1.一種微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括依序堆疊于一生長基板內(nèi)表面上的多層半導(dǎo)體層以及一第一犧牲層，其中，該多層半導(dǎo)體層包括一第一型半導(dǎo)體層、一與該第一型半導(dǎo)體層極性相反的一第二型半導(dǎo)體層；
提供一承載結(jié)構(gòu)，該承載結(jié)構(gòu)包括一傳遞基板以及覆蓋該傳遞基板內(nèi)表面上的一第二犧牲層；
接合該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的該第一犧牲層與該承載結(jié)構(gòu)的該第二犧牲層，其中，在該第一犧牲層與該第二犧牲層接合后，該第一犧牲層位于該多層半導(dǎo)體層與該第二犧牲層之間；
移除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的該生長基板；
分別圖案化該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層，以形成多個第一型半導(dǎo)體圖案與多個第二型半導(dǎo)體圖案；
形成彼此分離的多個絕緣圖案，該些絕緣圖案覆蓋對應(yīng)的該些第二型半導(dǎo)體圖案；
形成多個第一電極以及多個第二電極，其中，該些第一電極位于對應(yīng)的該些第一型半導(dǎo)體圖案上，該些第二電極位于對應(yīng)的該些第二型半導(dǎo)體圖案上，該些第二型半導(dǎo)體圖案、對應(yīng)的該些第一型半導(dǎo)體圖案、對應(yīng)的該些第一電極以及對應(yīng)的該些第二電極構(gòu)成多個微型發(fā)光二極管；以及
移除至少部份的該第一犧牲層、至少部份的該第二犧牲層或至少部份前述二者的堆疊層，以使每一該發(fā)光二極管與該傳遞基板之間存在一間隙，而該些微型發(fā)光二極管通過該些絕緣圖案的多個連接部與該傳遞基板連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該些絕緣圖案的方法包括：
形成一第一絕緣圖案，于對應(yīng)的其中之一該第二型半導(dǎo)體層上，并覆蓋對應(yīng)的其中之一該第二型半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁以及對應(yīng)的其中之一該第一型半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁；以及
形成一第二絕緣圖案，于對應(yīng)其中之一該第二型半導(dǎo)體層上，并覆蓋對應(yīng)的其中之一該第二型半導(dǎo)體層的另一側(cè)壁，且暴露出對應(yīng)的其中之一該第一第一型半導(dǎo)體層的另一側(cè)壁，
其中，該第一絕緣圖案具有對應(yīng)的各該連接部，且各該連接部延伸至該第一犧牲層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一犧牲層與該第二犧牲層兩者的其中之一為有機(jī)材料層，則另一該第一犧牲層與該第二犧牲層為無機(jī)材料層，且該第一犧牲層與該第二犧牲層皆不同于該些絕緣圖案材料，該些絕緣圖案材料選自氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，移除至少部份的該第一犧牲層與至少部份的該第二犧牲層的其中一者，而保留至少部份的該第一犧牲層與至少部份的該第二犧牲層的另一者的方法包括：利用一干式蝕刻工序去除該有機(jī)材料層，而保留該無機(jī)材料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，移除至少部份的該第一犧牲層與至少部份的該第二犧牲層的一者，而保留至少部份的該第一犧牲層與至少部份的該第二犧牲層的另一者的方法包括：利用一濕式蝕刻工序去除該無機(jī)材料層，而保留該有機(jī)材料層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，
在圖案化出該些第二半導(dǎo)體圖案之后，形成該些絕緣圖案；以及
在形成該些絕緣圖案之后，圖案化出該些第一半導(dǎo)體圖案，每一該絕緣圖案覆蓋對應(yīng)其中之一個該些第二半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁且暴露出對應(yīng)其中之一個該些第一半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁，而各該連接部延伸形成在對應(yīng)的其中之一該第一半導(dǎo)體圖案上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該些絕緣圖案的方法包括：
