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一種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件及其制造方法與流程

文檔序號:11925249閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件及其制造方法,低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件包括自下往上依次設(shè)置的歐姆正電極接觸區(qū)、N+襯底區(qū)、N?外延層、P基區(qū)、P+觸發(fā)區(qū)、N+發(fā)射區(qū)、歐姆負(fù)電極接觸區(qū),所述P+型的觸發(fā)區(qū)位于P?基區(qū)上部,所述N+注入?yún)^(qū)位于P+觸發(fā)區(qū)內(nèi)部及兩側(cè)。本發(fā)明將傳統(tǒng)TVS電壓抑制二極管器件結(jié)構(gòu)改進(jìn)為一個(gè)橫向雪崩TVS二極管與一個(gè)縱向雙極晶體管結(jié)合的新型結(jié)構(gòu),在相同的工作條件下,明顯的減小了TVS器件的浪涌殘壓和寄生電容。

技術(shù)研發(fā)人員:霍田佳;蘇海偉;趙德益;趙志方;王允;呂海鳳;張嘯;杜牧涵;蘇亞兵
受保護(hù)的技術(shù)使用者:上海長園維安微電子有限公司
文檔號碼:201710023829
技術(shù)研發(fā)日:2017.01.13
技術(shù)公布日:2017.05.17

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