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半導(dǎo)體封裝件的制作方法

文檔序號(hào):11692122閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
提供了一種半導(dǎo)體封裝件,所述半導(dǎo)體封裝件包括:再分布基底;互連基底,在再分布基底上;半導(dǎo)體芯片,在再分布基底上且在互連基底的孔中;金屬層,在半導(dǎo)體芯片上;模制層,在半導(dǎo)體芯片和互連基底之間的間隙中?;ミB基底包括穿透其內(nèi)部的孔?;ミB基底包括基礎(chǔ)層和延伸穿過基礎(chǔ)層的導(dǎo)電構(gòu)件。互連基底的頂表面定位在金屬層的頂表面的水平之上或之下的水平。

技術(shù)研發(fā)人員:金志澈;金載春;柳翰成;趙京淳;趙暎相;尹汝勛
受保護(hù)的技術(shù)使用者:三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:2017.01.13
技術(shù)公布日:2017.07.21
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