本發(fā)明涉及具有多個(gè)堆疊的、諸如發(fā)光二極管的發(fā)光設(shè)備的設(shè)備。

背景技術(shù)：

包括發(fā)光二極管(led)、諧振腔發(fā)光二極管(rcled)、垂直腔激光二極管(vcsel)以及邊發(fā)射激光器的半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備屬于當(dāng)前可用的最高效的光源。在能夠在可見(jiàn)光譜各處操作的高亮度發(fā)光設(shè)備的制造中，當(dāng)前引起興趣的材料系統(tǒng)包括iii-v族半導(dǎo)體，特別是鎵、鋁、銦與氮的二元、三元和四元合金，也稱為iii族氮化物材料。典型地，iii族氮化物發(fā)光設(shè)備通過(guò)利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(mocvd)、分子束外延(mbe)或其它外延技術(shù)，在藍(lán)寶石、碳化硅、iii族氮化物或其它合適的襯底上外延生長(zhǎng)不同組分和摻雜劑濃度的半導(dǎo)體層的疊層而制造。該疊層常常包括在襯底之上形成的、用例如si摻雜的一個(gè)或多個(gè)n型層，在n型層或多個(gè)n型層之上形成的有源區(qū)中的一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層，以及在該有源區(qū)之上形成的、用例如mg摻雜的一個(gè)或多個(gè)p型層。電氣接觸在n型和p型區(qū)上形成。

由led產(chǎn)生的光的量通常與施加到led的電流成比例。當(dāng)施加更多電流時(shí)，產(chǎn)生更多的光。然而，當(dāng)施加到led的電流密度增加時(shí)，led的外部量子效率初始在相當(dāng)?shù)偷碾娏髅芏认略黾拥椒逯?，然后在高電流密度下減小。相應(yīng)地，很多l(xiāng)ed在相當(dāng)?shù)偷碾娏髅芏认伦罡咝У夭僮鳌?/p>

一些應(yīng)用（諸如例如汽車應(yīng)用）需要在相對(duì)小的源尺寸中的高光輸出。為了產(chǎn)生所需要的光輸出，單個(gè)led必須操作于通常比led最高效時(shí)所處的電流密度高的電流密度，以便產(chǎn)生足夠的光。因?yàn)樵闯叽绫仨毿?，在一些?yīng)用中不可能利用并排放置的、在較低電流密度下操作的多個(gè)led來(lái)產(chǎn)生所需要的光輸出。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一目的是提供一種具有高光輸出和小源尺寸的設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的設(shè)備包括設(shè)置在第一n型區(qū)和第一p型區(qū)之間的第一半導(dǎo)體發(fā)光層。設(shè)置在第二n型區(qū)和第二p型區(qū)之間的第二半導(dǎo)體發(fā)光層設(shè)置在第一半導(dǎo)體發(fā)光層之上。非iii族氮化物材料將第一和第二發(fā)光層隔開(kāi)。

附圖說(shuō)明

圖1和2是可與本發(fā)明的實(shí)施例一起使用的led的截面視圖。

圖3圖示具有堆疊在如圖1中圖示的led之上的如圖2中圖示的led的設(shè)備。

圖4圖示具有兩個(gè)堆疊的如圖2中圖示的led的設(shè)備。

圖5圖示具有生長(zhǎng)在單個(gè)生長(zhǎng)襯底的相對(duì)側(cè)上的兩個(gè)堆疊的led的設(shè)備。

圖6圖示具有兩個(gè)堆疊的led和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的設(shè)備。

圖7圖示具有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的圖5的設(shè)備。

具體實(shí)施方式

在本發(fā)明的實(shí)施例中，多個(gè)發(fā)光設(shè)備（諸如led）被堆疊。在單個(gè)設(shè)備中堆疊多個(gè)led可增加由該設(shè)備產(chǎn)生的光的量，同時(shí)保持小的源尺寸，諸如例如對(duì)應(yīng)于單個(gè)led的占地面積的源尺寸。雖然下面的示例圖示兩個(gè)堆疊的led，但是本文描述的技術(shù)和結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展到任意數(shù)量的堆疊的led。

