1.一種用旋轉(zhuǎn)晶體管抑制單粒子瞬態(tài)的納米CMOS版圖加固方法，其特征在于包括以下步驟：
第一步，斷開(kāi)集成電路版圖中PMOS晶體管與NMOS晶體管之間的金屬連接和多晶連接、PMOS晶體管與N阱接觸之間的金屬連接、NMOS晶體管與襯底接觸之間的金屬連接；
第二步，將PMOS晶體管繞該P(yáng)MOS晶體管的質(zhì)心順時(shí)針旋轉(zhuǎn)90度，將NMOS晶體管繞該NMOS晶體管的質(zhì)心逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)90度；
第三步，將PMOS晶體管和NMOS晶體管相互靠近直至兩者間距達(dá)到半導(dǎo)體代工廠提供的設(shè)計(jì)規(guī)則所允許的最小間距；
第四步，將N阱接觸向PMOS晶體管移動(dòng)直至N摻雜與PMOS晶體管有源區(qū)接觸，將襯底接觸向NMOS晶體管移動(dòng)直至P摻雜與NMOS晶體管有源區(qū)接觸；
第五步，將PMOS晶體管有源區(qū)向N阱接觸有源區(qū)延伸直至兩者接觸，將NMOS晶體管有源區(qū)向襯底接觸有源區(qū)延伸直至兩者接觸；
第六步，將第一步斷開(kāi)的集成電路版圖中晶體管與晶體管之間的多晶連接和金屬連接、晶體管與N阱接觸之間的金屬連接、晶體管與襯底接觸之間的金屬連接進(jìn)行恢復(fù)。