1.一種制造LDMOS器件的工藝流程，其中該LDMOS器件位于半導(dǎo)體襯底中的具有第一摻雜類型的阱區(qū)，包括：
在阱區(qū)上形成薄柵氧層；
在薄柵氧層上形成多晶硅層；
在多晶硅層上形成阻隔層，該阻隔層的刻蝕速度比薄柵氧層的刻蝕速度快；
通過在阻隔層之上的第一掩膜層的窗口，對(duì)阻隔層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕；
通過第一掩膜層的窗口，向阱區(qū)注入具有第二摻雜類型的雜質(zhì)，形成體區(qū)；
通過第一掩膜層的窗口，向體區(qū)注入具有第一摻雜類型的雜質(zhì)，形成源極層；
形成間隔，該間隔包裹刻蝕后所形成的多晶硅層窗口內(nèi)側(cè)的側(cè)壁；
通過間隔所形成的窗口，對(duì)源極層進(jìn)行刻蝕至源極層被穿通，形成源極區(qū)；
通過間隔所形成的窗口，向體區(qū)注入具有第二摻雜類型的雜質(zhì)，形成體接觸區(qū)；
通過刻蝕移除間隔和阻隔層；
通過第二掩膜層的窗口，對(duì)多晶硅層進(jìn)行刻蝕，形成柵極；以及
通過第三掩膜層的窗口，向阱區(qū)注入具有第一摻雜類型的雜質(zhì)，形成漏極接觸區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的制造LDMOS器件的工藝流程，其中間隔的材料和阻隔層的材料具有相同的刻蝕速度。
3.如權(quán)利要求1所述的制造LDMOS器件的工藝流程，其中間隔和阻隔層的材料為氮化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的制造LDMOS器件的工藝流程，還包括在形成間隔之前，對(duì)多晶硅層窗口內(nèi)側(cè)的側(cè)壁進(jìn)行氧化。
5.如權(quán)利要求1所述的制造LDMOS器件的工藝流程，其中每個(gè)間隔的厚度范圍為0.1微米到0.15微米。
6.如權(quán)利要求1所述的制造LDMOS器件的工藝流程，其中第一掩膜層的窗口寬度為0.3微米到0.5微米。
7.一種制造LDMOS器件的方法，包括：
通過阱區(qū)之上的多晶硅層窗口，在阱區(qū)內(nèi)形成體區(qū)和源極層，其中體區(qū)具有比源極層更深的結(jié)深；
在多晶硅層窗口內(nèi)側(cè)的側(cè)壁處形成間隔；以及
通過間隔所形成的窗口，對(duì)源極層進(jìn)行刻蝕至源極層被穿通，其中源極層中位于間隔正下方的區(qū)域在源極層被刻蝕的過程中受到保護(hù)，并被定義成LDMOS器件的源極區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括：
在源極層被刻蝕之后，向源極層被刻蝕的區(qū)域的正下方注入雜質(zhì)，形成體接觸區(qū)；以及
移除間隔。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中間隔材料為氮化硅。
10.一種制造LDMOS器件的工藝流程，包括：
在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成阱區(qū)；
在阱區(qū)上形成薄柵氧層；
在薄柵氧層上形成多晶硅層；
在多晶硅層上按順序依次形成柵極密封層、氮化硅層和第一掩膜層，其中第一掩膜層包括至少一個(gè)通向氮化硅層表面的窗口；
通過第一掩膜層的窗口，對(duì)氮化硅層、柵極密封層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕，暴露出阱區(qū)中對(duì)應(yīng)于體區(qū)的窗口；
通過體區(qū)窗口，向阱區(qū)注入P型雜質(zhì)，在阱區(qū)內(nèi)形成體區(qū)；
通過體區(qū)窗口，向體區(qū)注入N型雜質(zhì)，在體區(qū)內(nèi)形成源極層，隨后移除第一掩膜層；
對(duì)多晶硅層窗口內(nèi)側(cè)的側(cè)壁進(jìn)行氧化；
在多晶硅層窗口內(nèi)側(cè)被氧化的側(cè)壁處形成間隔；
通過間隔所形成的窗口，對(duì)源極層進(jìn)行刻蝕至源極層被穿通，形成位于間隔正下方的源極區(qū)；
向體區(qū)中位于源極區(qū)之間的被刻蝕的區(qū)域注入P型雜質(zhì)，形成體接觸區(qū)；
通過刻蝕移除氮化硅層和間隔；
在柵極密封層上形成第二掩膜層，其中第二掩膜層具有位置預(yù)定的窗口；
通過第二掩膜層的窗口，對(duì)柵極密封層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕，形成柵極，隨后移除第二掩膜層；
在柵極和薄柵氧層上形成第三掩膜層，該第三掩膜層包含至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于漏極接觸區(qū)的窗口；以及
通過第三掩膜層的窗口，向阱區(qū)注入N型雜質(zhì)，形成漏極接觸區(qū)，隨后移除第三掩膜層。