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發(fā)光二極管設(shè)備及其制造方法與流程

文檔序號:11214294閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
提供一種發(fā)光二極管設(shè)備及其制造方法。所述發(fā)光二極管設(shè)備包括:多個基底層,其中,每個基底層與像素的多個子像素中的一個子像素相應(yīng);熱沉板,被設(shè)置在每個基底層的第一側(cè)上,其中,所述熱沉板包括被設(shè)置在所述多個基底層中的相鄰的基底層之間的圖案化區(qū)域;熒光體,被設(shè)置在所述熱沉板上,與所述多個基底層中的一個基底層的至少一部分重疊;多個發(fā)光二極管,其中,每個發(fā)光二極管被形成在與每個基底層的第一側(cè)相對的第二側(cè)上。

技術(shù)研發(fā)人員:鄭鐘勛;金大式
受保護的技術(shù)使用者:三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日:2017.01.24
技術(shù)公布日:2017.10.10
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