在圖案化該多層半導(dǎo)體層后，圖案化該第一犧牲層以及該第二犧牲層，以形成多個第一犧牲圖案與多個第二犧牲圖案，各該第一犧牲圖案與對應(yīng)的各該第二犧牲圖案堆疊成一犧牲結(jié)構(gòu)，各該發(fā)光二極管配置于對應(yīng)的各該犧牲結(jié)構(gòu)上；
在形成該犧牲結(jié)構(gòu)之后，形成一第一絕緣圖案，于對應(yīng)其中之一的該些第二型半導(dǎo)體圖案上，并覆蓋對應(yīng)其中之一的該些第二型半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁以及對應(yīng)其中之一的該些第一型半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁；
在形成該犧牲結(jié)構(gòu)之后，形成一第二絕緣圖案，于對應(yīng)其中之一的該些第二型半導(dǎo)體層上，并覆蓋對應(yīng)其中之一的該些第二型半導(dǎo)體層的相對另一側(cè)壁且暴露出對應(yīng)其中之一的該些第一第一型半導(dǎo)體圖案的相對另一側(cè)壁，其中，該第一絕緣圖案具有對應(yīng)的各該連接部，且各該連接部延伸至該傳遞基板上。
8.一種微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
一傳遞基板；
多個微型發(fā)光二極管，陣列排列于該傳遞基板的內(nèi)表面上，各該發(fā)光二極管包括：
多層半導(dǎo)體圖案，至少包含一第一型半導(dǎo)體圖案以及一與該第一型半導(dǎo)圖案極性相反的第二型半導(dǎo)體圖案，其中，該第一型半導(dǎo)體圖案在該傳遞基板上的垂直投影面積超出該第二型半導(dǎo)體圖案在該傳遞基板上的垂直投影面積；
一第一電極，位于該第一型半導(dǎo)體圖案上；以及
一第二電極，位于該第二型半導(dǎo)體圖案上；以及
多個絕緣圖案，該些絕緣圖案覆蓋對應(yīng)的該些微型發(fā)光二極管，該些絕緣圖案具有多個連接部，該些微型發(fā)光二極管通過該些連接部與該傳遞基板連接，而各該微型發(fā)光二極管與該傳遞基板之間存在一間隙，且該些絕緣圖案相互分隔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括：
多個第一犧牲圖案；以及
多個第二犧牲圖案，配置于該傳遞基板上，各該第一犧牲圖案與各該第二犧牲圖案互相對應(yīng)，且至少一部份的各該第一犧牲圖案與至少一部份的各該第二犧牲圖案互相堆疊構(gòu)成一犧牲結(jié)構(gòu)，該連接部通過部份該犧牲結(jié)構(gòu)與該傳遞基板連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些第一犧牲圖案覆蓋對應(yīng)的多個微型發(fā)光二極管的下表面，且該犧牲結(jié)構(gòu)的各該第一犧牲圖案與該傳遞基板之間存在該間隙。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，該犧牲結(jié)構(gòu)、該些微型發(fā)光二極管的下表面與該傳遞基板之間存在該間隙。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括：
多個第一犧牲圖案，位于對應(yīng)的該些連接部的正下方；以及
一第二犧牲層，覆蓋該傳遞基板，該些第一犧牲圖案配置于部份該第二犧牲層上，該些連接部通過對應(yīng)的該些第一犧牲圖案連接至該第二犧牲層上，且該第二犧牲層、各該第一犧牲圖案與該些微型發(fā)光二極管的下表面之間存在該間隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些連接部覆蓋對應(yīng)的該些發(fā)光二極管的側(cè)面且直接與該傳遞基板接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括：
多個第一犧牲圖案，位于該些微型發(fā)光二極管與該傳遞基板之間，該些第一犧牲圖案覆蓋對應(yīng)的該些微型發(fā)光二極管下表面且與對應(yīng)的該些連接部連接，且各該第一犧牲圖案、該些連接部與該些發(fā)光二極管的下表面之間存在該間隙。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括：
