技術(shù)特征：

1.一種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件，包括自下往上依次設(shè)置的歐姆正電極接觸區(qū)、N⁺襯底區(qū)、N^-外延層、P基區(qū)、P⁺觸發(fā)區(qū)、N⁺注入?yún)^(qū)、歐姆負(fù)電極接觸區(qū)，所述P⁺型的觸發(fā)區(qū)位于P基區(qū)上部，所述N⁺注入?yún)^(qū)位于P⁺觸發(fā)區(qū)內(nèi)部及兩側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件，其特征在于，所述N⁺襯底區(qū)的磷離子摻雜濃度為1×10¹⁸~1×10²⁰cm^-3。

3.如權(quán)利要求1所述的一種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件，其特征在于，所述N^-外延層的厚度為5~15μm，其磷離子摻雜濃度為1×10¹⁵~1×10¹⁷cm^-3。

4.如權(quán)利要求1所述的一種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件，其特征在于，所述P基區(qū)的厚度為2~5μm，其硼離子摻雜濃度為1×10¹⁵~1×10¹⁷cm^-3。

5.如權(quán)利要求1所述的一種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件，其特征在于，所述P⁺觸發(fā)區(qū)的厚度為0.5~2μm，其硼離子摻雜濃度為1×10¹⁷~1×10²⁰cm^-3。

6.如權(quán)利要求1所述的一種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件，其特征在于，所述N⁺注入?yún)^(qū)的厚度為0.5~2μm，其磷離子摻雜濃度為1×10¹⁷~1×10²⁰cm^-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6所述的種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件的制造方法，包括以下步驟：

第一、取一片N+N^-型的硅外延片作為樣片，對(duì)其進(jìn)行清洗，以去除表面污染物；

第二、在樣片表面涂覆一層光刻膠并進(jìn)行光刻，在中部形成窗口，以光刻膠為掩蔽層進(jìn)行離子注入，在該區(qū)域注入硼離子，形成P基區(qū)；

第三、去除光刻膠，并進(jìn)行P基區(qū)退火；

第四、在樣片表面重新涂覆一層光刻膠并進(jìn)行光刻，在P基區(qū)同位置形成窗口，以光刻膠為掩蔽層進(jìn)行離子注入，在該區(qū)域注入硼離子，形成P⁺觸發(fā)區(qū)；

第五、去除光刻膠，并進(jìn)行P⁺觸發(fā)區(qū)退火；

第六、在樣片表面重新涂覆一層光刻膠并進(jìn)行光刻，在P基區(qū)的中部及左右兩側(cè)形成窗口，以光刻膠為掩蔽層進(jìn)行離子注入，在該區(qū)域注入磷離子，形成N⁺注入?yún)^(qū)；

第七、除光刻膠，并進(jìn)行N⁺注入?yún)^(qū)退火；

第八、對(duì)樣片表面進(jìn)行光刻形成接觸孔；

第九、表面蒸發(fā)Al并退火并刻蝕形成電極，制得成品。