雖然在下面的示例中，半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備是發(fā)射藍(lán)光或uv光的iii族氮化物led，但是可以使用除led以外的半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備，諸如激光二極管和由其它材料系統(tǒng)（諸如其它iii-v族材料、iii族磷化物、iii族砷化物、ii-vi族材料、zno或si基材料）制成的半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備。單個(gè)設(shè)備中的堆疊的led常常由相同的材料制成，并發(fā)射基本上相同顏色的光，不過(guò)這并不是必需的。所使用的材料必須在需要透明led之處適當(dāng)?shù)赝该鳎缦旅婷枋龅摹?/p>

圖1和2圖示可用于本發(fā)明實(shí)施例中的iii族氮化物led1和2。可使用任何適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體發(fā)光設(shè)備，且本發(fā)明的實(shí)施例不限于圖1和2中所圖示的led。在圖1中，大部分光穿過(guò)生長(zhǎng)襯底從led提取。這樣的設(shè)備可被稱為倒裝芯片設(shè)備。在圖2中，大部分光穿過(guò)頂表面（與生長(zhǎng)襯底相對(duì)的表面）從led提取，并且在該頂表面上形成電氣接觸部。這樣的設(shè)備可被稱作橫向設(shè)備。

如在本領(lǐng)域中已知的，圖1和2中圖示的設(shè)備中的每一個(gè)通過(guò)在生長(zhǎng)襯底10上生長(zhǎng)iii族氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)來(lái)形成。生長(zhǎng)襯底常常是藍(lán)寶石，但可以是任何適當(dāng)?shù)囊r底，諸如例如非iii族氮化物材料、sic、si、gan或復(fù)合襯底。iii族氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在其上生長(zhǎng)的生長(zhǎng)襯底的表面可在生長(zhǎng)之前被圖案化、粗糙化或紋理化，這可改進(jìn)從設(shè)備的光提取。與生長(zhǎng)表面相對(duì)的生長(zhǎng)襯底的表面（即在倒裝芯片配置中大部分光穿過(guò)其被提取的那個(gè)表面）可在生長(zhǎng)之前或之后被圖案化、粗糙化或紋理化，這可改進(jìn)從設(shè)備的光提取。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括夾置于n型和p型區(qū)之間的發(fā)光或有源區(qū)。n型區(qū)16可首先生長(zhǎng)，并可包括不同組分和摻雜劑濃度的多個(gè)層（包括例如諸如緩沖層或成核層的準(zhǔn)備層，其可以是n型或非有意摻雜的），以及n型或甚至p型設(shè)備層，其針對(duì)對(duì)于使發(fā)光區(qū)高效發(fā)光而言期望的特定光學(xué)、材料、或電氣性質(zhì)而設(shè)計(jì)。發(fā)光或有源區(qū)18在n型區(qū)之上生長(zhǎng)。適當(dāng)?shù)陌l(fā)光區(qū)的示例包括單個(gè)厚或薄的發(fā)光層或包括由阻擋層隔開(kāi)的多個(gè)薄或厚的發(fā)光層的多個(gè)量子阱發(fā)光區(qū)。p型區(qū)20然后可在發(fā)光區(qū)之上生長(zhǎng)。如同n型區(qū)一樣，p型區(qū)可包括不同組分、厚度和摻雜劑濃度的多個(gè)層，其包括非有意摻雜的層或n型層。

