高可靠性片式瓷介電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子元件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高可靠性片式瓷介電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前生產(chǎn)的瓷介電容器均是將兩個(gè)引腳焊接于陶瓷芯片的表面，再在陶瓷芯片外包覆一層絕緣材料層。包覆于絕緣材料外殼內(nèi)的引腳直接焊接于陶瓷芯片的內(nèi)電極上，而絕緣材料外殼外的引腳部分則向絕緣材料外殼的同一平面折彎。這種帶長(zhǎng)引腳的瓷介電容器產(chǎn)品不能適用于表面安裝，同時(shí)，適于表面安裝的瓷介電容器產(chǎn)品強(qiáng)度較差，受外力及產(chǎn)品應(yīng)力影響容易產(chǎn)生開(kāi)裂或破碎等缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，提供一種內(nèi)部結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，外部焊接方便牢固的高可靠性片式瓷介電容器。
[0004]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:
[0005]一種高可靠性片式瓷介電容器，包括陶瓷芯片、絕緣材料外殼和與陶瓷芯片焊接固定的兩個(gè)引腳，所述引腳由絕緣材料外殼分隔成內(nèi)封部和外伸部，所述內(nèi)封部與外伸部通過(guò)連接段相連，所述引腳的內(nèi)封部包括焊接段和由外折段、遠(yuǎn)離段以及內(nèi)折段構(gòu)成的折彎段，所述焊接段的焊接面與陶瓷芯片的被內(nèi)電極貼合，所述折彎段與陶瓷芯片之間形成有填充空間，所述引腳的外伸部包括斜向下的支撐段和從支撐段的底部橫向向外延伸出的焊腳段。
[0006]作為一種優(yōu)選方案，所述引腳的外折段由焊接段末端處向陶瓷芯片表面外折，在外折段末端橫向延伸出遠(yuǎn)離段，內(nèi)折段從遠(yuǎn)離段的末端處折向連接段，并與連接段相連。
[0007]作為一種優(yōu)選方案，所述引腳的折彎段與陶瓷芯片之間的填充空間內(nèi)填充有絕緣材料。
[0008]作為一種優(yōu)選方案，所述焊腳段上設(shè)有開(kāi)槽。
[0009]作為一種優(yōu)選方案，所述開(kāi)槽貫通到支撐段下部。
[0010]作為一種優(yōu)選方案，所述焊腳段為無(wú)開(kāi)槽的平板結(jié)構(gòu)
[0011]作為一種優(yōu)選方案，所述填充空間為陶瓷芯片的表面與遠(yuǎn)離段之間的空間，所述陶瓷芯片的表面到遠(yuǎn)離段的距離為0?3mm。
[0012]作為一種優(yōu)選方案，所述陶瓷芯片到遠(yuǎn)離段的距離為0.1?1mm。
[0013]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，通過(guò)對(duì)引腳的內(nèi)封部折彎，形成焊接段和折彎段，折彎段與陶瓷芯片之間有填充空間，當(dāng)絕緣材料對(duì)電容器進(jìn)行封裝時(shí)，絕緣材料可進(jìn)入到填充空間內(nèi)，能對(duì)電容器內(nèi)部的引腳起到更好的定位作用，可提高引腳與陶瓷芯片焊接結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。其填充空間高度只有0.1?1_，高度小，結(jié)構(gòu)緊湊，有利于縮小產(chǎn)品的整體體積。通過(guò)對(duì)引腳外伸部折彎，形成支撐段和焊腳段，其焊腳段向外折彎延伸，可便于SMT貼裝，并可方便電容器與其他元件連接的焊接操作。同時(shí)在焊腳段設(shè)有開(kāi)槽，在焊接時(shí)，焊錫可流入到開(kāi)槽的空間內(nèi)，增大了焊錫與焊接面的接觸面積，使電容器焊接得更為穩(wěn)固。
[0014]為更清楚地闡述本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征、技術(shù)手段及其所達(dá)到的具體目的和功能，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明:
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本實(shí)用新型之實(shí)施例的剖視圖；
[0016]圖2是本實(shí)用新型之實(shí)施例的引腳結(jié)構(gòu)放大圖；
[0017]圖3是本實(shí)用新型之實(shí)施例的俯視圖；
[0018]圖4是本實(shí)用新型之另一實(shí)施例的俯視圖；
[0019]附圖標(biāo)識(shí)說(shuō)明:
[0020]10、陶瓷芯片，20、絕緣材料外殼，30、引腳，
[0021]40、連接段，11、被內(nèi)電極 31、內(nèi)封部，
[0022]32、外伸部，311、焊接段， 312、外折段，
[0023]313、遠(yuǎn)離段，314、內(nèi)折段，315、焊接面，
[0024]321、支撐段，322、焊腳段，323、開(kāi)槽，
[0025]50，填充空間。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明:
