電壓；當(dāng)屬于第一量子壘的每個(gè)量子壘子層中Si的摻雜濃度大于4×10¹⁸cm^-3時(shí)，第一量子壘中的Si過量成為雜質(zhì)，降低反向擊穿電壓，最終造成漏電和失效。

可選地，量子壘子層的層數(shù)可以為6～18層。

優(yōu)選地，屬于第一量子壘的所有量子壘子層的層數(shù)可以為2～4層。當(dāng)屬于第一量子壘的所有量子壘子層的層數(shù)小于2層時(shí)，無法有效降低正向工作電壓；當(dāng)屬于第一量子壘的所有量子壘子層的層數(shù)大于4層時(shí)，有源層中Si過量成為雜質(zhì)，降低反向擊穿電壓，最終造成漏電和失效。

步驟207：在有源層上生長(zhǎng)P型電子阻擋層。

圖9h為步驟207執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，7為P型電子阻擋層。

具體地，P型電子阻擋層可以為P型摻雜的鋁鎵氮層，也可以包括多層P型摻雜的鋁鎵氮子層和多層P型摻雜的氮化鎵子層，多層P型摻雜的鋁鎵氮子層和多層P型摻雜的氮化鎵子層交替層疊設(shè)置。

步驟208：在P型電子阻擋層上生長(zhǎng)P型氮化鎵層。

圖9i為步驟208執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，8為P型氮化鎵層。

具體地，P型氮化鎵層可以為P型摻雜的氮化鎵層，也可以包括多層P型摻雜的氮化鎵子層，各層P型摻雜的氮化鎵子層中P型摻雜劑的摻雜濃度各不相同。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。