本發(fā)明涉及用于防止觸電(electricshock)的裝置，且更特定言之，涉及能夠防止觸電電壓經(jīng)由諸如智能電話的可充電電子裝置(chargeableelectronicdevice)傳輸至使用者的防止觸電的裝置。
背景技術(shù)：
：行動通信終端機(jī)(mobilecommunicationterminal)的主要用途已自語音通信改變?yōu)閿?shù)據(jù)通信服務(wù)，且接著演進(jìn)至智能生活便利服務(wù)。又，隨著智能電話(smartphone)多功能化，正使用各種頻帶。意即，已采用在一個智能電話中使用諸如無線lan(wirelesslan)、藍(lán)牙(bluetooth)以及gps的不同頻帶的多個功能。又，隨著電子裝置高度整合，在有限空間中的內(nèi)部電路密度增大。因此，必然可能會出現(xiàn)內(nèi)部電路之間的噪音干擾。正使用用于抑制攜帶型電子裝置的各種頻率的噪音以及內(nèi)部電路之間的噪音的多種電路保護(hù)裝置。舉例而言，正使用分別移除彼此不同的頻帶的噪音的聚光器(condenser)、晶片磁珠(chipbead)、共同模式濾波器(commonmodefilter)，及類似者。近年來，隨著對智能電話的精致影像以及耐久性愈加看重，使用金屬材料的終端機(jī)供應(yīng)正在增多。意即，邊界是使用金屬制造或除前影像顯示部分以外的其余殼是使用金屬制造的智能電話的供應(yīng)正在增多。然而，因為未建置過電流保護(hù)電路(overcurrentprotectioncircuit)，或通過使用非正品充電器或使用低品質(zhì)元件的有缺陷充電器執(zhí)行充電，可能會出現(xiàn)沖擊電流(shockcurrent)。沖擊電流可傳輸至智能電話的接地端子，且接著再次自接地端子傳輸至金屬殼。因此，接觸金屬殼的使用者可能會受到電擊。結(jié)果，在通過使用非正品充電器對使用金屬殼的智能電話充電的同時使用智能電話時，可能會發(fā)生觸電事故。(先前技術(shù)文件)韓國專利注冊第10876206號技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的詳細(xì)說明本發(fā)明提供一種防止觸電的裝置，所述防止觸電的裝置提供于諸如智能電話的電子裝置中以防止使用者由于自充電器輸入的沖擊電流而受到電擊。本發(fā)明亦提供一種防止觸電的裝置，其中不會由于靜電放電(esd，electrostaticdischarge)而出現(xiàn)介電質(zhì)擊穿(dielectricbreakdown)。技術(shù)解決方案根據(jù)例示性實施例，一種安置于電子裝置的可與使用者接觸的導(dǎo)體與內(nèi)部電路之間的防止觸電的裝置包含：堆疊式本體，其中多個絕緣薄片堆疊；以及esd保護(hù)部分，安置在所述堆疊式本體內(nèi)部或外部以防護(hù)esd電壓，其中自所述電子裝置的外部施加至所述內(nèi)部電路的所述esd電壓經(jīng)由所述esd保護(hù)部分旁通且阻斷高于250μa或更高的觸電電流傳輸至可與所述使用者接觸的所述導(dǎo)體。所述裝置可進(jìn)一步包含包含多個內(nèi)部電極的電容器部分，所述內(nèi)部電極安置于所述堆疊式本體中且在700mhz或大于700mhz的頻率區(qū)中用作通信天線的至少一部分。所述esd保護(hù)部分可包含垂直地或水平地安置的至少兩個或大于兩個放電電極以及安置于所述至少兩個或大于兩個放電電極之間的至少一個esd保護(hù)層，且所述esd保護(hù)層可包含多孔絕緣材料、導(dǎo)電材料、空隙以及所述多孔絕緣材料與所述導(dǎo)電材料的混合物中的至少一者。除了所述多孔絕緣材料、所述導(dǎo)電材料以及所述多孔絕緣材料與所述導(dǎo)電材料的所述混合物中的所述至少一者之外，所述esd保護(hù)層亦可包含用于形成所述絕緣薄片的材料。用于形成所述絕緣薄片的材料可包含batio3、baco3、tio2、nd、bi、zn以及al2o3的一種或至少兩種或大于兩種混合物。所述放電電極的接觸所述esd保護(hù)層的區(qū)域與所述放電電極的不接觸所述esd保護(hù)層的區(qū)域的至少部分可由彼此不同的材料形成。所述放電電極的至少一區(qū)可被移除或具有不同厚度。所述內(nèi)部電極以及所述放電電極可經(jīng)由絲網(wǎng)印刷、微影或鍍敷制程而形成。所述裝置可進(jìn)一步包含安置于所述堆疊式本體的至少一個表面上的表層。所述絕緣薄片的安置有所述內(nèi)部電極、所述放電電極以及所述esd保護(hù)的表面的至少一部分可被涂布，或所述堆疊式本體的表面的至少一部分可被涂布。所述表層可由用于形成所述絕緣薄片的材料與玻璃的混合物形成或通過使用玻璃、聚合物以及陶瓷中的至少一者而形成。所述裝置可進(jìn)一步包含安置于所述堆疊式本體的面向彼此的第三至第六表面與第一表面以及第二表面的至少一部分上的外部電極。安置于所述第三表面至所述第六表面上的所述外部電極可具有對應(yīng)于所述堆疊式本體的對應(yīng)表面的面積的10％至70％的面積。