[0027]首先參照?qǐng)D1和圖2所示，一種高可靠性片式瓷介電容器，包括陶瓷芯片10、絕緣材料外殼20和與陶瓷芯片10焊接固定的兩個(gè)引腳30。所述引腳30被絕緣材料外殼20分隔成內(nèi)封部31和外伸部32，所述內(nèi)封部31與外伸部32通過(guò)連接段40相連。所述引腳的內(nèi)封部31包括焊接段311和由外折段312、遠(yuǎn)離段313以及內(nèi)折段314構(gòu)成的折彎段。所述焊接段311的焊接面315與陶瓷芯片10的被內(nèi)電極11貼合，所述折彎段與陶瓷芯片10之間形成有填充空間50，所述填充空間50為陶瓷芯片10的表面與遠(yuǎn)離段313之間的空間，所述陶瓷芯片10的表面到遠(yuǎn)離段313的距離為0?3mm，最好為0.1?1mm。所述填充空間50內(nèi)填充有絕緣材料，由于絕緣材料可進(jìn)入到填充空間50內(nèi)，能對(duì)電容器內(nèi)部的引腳起到更好的定位作用，可提高引腳30與陶瓷芯片10焊接結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。且其填充空間50的高度只有0.1?1mm，高度小，結(jié)構(gòu)緊湊，有利于縮小產(chǎn)品的整體體積。
[0028]其中，所述引腳30的外折段312由焊接段311末端處向陶瓷芯片10表面外折，在外折段312末端橫向延伸出遠(yuǎn)離段313，內(nèi)折段314從遠(yuǎn)離段313的末端處折向連接段40，并與連接段40相連。
[0029]所述引腳的外伸部32包括斜向下的支撐段321和從支撐段321的底部橫向向外延伸出的焊腳段322。其焊腳段322向外折彎，可便于SMT貼裝，并可方便電容器與其他元件連接的焊接操作。
[0030]如圖3所示，所述焊腳段322上設(shè)有開(kāi)槽323，所述開(kāi)槽323最好貫通到支撐段321下部。在焊接時(shí)，焊錫可流入到開(kāi)槽323的空間內(nèi)，增大了焊錫與焊接面的接觸面積，使電容器焊接得更為穩(wěn)固、可靠。
[0031]圖4所示的是本實(shí)用新型的另一實(shí)施例，其與前述實(shí)施例的區(qū)別在于，所述焊腳段322為無(wú)開(kāi)槽的平板結(jié)構(gòu)，焊接時(shí)，焊腳段322平貼于所連接的元件表面。
[0032]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，故凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)際對(duì)以上實(shí)施例所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高可靠性片式瓷介電容器，包括陶瓷芯片、絕緣材料外殼和與陶瓷芯片焊接固定的兩個(gè)引腳，所述引腳由絕緣材料外殼分隔成內(nèi)封部和外伸部，所述內(nèi)封部與外伸部通過(guò)連接段相連，其特征在于:所述引腳的內(nèi)封部包括焊接段和由外折段、遠(yuǎn)離段以及內(nèi)折段構(gòu)成的折彎段，所述焊接段的焊接面與陶瓷芯片的被內(nèi)電極貼合，所述折彎段與陶瓷芯片之間形成填充空間，所述引腳的外伸部包括斜向下的支撐段和從支撐段的底部橫向向外延伸出的焊腳段。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性片式瓷介電容器，其特征在于:所述引腳的外折段由焊接段末端處向陶瓷芯片表面外折，在外折段末端橫向延伸出遠(yuǎn)離段，內(nèi)折段從遠(yuǎn)離段末端處折向連接段，并與連接段相連。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性片式瓷介電容器，其特征在于:所述引腳的折彎段與陶瓷芯片之間的填充空間內(nèi)填充有絕緣材料。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性片式瓷介電容器，其特征在于:所述焊腳段上設(shè)有開(kāi)槽。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高可靠性片式瓷介電容器，其特征在于:所述開(kāi)槽貫通到支撐段下部。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性片式瓷介電容器，其特征在于:所述焊腳段為無(wú)開(kāi)槽的平板結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性片式瓷介電容器，其特征在于:所述填充空間為陶瓷芯片的表面與遠(yuǎn)離段之間的空間，所述陶瓷芯片的表面到遠(yuǎn)離段的距離為0?3mm。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高可靠性片式瓷介電容器，其特征在于:所述陶瓷芯片到遠(yuǎn)離段的距離為0.1?lmm0
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及電子元件領(lǐng)域，公開(kāi)了一種高可靠性片式瓷介電容器，包括陶瓷芯片、絕緣材料外殼和與陶瓷芯片焊接的兩個(gè)引腳，所述引腳由絕緣材料外殼分隔成內(nèi)封部和外伸部，所述內(nèi)封部與外伸部通過(guò)連接段相連，所述引腳的內(nèi)封部包括焊接段和由外折段、遠(yuǎn)離段以及內(nèi)折段構(gòu)成的折彎段，所述焊接段的焊接面與陶瓷芯片的被內(nèi)電極貼合，所述折彎段與陶瓷芯片之間形成填充空間，所述引腳的外伸部包括斜向下的支撐段和從支撐段的底部橫向延伸出的焊腳段，該焊腳段上設(shè)有開(kāi)槽，通過(guò)以上設(shè)計(jì)可有效避免電容器內(nèi)部引腳的焊接結(jié)構(gòu)松動(dòng)的情況，同時(shí)使得電容器外部引腳在與其他元件連接時(shí)焊接更為方便、可靠。
【IPC分類】H01G4/224, H01G4/228
【公開(kāi)號(hào)】CN205016385
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520320448
【發(fā)明人】羅世勇, 施硯馨, 趙俊斌, 羅致成
【申請(qǐng)人】廣東南方宏明電子科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2015年5月18日