在圖1的設(shè)備中，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)之后，反射性p接觸部在p型區(qū)的表面上形成。p接觸部21常常包括多個(gè)導(dǎo)電層，諸如反射性金屬和保護(hù)金屬，其可防止或減少反射性金屬的電遷移。反射性金屬常常是銀，但可以使用任何適當(dāng)?shù)囊环N或多種材料。在形成p接觸部21之后，p接觸部21、p型區(qū)20和有源區(qū)18的部分被移除以暴露n接觸部22形成于其上的n型區(qū)16的部分。n和p接觸部22和21通過(guò)間隙25彼此電氣隔離，間隙25可被填充以諸如硅的氧化物的電介質(zhì)或任何其它適當(dāng)?shù)牟牧?。可形成多個(gè)n接觸部通孔；n和p接觸部22和21不限于圖1中圖示的布置。如在本領(lǐng)域中已知的，n和p接觸部可重新分布以與電介質(zhì)/金屬疊層形成接合墊。

為了將led電氣和物理地附接到另一結(jié)構(gòu)，一個(gè)或多個(gè)互連26和28在n和p接觸部22和21上形成，或電氣連接到n和p接觸部22和21?；ミB26在圖1中電氣連接到n接觸部22?；ミB28電氣連接到p接觸部21?；ミB26和28通過(guò)介電層24和間隙27與n和p接觸部22和21并且與彼此電氣隔離?；ミB26和28可以是例如焊料、柱形凸起、金層或任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。很多單獨(dú)的led在單個(gè)晶圓上形成，然后從設(shè)備的晶圓切塊。在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)之后或在形成（如上面參考圖1描述的）單獨(dú)的設(shè)備之后，襯底10可以被減薄。在一些實(shí)施例中，從圖1的設(shè)備移除襯底。

圖1中圖示的設(shè)備在下面的附圖中由塊1表示。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、n和p接觸部22和21以及互連26和28（除襯底以外的所有元件）在下面的附圖中由塊12表示。

從圖1的設(shè)備提取的大部分光穿過(guò)襯底10（或通過(guò)移除襯底10而暴露的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面）被提取，如由箭頭36指示的。

在圖2的設(shè)備中，p型區(qū)20和有源區(qū)18的部分被移除以暴露在其上形成n接觸部22a的n型區(qū)16的部分。

在剩余的p型區(qū)20上形成絕緣層30，在該處之后將形成接合墊32。絕緣層30可以例如是一種或多種的硅的氧化物、硅的氮化物或任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。

透明導(dǎo)電層34在絕緣層和未被絕緣層覆蓋的p型區(qū)20的部分之上形成。透明導(dǎo)電層34可以是例如諸如氧化銦錫的導(dǎo)電氧化物，或透明金屬層（諸如金、銀和/或鋁的一個(gè)或多個(gè)薄層）。是金屬的透明導(dǎo)電層34可以在一些實(shí)施例中被涂覆以可以改進(jìn)可見(jiàn)光的透射的例如氧化物或任何其它適當(dāng)材料的薄的介電層。

接合墊32在透明導(dǎo)電層之上形成，與絕緣層30對(duì)齊。接合墊32可以是例如金屬、金或任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。通過(guò)阻止電流在接合墊32下方直接注入，絕緣層30減少在接合墊32下方產(chǎn)生的光的量。接合墊32普遍吸收光。到圖2的設(shè)備的電氣連接通過(guò)引線接合或任何其它適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)建立。引線接合可連接到接合墊32和n接觸部22a的頂表面，如在下面的附圖中示出的。

圖2中圖示的設(shè)備在下面的附圖中由塊2表示。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、n接觸部22a、絕緣層30、導(dǎo)電層34和接合墊32（除襯底以外的所有元件）在下面的附圖中由塊14表示。

從圖2的設(shè)備提取的大部分光穿過(guò)透明導(dǎo)電層34被提取，如由箭頭38指示的。

圖1中圖示的設(shè)備是倒裝芯片設(shè)備，相比于圖2中圖示的設(shè)備（該設(shè)備為橫向設(shè)備），倒裝芯片設(shè)備常常在更高的電流下操作。例如，圖1的倒裝芯片設(shè)備可在大于0.75a的電流（可能典型是例如1a）下操作，而圖2的橫向設(shè)備可在小于0.75a的電流（可能典型是例如0.35a）下操作。雖然本文描述的設(shè)備可在任何適當(dāng)?shù)臈l件下操作，諸如圖1的設(shè)備的倒裝芯片設(shè)備可在本文中被稱為“高功率”設(shè)備，而諸如圖2的設(shè)備的橫向設(shè)備可在本文中被稱為“中等功率”設(shè)備。