安置于所述第三表面至所述第六表面上的所述外部電極在其一個區(qū)域與其他區(qū)域之間可具有為5μm至100μm的長度差。面向彼此地安置在所述第三表面以及所述第六表面中的相同表面上的所述外部電極可具有彼此不同的形狀或面積。根據(jù)另一例示性實施例，一種電子裝置包含防止觸電的裝置。所述電子裝置可進(jìn)一步包含安置于可與使用者接觸的導(dǎo)體與所述防止觸電的裝置之間且具有彈性的導(dǎo)電接觸部分。所述防止觸電的裝置可執(zhí)行可與所述使用者接觸的所述導(dǎo)體與所述接觸部分之間的dc阻斷以及ac耦接，以防止因esd電壓或?qū)?yīng)于經(jīng)由變壓器輸出的電壓的1倍至1.5倍的電壓而發(fā)生絕緣擊穿。技術(shù)效果根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置可安置在電子裝置的金屬殼與內(nèi)部電路之間，以阻斷自內(nèi)部電路的接地端子傳輸?shù)挠|電電壓。因此，可防止有故障的充電器中產(chǎn)生的觸電電壓自電子裝置內(nèi)的接地端子經(jīng)由金屬殼傳輸至使用者。又，防止觸電的裝置可包含esd保護(hù)部分，且esd保護(hù)部分可具有多孔結(jié)構(gòu)以允許電流流動穿過細(xì)孔。因此，引入的esd可旁通至接地端子以維持裝置的絕緣狀態(tài)。因此，可連續(xù)地阻斷觸電電壓，且自外部施加的esd電壓可旁通至接地端子。又，電容器部分的絕緣薄片(意即介電質(zhì))可具有5至20,000的介電常數(shù)以及1μm至5000μm的厚度。因此，即使裝置的大小增大或減小，仍可將電容維持原狀。又，使電容器部分的內(nèi)部電極變形成浮動型(floatingtype)以使內(nèi)部電極之間的至少一個區(qū)中的絕緣薄片的厚度增加兩倍。因此，盡管晶片大小減小，但可防止絕緣薄片的絕緣電阻失效，從而維持高電壓電阻性質(zhì)。附圖說明自結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述可更詳細(xì)地理解例示性實施例，其中：圖1為根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的透視圖。圖2為沿圖1的線a-a′截取的橫截面圖。圖3為說明根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的經(jīng)修改實例的橫截面圖。圖4為說明根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的表面的示意圖。圖5以及圖6為根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的等效電路圖。圖7以及圖8為說明根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的esd保護(hù)層的橫截面圖以及橫截面相片。圖9為說明根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的esd保護(hù)部分的橫截面相片。圖10為根據(jù)另一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖11至圖13為說明根據(jù)另一例示性實施例的防止觸電的裝置的經(jīng)修改實例的示意圖。圖14為根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖15為根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖16為說明根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的內(nèi)部電極的示意性平面圖。圖17為說明根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的放電電極的示意性平面圖。圖18至圖21為根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖22至圖25為根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖26至圖29為根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖30至圖33為根據(jù)根據(jù)例示性實施例的esd保護(hù)層的各種實驗例的放電開始電壓的視圖。具體實施方式在下文中，將參看附圖詳細(xì)地描述特定實施例。然而，可以不同形式體現(xiàn)本發(fā)明，且不應(yīng)將本發(fā)明解釋為限于本文中所闡述的實施例。實際上，提供此等實施例以使得本發(fā)明將為透徹且完整的，且將向所屬領(lǐng)域中具通常知識者充分傳達(dá)本發(fā)明的范疇。圖1為根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的透視圖，圖2為沿圖1的線a-a′截取的橫截面圖，且圖3為根據(jù)例示性實施例的經(jīng)修改實例的橫截面圖。