1.一種高可靠性的SOI-LIGBT，包括自下而上依次層疊設(shè)置的P襯底(1)、埋氧層(2)和頂部半導(dǎo)體層；所述的頂部半導(dǎo)體層包括N漂移區(qū)(3)、位于N漂移區(qū)(3)一側(cè)的發(fā)射極結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)、以及位于N漂移區(qū)(3)另一側(cè)的集電極結(jié)構(gòu)；所述的發(fā)射極結(jié)構(gòu)包括P阱區(qū)(4)、N+發(fā)射區(qū)(5)和P+體接觸區(qū)(6)，其中P阱區(qū)(4)和P+體接觸區(qū)(6)相互接觸且并列設(shè)置在埋氧層(2)上表面，P阱區(qū)(4)與N漂移區(qū)(3)接觸，N+發(fā)射區(qū)(5)位于P阱區(qū)(4)上層且與P+體接觸區(qū)(6)接觸，N+發(fā)射區(qū)(5)和P+體接觸區(qū)(6)的共同引出端為發(fā)射極；其特征在于，所述發(fā)射極為槽形結(jié)構(gòu)，P+體接觸區(qū)(6)與埋氧層(2)接觸；所述的柵極結(jié)構(gòu)包括柵氧化層(7)和覆蓋在柵氧化層(7)上的柵多晶硅(8)，柵氧化層(7)位于P阱區(qū)(4)之上且兩端分別與N+發(fā)射區(qū)(5)和N漂移區(qū)(3)有部分交疊，柵多晶硅(8)的引出端為柵電極；所述的集電極結(jié)構(gòu)包括N緩沖區(qū)(9)、位于N緩沖區(qū)(9)上層的N+集電區(qū)(10)和P+集電區(qū)(11)，以及位于頂部半導(dǎo)體層之上的絕緣層(12)和多晶硅電阻區(qū)(13)，所述N+集電區(qū)(10)和P+集電區(qū)(11)之間有間距，N+集電區(qū)(10)位于遠(yuǎn)離發(fā)射極結(jié)構(gòu)一側(cè)，N緩沖區(qū)(9)與多晶硅電阻區(qū)(13)通過絕緣層(12)電氣隔離開；所述的多晶硅電阻區(qū)(13)一側(cè)與N+集電區(qū)(10)電氣連接，另一側(cè)和P+集電區(qū)(11)的共同引出端為集電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的SOI-LIGBT，其特征在于，所述金屬發(fā)射極靠近漂移區(qū)一側(cè)和底部均與P+體接觸區(qū)(6)接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的SOI-LIGBT，其特征在于，所述的金屬發(fā)射極靠近漂移區(qū)一側(cè)與P+體接觸區(qū)(6)接觸，其底部與埋氧層(2)接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的SOI-LIGBT，其特征在于，所述的金屬發(fā)射極通過一個(gè)短路槽與P+體接觸區(qū)(6)電氣連接；所述的短路槽包括短路多晶硅(14)和短路絕緣層(15)，短路槽底部和靠近元胞側(cè)面分別與P+體接觸區(qū)(6)和P阱區(qū)(4)接觸，短路多晶硅(14)兩側(cè)通過短路絕緣層(15)與頂部半導(dǎo)體層隔離開。