圖2的橫向設(shè)備基本上是透明的，而在圖1的倒裝芯片設(shè)備中，光只可穿過(guò)與不透明接觸部和互連相對(duì)的表面而被提取。相應(yīng)地，在具有不透明底座的結(jié)構(gòu)（諸如下面在圖3、4和5中圖示的結(jié)構(gòu)）中（在該結(jié)構(gòu)中光自（與底座相對(duì)的）頂表面從該結(jié)構(gòu)提?。?，圖1的倒裝芯片設(shè)備僅適合作為底部設(shè)備—最接近底座的設(shè)備。（相反，圖2的基本透明的橫向設(shè)備可用作頂部、底部或中間設(shè)備）。在光穿過(guò)透明底座被提取的結(jié)構(gòu)中，圖1的倒裝芯片設(shè)備可僅適合作為頂部設(shè)備—距底座最遠(yuǎn)的設(shè)備。

圖3圖示堆疊的多結(jié)設(shè)備的第一示例。在圖3的設(shè)備中，諸如圖1中圖示的led的倒裝芯片設(shè)備附接到底座46。諸如圖2中圖示的led的橫向設(shè)備附接到led1。

底座46可以是任何適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，諸如例如具有導(dǎo)電接合墊的陶瓷襯底、具有用于電氣隔離的至少一個(gè)絕緣層的金屬襯底、或pc板。底座46的頂表面48包括用于電氣連接到直接安裝在底座46上的led1和安裝在led1上的led2這兩者的接合墊。底座46可包括表面和/或嵌入式電氣跡線，以便將led1和2例如串聯(lián)地、并聯(lián)地或以任何其它適當(dāng)?shù)呐渲帽舜穗姎膺B接。在一些實(shí)施例中，跡線在底座46上或中形成，以便單獨(dú)地應(yīng)對(duì)led1和2。led1和2可連接到相同或不同的驅(qū)動(dòng)器電路，使得led1和2可在不同的驅(qū)動(dòng)電流下操作，以便在每個(gè)led的最佳驅(qū)動(dòng)電流下或附近操作每個(gè)led。

led1可拾放在底座46上，然后經(jīng)由焊料、金屬互連、金互連、導(dǎo)電膠或任何其他適當(dāng)?shù)牟牧匣蚪雍衔飦?lái)附接。led1與最接近底座46的接觸部、并與距底座最遠(yuǎn)的襯底10安裝在一起。

透明粘合劑40設(shè)置在led1的襯底10之上。選擇透明粘合劑以形成led1和led2之間的強(qiáng)接合（例如，在一些實(shí)施例中，粘合劑可具有至少邵氏硬度a60的機(jī)械強(qiáng)度）并且在暴露于來(lái)自led1和2的光時(shí)抵抗變黃。可使用任何適當(dāng)?shù)恼澈蟿?，包括例如一種或多種非iii族氮化物材料、硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、附接膠、聚二甲硅氧烷（pdms）、苯并環(huán)丁烯（bcb）或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（bcp）。

在一些實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料、改進(jìn)光提取和/或創(chuàng)建散射的材料、改變粘合劑折射率的材料或任何其它適當(dāng)?shù)牟牧峡稍O(shè)置在本文描述的任何透明粘合劑層中。

led2經(jīng)由透明粘合劑40附接到led1。led2設(shè)置在led1之上，led2的生長(zhǎng)襯底10附接到led1的生長(zhǎng)襯底10。相應(yīng)地，透明粘合劑40不干擾led1或led2中任何一個(gè)的接觸部。在將led2附接到led1后，引線接合42和44可將led2的p接合墊32和n接觸部22a分別連接到設(shè)置在底座46的頂表面48上的電氣連接。