又，圖4為根據(jù)例示性實施例的經(jīng)修改實例的透視圖，且圖5以及圖6為等效電路圖。參考圖1至圖6，根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置可包含：堆疊式本體(1000)，其上多個絕緣薄片(101至111；100)堆疊；至少一個電容器部分(2000、4000)，提供于堆疊式本體(1000)中且包含多個內(nèi)部電極(201至208；200)；以及esd保護(hù)部分(3000)，包含至少一個放電電極(311以及312；310)以及esd保護(hù)層(320)。意即，包含多個內(nèi)部電極(200)以及放電電極(310)的導(dǎo)電層可在堆疊式本體(1000)內(nèi)安置于選自多個絕緣薄片(100)中的絕緣薄片(100)上。舉例而言，第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)可安置于堆疊式本體(1000)中，且esd保護(hù)層(3000)可安置于第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)之間。意即，第一電容器部分(2000)、esd保護(hù)部分(3000)以及第二電容器部分(4000)堆疊在堆疊式本體(1000)中以實現(xiàn)防止觸電的裝置。又，所述防止觸電的裝置可更包含安置于堆疊式本體(1000)的面向彼此的兩個側(cè)表面上以將第一電容器部分及第二電容器部分(2000、4000)連接至esd保護(hù)部分(3000)的外部電極(5100以及5200；5000)。又，如圖3中所說明，可進(jìn)一步提供安置于堆疊式本體(1000)的至少一個表面上的表層(400)。此處，表層(400)可在厚度方向上安置于堆疊式本體(1000)的頂表面以及底表面上?；蛘?，除了堆疊式本體(1000)的頂表面以及底表面之外，表層(400)可進(jìn)一步安置于四個側(cè)表面上。或者，防止觸電的裝置可包含至少一個電容器部分以及至少一個esd保護(hù)部分。意即，一個電容器部分可安置于esd保護(hù)部分(3000)下方或上方，且至少一個電容器部分可安置于彼此彼此隔開的至少兩個esd保護(hù)部分(3000)上方以及下方。又，esd保護(hù)部分(3000)可安置在堆疊式本體(1000)內(nèi)部或外部。在本實施例中，將描述esd保護(hù)部分(3000)安置在堆疊式本體(1000)內(nèi)部的情況。在esd保護(hù)部分(3000)安置在堆疊式本體(1000)外部時，esd保護(hù)層(320)可安置于堆疊式本體(1000)與外部電極(5000)之間。如圖5中所說明，防止觸電的裝置可安置于電子裝置的可與使用者接觸的導(dǎo)體(例如內(nèi)部電路(20)(例如，pcb))與金屬殼(10)之間。此處，如圖6中所說明，以電性地接觸金屬殼(10)且具有彈性的接觸部分(30)可安置于金屬殼(10)與防止觸電的裝置之間。意即，接觸部分(30)以及根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置可安置于電子裝置的金屬殼(10)與內(nèi)部電路(20)之間。接觸部分(30)可具有彈性以減小自外部將外力施加至電子裝置時的沖擊。接觸部分(30)可由包含導(dǎo)電材料的材料形成。接觸部分(30)可具有夾片形狀且為導(dǎo)電墊圈。又，接觸部分(30)的至少一個區(qū)域可安裝在內(nèi)部電路(20)(例如，pcb)上。如上文所描述，防止觸電的裝置可安置于金屬殼(10)與內(nèi)部電路(20)之間以阻斷自內(nèi)部電路(20)施加的觸電電壓。又，防止觸電的裝置可將esd電壓旁通至接地端子且持續(xù)阻斷觸電電壓，因為絕緣不會被esd破壞。意即，根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置可在觸電電壓或更小電壓下維持絕緣狀態(tài)以阻斷自內(nèi)部電路(20)施加的觸電電壓。又，防止觸電的裝置可在esd電壓或更高電壓下維持導(dǎo)電狀態(tài)以將自外部施加至電子裝置內(nèi)部的esd電壓旁通至接地端子。堆疊式本體(1000)可通過堆疊多個絕緣薄片(101至111；100)而加以制造。堆疊式本體(1000)可具有大致六面體形狀，其具有在一個方向(例如，x方向)及垂直于所述一個方向的另一方向(例如，y方向)上的預(yù)定長度及寬度以及在垂直方向(例如，z方向)上的預(yù)定高度。意即，在外部電極(5000)的形成方向定義為x方向，意即長度方向時，水平地垂直于x方向的方向可定義為y方向，意即寬度方向，且x方向的垂直方向可定義為z方向，意即厚度方向。此處，在x方向上的長度可大于在y方向上的寬度以及在z方向上的高度中的每一者。在y方向上的寬度可等于或不同于在z方向上的高度。在寬度(y方向)與高度(z方向)彼此不同時，寬度可大于或小于高度。舉例而言，長度、寬度與高度的比率可為2至5∶1∶0.5至1。意即，長度可比寬度大2倍至5倍(基于寬度)，且高度可比寬度大0.5倍至1倍(基于寬度)。