多個第二犧牲圖案，位于該傳遞基板上，與對應(yīng)的該些連接部連接，且各該第二犧牲圖案、該些連接部與多個發(fā)光二極管的下表面之間存在該間隙。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些第一犧牲圖案與該些第二犧牲圖案之一為無機(jī)材料，該些第一犧牲圖案與該些第二犧牲圖案之另一為有機(jī)材料，該些第一犧牲圖案與該些第二犧牲圖案皆不同于該些絕緣圖案材料，且該些絕緣圖案材料選自氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一型半導(dǎo)體圖案為P型半導(dǎo)體，該第二型半導(dǎo)體圖案為N型半導(dǎo)體，且該第一型半導(dǎo)體圖案的厚度小于該第二型半導(dǎo)體圖案的厚度。
18.一種微型發(fā)光二極管單元，其特征在于，包括：
多層半導(dǎo)體圖案，至少包含一第一型半導(dǎo)體圖案以及一與該第一型半導(dǎo)圖案極性相反的第二型半導(dǎo)體；
一絕緣圖案，覆蓋該第一型半導(dǎo)體圖案以及該第二型半導(dǎo)體圖案，且該絕緣圖案具有多個開口；以及
一第一電極與一第二電極，分別經(jīng)由該些開口與該第一型半導(dǎo)體圖案以及該第二型半導(dǎo)體圖案連接；以及
一第一犧牲圖案，覆蓋該第一型半導(dǎo)體圖案的外表面，該第一型半導(dǎo)體圖案位于該該第二型半導(dǎo)體與該第一犧牲圖案之間，其中，第一犧牲圖案的材料不同于該絕緣圖案的材料，且該絕緣圖案材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的微型發(fā)光二極管單元，其特征在于，該第一犧牲圖案具有與該第一型半導(dǎo)體圖案外表面接觸的內(nèi)表面，該絕緣圖案部分覆蓋該第一犧牲圖案的該內(nèi)表面。
20.一種微型發(fā)光二極管裝置，其特征在于，包括：
一陣列基板，其包含：
一接收基板；以及
一像素陣列層，配置于該接收基板內(nèi)表面上，其包含至少一個子像素；
一黏著層，設(shè)置于該子像素上，且部份覆蓋位于該子像素的該像素陣列層；以及
至少一如權(quán)利要求18所述的微型發(fā)光二極管單元，設(shè)置于該子像素的該黏著層上。
21.一種微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：
于一生長基板上依序形成多層半導(dǎo)體層，且該多層半導(dǎo)體層至少包含一第一型半導(dǎo)體層以及一與該第一型半導(dǎo)層極性相反的第二型半導(dǎo)體；
分別形成多個電極于該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層上，其中該些電極相互分隔，該多層半導(dǎo)體層以及該些電極構(gòu)成一微型發(fā)光二極管；
形成一承載結(jié)構(gòu)，該承載結(jié)構(gòu)包括一傳遞基板、覆蓋該傳遞基板的一犧牲層以及位于該犧牲層上的多個線路結(jié)構(gòu)，且該些線路結(jié)構(gòu)相互分隔；
接合該微型發(fā)光二極管的該些電極與該承載結(jié)構(gòu)的該些線路結(jié)構(gòu)，使得該生長基板上的該微型發(fā)光二極管的該些電極朝向該承載結(jié)構(gòu)的該些線路結(jié)構(gòu)；
在該微型發(fā)光二極管的該些電極與該承載結(jié)構(gòu)的該些線路結(jié)構(gòu)接合后，移除該生長基板；以及
移除該微型發(fā)光二極管正下方的部份該犧牲層，并保留該微型發(fā)光二極管遮蔽面積外的另一部份的該犧牲層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該承載結(jié)構(gòu)包括一支撐層，形成該承載結(jié)構(gòu)的步驟包括：
圖案化該支撐層，并于該支撐層形成至少一開口。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的微型發(fā)光二極管單元的中介結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該些線路結(jié)構(gòu)其中一者填入該至少一開口且覆蓋該支撐層的部分表面。
