本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領域，具體涉及一種微LED器件及顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前，微LED器件通常包括相對設置的第一電極和第二電極以及設置在第一電極和第二電極之間的發(fā)光功能層，在第一電極和第二電極上加載電信號時可激發(fā)發(fā)光功能層發(fā)光，發(fā)光功能層發(fā)出的光信號可自第一電極射出，從而實現(xiàn)發(fā)光。

然而，現(xiàn)有的微LED器件在實際應用中發(fā)現(xiàn)：微LED器件的光提取效率較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種微LED器件和顯示裝置，能夠提高光微LED器件的提取效率。

為解決上述問題之一，本發(fā)明提供了一種微LED器件，包括出射電極、對置電極和發(fā)光功能層，所述出射電極和所述對置電極相對設置，所述發(fā)光功能層設置在所述出射電極和所述對置電極之間，所述出射電極為納米金屬膜層。

優(yōu)選地，所述納米金屬膜層為鋁膜層；所述發(fā)光功能層為紫外光發(fā)光功能層。

優(yōu)選地，所述鋁膜層的厚度取值范圍為3nm～7nm。

優(yōu)選地，所述鋁膜層的厚度取值范圍為4.5nm～5.5nm。

優(yōu)選地，所述紫外光發(fā)光功能層發(fā)出的紫外光的波長范圍為260nm～300nm。

優(yōu)選地，所述對置電極具有反射光信號的功能。

優(yōu)選地，在所述發(fā)光功能層上設置有介電層；所述介電層的中心區(qū)域設置有開口；所述出射電極形成在所述介電層的表面和所述發(fā)光功能層的與開口對應的表面上。

優(yōu)選地，在所述出射電極上還設置有光致發(fā)光層，用于使所述出射電極出射的光激發(fā)所述光致發(fā)光層發(fā)出所需顏色的光。

優(yōu)選地，所述光致發(fā)光層包括量子點發(fā)光層或熒光粉發(fā)光層。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明上述提供的微LED器件。

本發(fā)明具有以下有益效果：

在本發(fā)明中，采用納米金屬薄膜作為出射電極，能夠很好地實現(xiàn)對光信號地收集再發(fā)射，從而能夠提高光微LED器件的提取效率；并且，納米金屬薄膜的透明度能夠滿足出射電極作為出射的要求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1提供的微LED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例2提供的微LED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標記包括：1，出射電極；2，對置電極；3，發(fā)光功能層；4，介電層；5，光致發(fā)光層；6，位錯。

具體實施方式

為使本領域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的微LED器件及顯示裝置進行詳細描述。

實施例1

圖1為本發(fā)明實施例1提供的微LED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；請參閱圖1，本實施例1提供的微LED器件，包括出射電極1、對置電極2和發(fā)光功能層3，其中，所謂出射電極1是指作為光信號出射的電極；出射電極1和對置電極2相對設置，發(fā)光功能層3設置在出射電極1和對置電極2之間，具體地，發(fā)光功能層3包括P型半導體層、P-N結(jié)和N型半導體層；出射電極1為納米金屬膜層。

在本實施例中，采用納米金屬薄膜作為出射電極，能夠很好地實現(xiàn)對光信號地收集再發(fā)射，從而能夠提高微LED器件的光提取效率；并且，納米級金屬薄膜的透明度能夠滿足出射電極作為出射的要求。

優(yōu)選地，納米金屬膜層為鋁膜層；發(fā)光功能層3為紫外光發(fā)光功能層，該納米級鋁膜層對紫外光具有很高的光提取效率，也即能夠?qū)ψ贤夤夂芎玫厥占蚨梢阅軌蚝芎玫靥岣呶ED器件的提取效率。

進一步優(yōu)選地，鋁膜層的厚度取值范圍為3nm～7nm，以很好地實現(xiàn)光的收集。

更進一步優(yōu)選地，鋁膜層的厚度取值范圍為4.5nm～5.5nm，這樣，可以避免部分光被反射至對置電極2，從而可以進一步提高微LED器件的光提取效率。

還優(yōu)選地，紫外光發(fā)光功能層發(fā)出的紫外光的波長范圍為260nm～300nm，這樣，該鋁膜層具有對該波長范圍內(nèi)的紫外光具有更高地光提取效率。

另外優(yōu)選地，對置電極2具有反射光信號的功能，這樣，將出射電極1反射至對置電極2的光再反射至出射電極1再射出，以保證光提取效率。

另外，在本實施例中，在出射電極1上還設置有光致發(fā)光層5，用于使出射電極1出射的光激發(fā)光致發(fā)光層5發(fā)出所需顏色的光。舉例說明，假設發(fā)光功能層3為紫外光發(fā)光功能層，但為了獲取其他顏色的光，則可通過設置相應顏色的光致發(fā)光層5來獲得實際所需顏色的光。因此，借助該光致發(fā)光層5可以提高微LED器件的適用范圍，從而可以提高微LED器件的實用性。

具體地，光致發(fā)光層5包括但不限于：量子點發(fā)光層或熒光粉發(fā)光層。

實施例2

圖2為本發(fā)明實施例2提供的微LED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖2，本實施例2提供的微LED器件與上述實施例1提供的微LED器件相比，同樣包括出射電極1、對置電極2、發(fā)光功能層3和光致發(fā)光層5，由于出射電極1、對置電極2、發(fā)光功能層3和光致發(fā)光層5的位置關(guān)系和功能在上述實施例1中已經(jīng)進行了詳細地描述，在此不再贅述。

下面僅描述本實施例和上述實施例1的不同點。具體地，在本實施例中，在發(fā)光功能層3上設置有介電層4；介電層4的中心區(qū)域設置有開口；出射電極1形成在介電層4的表面和發(fā)光功能層3的與開口對應的表面上，如圖2所示。

之所以在本實施例2中設置介電層4，是因為：微LED陣列被劃分為一個個微LED器件時，在劃線和腐蝕過程中容易在邊緣區(qū)域產(chǎn)生大量的晶格缺陷，從而導致邊緣位置的位錯6密度高于中心位置的位錯6密度，從而會造成多個微LED器件的出光均勻性不高和每個微LED器件的穩(wěn)定性不好，借助具有中心區(qū)域為開口的介質(zhì)層4，可以使得各個微LED器件均自該開口出光，因此，可以改善多個微LED器件的出光均勻性和每個微LED器件的穩(wěn)定性。

實施例3

本發(fā)明實施例3提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明上述實施例1或2所示的微LED器件。

本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，由于其采用本發(fā)明上述實施例1或2提供的微LED器件，因此，可以提高顯示裝置的顯示效果。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。