然而，在x、y以及z方向上的長度可僅為實例。舉例而言，在x、y以及z方向上的長度可根據(jù)連接至防止觸電的裝置的電子裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及防止觸電的裝置的形狀而以不同方式變化。又，至少一個電容器部分(2000、4000)以及至少一個esd保護(hù)部分(3000)可提供于堆疊式本體(1000)中。舉例而言，第一電容器部分(2000)、esd保護(hù)部分(3000)以及第二電容器部分(4000)可安置于薄片(100)的堆疊方向，即z方向上。多個絕緣薄片(100)中的每一者可由含有諸如mlcc、batio3、baco3、tio2、nd2o3、bi2o3、zn0以及al2o3的介電材料粉末中的至少一者的材料形成。因此，多個絕緣薄片(100)中的每一者可根據(jù)其材料而具有預(yù)定介電常數(shù)，例如5至20,000的介電常數(shù)，較佳地，7至5,000的介電常數(shù)，更佳地，200至3,000的介電常數(shù)。又，多個絕緣薄片(100)可具有相同厚度，或至少一個絕緣薄片(100)可具有大于或小于其他絕緣薄片(100)的厚度的厚度。意即，esd保護(hù)部分(3000)的絕緣薄片可具有不同于第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者的絕緣薄片的厚度的厚度。又，安置于esd保護(hù)部件(3000)與第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間的絕緣薄片中的每一者可具有不同于另一絕緣薄片的厚度的厚度。舉例而言，安置于esd保護(hù)部分(3000)與第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間的絕緣薄片中的每一者，即第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者，可具有小于或等于esd保護(hù)部分(3000)的絕緣薄片的厚度的厚度(即，第六絕緣薄片(106))或具有小于或等于安置于第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極之間的絕緣薄片(102至104，108至110)中的每一者的厚度的厚度。意即，esd保護(hù)部分(3000)與第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的空間可小于或等于第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極之間的空間，或可小于或等于esd保護(hù)部分(3000)的厚度。或者，第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)的絕緣薄片(102至104；108至110)可具有相同厚度，或一個絕緣薄片可具有小于或大于其他絕緣薄片的厚度的厚度。第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)的絕緣薄片(102至104，108至110)中的一者可具有不同厚度以調(diào)整電容。絕緣薄片(100)中的每一者可具有為1μm至5000μm的厚度。此處，絕緣薄片(100)中的每一者可具有絕緣薄片在施加esd時不會斷裂的厚度。意即，在絕緣薄片(100)施加至具有相對較小大小的防止觸電的裝置時，絕緣薄片(100)中的每一者可具有薄的厚度。另一方面，在絕緣薄片(100)施加至具有相對較大大小的防止觸電的裝置時，絕緣薄片(100)中的每一者可具有絕緣薄片在施加esd的所有情境下均不斷裂的厚度。舉例而言，在堆疊相同數(shù)目個絕緣薄片(100)時，防止觸電的裝置的大小愈小，厚度愈小。又，防止觸電的裝置的大小愈大，厚度愈大?；蛘撸〗^緣薄片(100)可施加至具有相對較大大小的防止觸電的裝置。在此情況下，絕緣薄片的堆疊數(shù)目可增大。又，堆疊式本體(1000)可進(jìn)一步包含下部蓋層(未圖示)以及上部蓋層(未圖示)，其分別安置于第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者的上部部分與下部部分上。或者，第一絕緣薄片(101)可充當(dāng)下部蓋層，且第十一絕緣薄片(111)可充當(dāng)上部蓋層。下部蓋層以及上部蓋層可通過將多個鐵氧體薄片堆疊在彼此之上而制備且具有相同厚度。此處，非磁性薄片，例如由玻璃材料形成的薄片，可進(jìn)一步安置于由鐵氧體薄片構(gòu)成的下部蓋層以及上部蓋層的最外部分(即，所述蓋層的下部部分以及上部部分的表面)上。又，下部蓋層以及上部蓋層中的每一者可具有大于其中的絕緣薄片(即，第二絕緣薄片至第十絕緣薄片(102至110))中的每一者的厚度的厚度。因此，在第一絕緣薄片以及第十一絕緣薄片(101、111)分別充當(dāng)下部蓋層與上部蓋層時，第一絕緣薄片以及第十一絕緣薄片(101、111)中的每一者可具有大于第二絕緣薄片(102)至第十絕緣薄片(110)中的每一者的厚度的厚度。