技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了晶體管存儲(chǔ)器。該晶體管存儲(chǔ)器包括：門電極層；阻隔介電層，所述阻隔介電層位于所述門電極層上；納米浮動(dòng)?xùn)艑樱黾{米浮動(dòng)?xùn)艑游挥谒鲎韪艚殡妼由?，所述納米浮動(dòng)?xùn)艑邮怯山饘偌{米顆粒構(gòu)成的；隧穿介電層，所述隧穿介電層位于所述納米浮動(dòng)?xùn)艑由?；源極層，所述源極層位于所述隧穿介電層上；漏極層，所述漏極層位于所述隧穿介電層上；以及活性材料層，所述活性材料層位于所述隧穿介電層上，且設(shè)置在所述源極層和所述漏極層之間。該晶體管存儲(chǔ)器能夠通過改變納米顆粒的大小和密度改變存儲(chǔ)電荷的層次和位置，并且鈉米浮動(dòng)?xùn)艑又蟹稚⒌募{米顆粒能阻隔相鄰存儲(chǔ)器之間的漏電現(xiàn)象，可靠性高，適于工業(yè)應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：許宗祥;單海權(quán)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南方科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.18
技術(shù)公布日：2017.07.28