24.一種微型發(fā)光二極管單元的制造方法，其特征在于，包含：
提供一如權(quán)利要求21所述的該承載結(jié)構(gòu)與微型發(fā)光二極管；
提供一彈性轉(zhuǎn)置頭提取該微型發(fā)光二極管、部分該些線路結(jié)構(gòu)與部分該支撐層；以及
轉(zhuǎn)置該微型發(fā)光二極管、部分該些線路結(jié)構(gòu)與部分該支撐層于一接收基板上。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的微型發(fā)光二極管單元的制造方法，其特征在于，當(dāng)該彈性轉(zhuǎn)置頭提取該微型發(fā)光二極管、部分該些線路結(jié)構(gòu)與部分該支撐層時，該些線路結(jié)構(gòu)至少其中一者斷開，以使該微型發(fā)光二極管與該傳遞基板分離，且該微型發(fā)光二極管、部分該些線路結(jié)構(gòu)與部分該支撐層構(gòu)成一微型發(fā)光二極管單元。
26.一種微型發(fā)光二極管的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
一傳遞基板；
一犧牲層，設(shè)置于該傳遞基板上；
一支撐層，設(shè)置于該犧牲層上，且該支撐層具有多個開口；
多個線路結(jié)構(gòu)，配置于該支撐層內(nèi)表面上，且該些線路結(jié)構(gòu)相互分隔，該些并線路結(jié)構(gòu)分別至少填入對應(yīng)的該些部分開孔中；以及
一微型發(fā)光二極管，包括：
多層半導(dǎo)體圖案，至少包含一第一型半導(dǎo)體圖案以及一與該第一型半導(dǎo)圖案極性相反的第二型半導(dǎo)體；以及
多個電極于該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層上，其中該些電極相互分隔；
該微型發(fā)光二極管的該些電極與該承載結(jié)構(gòu)的該些線路結(jié)構(gòu)接合，使得該微型發(fā)光二極管的該些電極朝向并連接該線路結(jié)構(gòu)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的微型發(fā)光二極管的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該傳遞基板與該支撐層之間具有一間隙。
28.一種微型發(fā)光二極管裝置，其特征在于，包括：
一接收基板；
一像素陣列層，配置于該接收基板內(nèi)表面上，其包含至少一個子像素；
一黏著層，設(shè)置于該子像素上，且部份覆蓋位于該子像素的該像素陣列層；以及
至少一微型發(fā)光二極管單元，設(shè)置于該子像素的該黏著層上，其至少包含：
一支撐層，其外表面與該黏著層連接；
多個線路結(jié)構(gòu)，配置于該支撐層內(nèi)表面上，且該些線路結(jié)構(gòu)相互分隔；
以及
一微型發(fā)光二極管，配置于該些線路結(jié)構(gòu)上，該微型發(fā)光二極管包括：
多層半導(dǎo)體圖案，至少包含一第一型半導(dǎo)體圖案以及一與該第一型半導(dǎo)圖案極性相反的第二型半導(dǎo)圖案；以及
多個電極，分別配置于該第一型半導(dǎo)體圖案及該第二型半導(dǎo)體圖案上，該些電極相互分隔，且各該電極分別與所對應(yīng)的各該線路結(jié)構(gòu)連接。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的微型發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該些線路結(jié)構(gòu)其中至少一者延伸超出該支撐層的一側(cè)邊。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的微型發(fā)光二極管裝置，其特征在于，更包含多個導(dǎo)電層，且該些導(dǎo)電層相互分隔，其中該些線路結(jié)構(gòu)其中至少一者由該支撐層上延伸到該黏著層上，且各該線路結(jié)構(gòu)分別經(jīng)由所對應(yīng)的各該導(dǎo)電層與該像素陣列層電性連接。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的微型發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該支撐層的材料為硅或硅與氧化硅的組合。