在提供下部覆蓋層以及上部覆蓋層時，覆蓋層可安置在表層(400)下方。意即，覆蓋層可安置于堆疊式本體(1000)的上部以及下部部分上，且表層(400)可安置于覆蓋層的表面上。因此，至少堆疊式本體(1000)的頂表面及底表面可不曝露于外部，但表層(400)可曝露于外部。第一電容器部分(2000)可安置于esd保護(hù)部分(3000)下方，且包含至少兩個內(nèi)部電極以及在所述至少兩個內(nèi)部電極之間的至少兩個絕緣薄片。舉例而言，第一電容器部分(2000)可包含第一絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)以及分別安置于第一絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)上的第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)。舉例而言，第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)中的每一者可具有為1μm至10μm的厚度。此處，第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)可具有連接至外部電極(5100以及5200；5000)(在x方向上面向彼此)的一側(cè)以及彼此隔開的另一側(cè)。第一內(nèi)部電極與第三內(nèi)部電極(201、203)分別具有在第一絕緣薄片與第三絕緣薄片(101、103)上的預(yù)定面積。又，第一內(nèi)部電極以及第三內(nèi)部電極(201、203)中的每一者使一側(cè)連接至第一外部電極(5100)，且使另一側(cè)與第二外部電極(5200)隔開。第二內(nèi)部電極與第四內(nèi)部電極(202、204)可分別具有在第二絕緣薄片與第四絕緣薄片(102、104)上的預(yù)定面積。又，第二內(nèi)部電極以及第四內(nèi)部電極(202、204)中的每一者可使一側(cè)連接至第二外部電極(5200)，且使另一側(cè)與第一外部電極(5100)隔開。意即，第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)可交替地連接至外部電極(5000)中的一者，以允許第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)的預(yù)定面積分別與第二絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)重疊，其中第二絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)處于其間。此處，第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)中的每一者具有對應(yīng)于第一絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)中的每一者的面積的10％至95％的面積。又，第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)中的每一者的面積與其總面積的10％至95％可重疊。第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)中的每一者可具有各種形狀，諸如具有預(yù)定寬度以及距離的正方形形狀、矩形形狀、預(yù)定圖案形狀以及螺旋形形狀。第一電容器部分(2000)在第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)之間具有電容?？筛鶕?jù)第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)中的每一者的長度或重疊面積以及絕緣薄片(101)至(104)中的每一者的厚度來調(diào)整所述電容。除了第一內(nèi)部電極至第四內(nèi)部電極(201至204)之外，第一電容器部分(2000)可更包含至少一個內(nèi)部電極以及至少一個絕緣薄片，所述至少一個內(nèi)部電極安置于所述至少一個絕緣薄片上。又，第一電容器部分(2000)可包含兩個內(nèi)部電極。盡管作為一實例而描述包含四個內(nèi)部電極的第一電容器部分(2000)，但可提供至少兩個內(nèi)部電極，即多個內(nèi)部電極。esd保護(hù)部分(3000)可包含垂直地彼此隔開的至少兩個放電電極(311以及312；310)以及安置于至少兩個放電電極(310)之間的至少一個esd保護(hù)層(320)。舉例而言，esd保護(hù)部分(3000)可包含第五絕緣薄片以及第六絕緣薄片(105、106)、分別安置于第五絕緣薄片與第六絕緣薄片(105、106)上的第一放電電極與第二放電電極(311、312)，以及穿過第六絕緣薄片(106)的esd保護(hù)層。此處，esd保護(hù)層(320)可使至少一部分連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)。