圖4圖示堆疊的多結(jié)設(shè)備的第二示例。在圖4的設(shè)備中，諸如圖2中圖示的led的橫向設(shè)備附接到底座46的頂表面48。諸如圖2中圖示的led的第二橫向設(shè)備堆疊在第一橫向設(shè)備之上。

如上面參考圖3描述的，底座46可以是任何適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。第一led2a利用例如au/sn焊料或任何其它適當(dāng)?shù)牟牧虾?或過(guò)程通過(guò)生長(zhǎng)襯底10附接到底座46。線接合50和52將底座46上的接合墊電氣連接到led2a的p接合墊32和n接觸部22a。

透明粘合材料54（諸如上面參考圖3描述的粘合劑的一種或多種）設(shè)置在led2a之上。

透明隔離物56經(jīng)由粘合材料54附接到led2a。透明隔離物56將第二led2b從led2a間隔開(kāi)，以便保護(hù)將led2a電氣連接到底座46的線接合50、52。相應(yīng)地，如圖4中圖示的，透明隔離物56比led2a上的線接合連接的間距更窄，并且比線接合50、52的頂部更高，使得led2b不擠壓線接合。將透明隔離物56選擇為高度透明，機(jī)械上堅(jiān)固，且耐受led2a和2b操作時(shí)所處的溫度和通量。在一些實(shí)施例中，可以選擇透明隔離物56和粘合劑54的折射率以從led2a高效地提取光。透明隔離物56可以是例如藍(lán)寶石、玻璃、透明陶瓷、硅樹(shù)脂（諸如例如之前固化和分割的高折射率硅樹(shù)脂）或任何其它適當(dāng)?shù)牟牧?。在一些?shí)施例中，將透明隔離物56選擇為在高操作溫度下高度透明和機(jī)械上堅(jiān)固，該高操作溫度在一些實(shí)施例中例如是超過(guò)100^oc的溫度。在一些實(shí)施例中，可以選擇透明隔離物56的折射率以最大化藍(lán)光提取。透明隔離物的折射率可以是在一些實(shí)施例中至少1.6、在一些實(shí)施例中至少1.7、和在一些實(shí)施例中不大于2.2。

在一些實(shí)施例中，透明隔離物56是波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如陶瓷磷光體。在一些實(shí)施例中，來(lái)自led2a的光由波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換透明隔離物完全轉(zhuǎn)換，然后從結(jié)構(gòu)提取的組合光的顏色由led2b調(diào)整。這樣的設(shè)備可與或不與設(shè)置在設(shè)備頂部之上的附加波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料一起使用，如下面參考圖6描述的。

在將透明隔離物56附接到led2a之后，粘合材料54典型被完全固化。

第二透明粘合材料58（諸如上面參考圖3描述的粘合劑中的一種或多種）設(shè)置在透明隔離物56之上。第二粘合材料58可以與透明粘合劑54相同，不過(guò)這不是必需的。第二led2b通過(guò)第二粘合材料58附接到透明隔離物56，然后第二粘合材料58被完全固化。第二led2b經(jīng)由粘合材料58通過(guò)生長(zhǎng)襯底10附接到透明隔離物56。在將led2b附接到隔離物56之后，線接合60、62將底座46上的接合墊電氣連接到led2b的p接合墊32和n接觸部22a。

圖5圖示堆疊的多結(jié)設(shè)備的第三示例。在圖5的設(shè)備中，兩個(gè)led3a和3b在單個(gè)生長(zhǎng)襯底10的相對(duì)側(cè)上生長(zhǎng)。例如，被形成為led3a的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)首先在生長(zhǎng)襯底10上生長(zhǎng)，然后生長(zhǎng)襯底10被翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，并且被形成為led3b的第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在生長(zhǎng)襯底10的背側(cè)上生長(zhǎng)。在一些實(shí)施例中，兩個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可同時(shí)生長(zhǎng)。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)然后形成為led。led3a可以是接觸側(cè)向下安裝的設(shè)備，使得光穿過(guò)生長(zhǎng)襯底10被提取。這樣的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例是圖1中圖示的設(shè)備。led3b可以是接觸側(cè)向上安裝的設(shè)備，使得光穿過(guò)在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成的接觸部被提取。這樣的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例是圖2中圖示的設(shè)備。該結(jié)構(gòu)經(jīng)由led3a的接觸部附接到底座46。線接合72和74、或任何其它適當(dāng)?shù)碾姎膺B接結(jié)構(gòu)將led3b的p接合墊和n接觸部連接到底座46上的電氣墊。

圖6圖示具有多個(gè)堆疊的led的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換設(shè)備。第一和第二led4和5堆疊在底座46上。第一和第二led4和5可以是上面描述的結(jié)構(gòu)中的任何。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件70在頂部led5（距底座46最遠(yuǎn)的led）的頂表面之上形成。

波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件70包括一種或多種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，其可以是例如常規(guī)磷光體、有機(jī)磷光體、量子點(diǎn)、有機(jī)半導(dǎo)體、ii-vi族或iii-v族半導(dǎo)體、ii-vi族或iii-v族半導(dǎo)體量子點(diǎn)或納米晶體、染料、聚合物或發(fā)光的其它材料。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料吸收由led發(fā)射的光，并發(fā)射一種或多種不同波長(zhǎng)的光。由led發(fā)射的未轉(zhuǎn)換的光常常是從結(jié)構(gòu)提取的光的最終光譜的部分，不過(guò)它不必是。從結(jié)構(gòu)提取的光的最終光譜可以是白色或單色的。常見(jiàn)組合的示例包括與發(fā)黃光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)藍(lán)光的led、與發(fā)綠光和紅光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)藍(lán)光的led、與發(fā)藍(lán)光和黃光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)uv光的led、以及與發(fā)藍(lán)光、綠光和紅光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)uv光的led。可添加發(fā)射其它顏色的光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料以調(diào)整從結(jié)構(gòu)提取的光的光譜。

在一些實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件70是這樣的結(jié)構(gòu)：其與led分開(kāi)制造，并例如通過(guò)晶圓接合或適當(dāng)?shù)恼澈蟿ㄖT如硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂）附接到頂部led。這樣的預(yù)制造的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的一個(gè)示例是陶瓷磷光體，其通過(guò)例如將粉末磷光體或磷光體的前體材料燒結(jié)成陶瓷板材而形成，陶瓷板材可以然后被切塊成單獨(dú)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件。陶瓷磷光體也可以通過(guò)例如流延成型來(lái)形成，其中陶瓷被制造成正確的形狀，不必要進(jìn)行切塊或切割。適當(dāng)?shù)姆翘沾深A(yù)形成波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的示例包括設(shè)置在諸如硅樹(shù)脂或玻璃的透明材料中的粉末磷光體（該透明材料被軋制、鑄造或以其它方式形成為薄片，然后被分割成單獨(dú)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件）以及與硅樹(shù)脂混合并設(shè)置在透明襯底上的磷光體。

圖7圖示具有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件70的圖5的設(shè)備，該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件通過(guò)一層粘合材料80附接到led3b。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件70可以以類似的方式設(shè)置在圖3和4的設(shè)備之上。

反射性材料可設(shè)置在led和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的側(cè)面上，以便迫使光穿過(guò)頂表面從設(shè)備出射。

在詳細(xì)描述了本發(fā)明后，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在給出本公開(kāi)的情況下，可對(duì)本發(fā)明做出修改而不偏離本文所述的創(chuàng)造性概念的精神。因此，本發(fā)明的范圍不想要被限制到所圖示和描述的特定實(shí)施例。