第一放電電極以及第二放電電極(311、312)可具有與電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(200)中的每一者相同的厚度。舉例而言，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者可具有為1μm至10μm的厚度。然而，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者可具有小于電容器部分(2000、4000)中的每一者的內(nèi)部電極(200)的厚度的厚度。第一放電電極(311)可連接至第一外部電極(5100)且安置于第五絕緣薄片(105)上，且使一端連接至esd保護(hù)層(320)。第二放電電極(312)連接至第二外部電極(5200)且安置于第六絕緣薄片(106)上，且使一端連接至esd保護(hù)層(320)。此處，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的接觸esd保護(hù)層(320)的面積可等于或小于esd保護(hù)層(320)的面積。又，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)可與esd保護(hù)層(320)完全重疊，而不超出esd保護(hù)層(320)。意即，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)的邊緣可垂直地匹配esd保護(hù)層(320)的邊緣以形成垂直組件?；蛘?，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)可與esd保護(hù)層(320)的一部分重疊。舉例而言，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者可與esd保護(hù)層(320)的水平面積的10％至100％重疊。意即，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的末端可經(jīng)形成而不超出esd保護(hù)層(320)。第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的與esd保護(hù)層(320)接觸的面積可大于第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的不接觸esd保護(hù)層(320)的面積。esd保護(hù)層(320)可連接至第六絕緣薄片(106)的預(yù)定區(qū)域。舉例而言，esd保護(hù)層(320)可安置于中心部分處且連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)。此處，esd保護(hù)層(320)的至少一部分可與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者重疊。意即，esd保護(hù)層(320)的水平面積的10％至100％可與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者重疊。esd保護(hù)層(320)可在預(yù)定區(qū)域(例如，第六絕緣薄片(106)的中心部分)中具有具預(yù)定大小的通孔。接著，可通過使用印刷制程涂覆或填充通孔的至少一部分。esd保護(hù)層(320)可具有對應(yīng)于堆疊式本體(1000)的厚度的1％至2％的厚度以及對應(yīng)于堆疊式本體(1000)在一個方向上的長度的3％至50％的長度。此處，在esd保護(hù)層(320)提供為多個時，多個esd保護(hù)層(320)的厚度的總和可為堆疊式本體(1000)的厚度的1％至5％。又，esd保護(hù)層(320)可具有在至少一個方向(例如，x方向)上的長孔洞形狀，且在x方向上的長度可為絕緣薄片(100)在x方向上的長度的5％至75％。又，esd保護(hù)層(320)在y方向上的寬度可為絕緣薄片(100)在y方向上的寬度的3％至50％。舉例而言，esd保護(hù)層(320)可具有為50μm至1,000μm的直徑以及為5μm至200μm的厚度。此處，在esd保護(hù)層(320)的厚度較薄時，放電開始電壓可能會減小。esd保護(hù)層(320)可由導(dǎo)電材料以及絕緣材料形成。此處，絕緣材料可為具有多個孔的多孔絕緣材料。舉例而言，導(dǎo)電陶瓷與絕緣陶瓷的混合材料可印刷在第六絕緣薄片(106)上以形成esd保護(hù)層(320)。esd保護(hù)層(320)可安置于至少一個絕緣薄片(100)上。意即，esd保護(hù)層(320)可安置于垂直地堆疊在彼此之上的至少一個絕緣薄片(100)(例如，兩個絕緣薄片(100))上。此處，放電電極可彼此隔開地安置于絕緣薄片(100)上且連接至esd保護(hù)層(320)。稍后將更詳細(xì)地描述esd保護(hù)層(320)的結(jié)構(gòu)以及材料。第二電容器部分(4000)可安置于esd保護(hù)部分(3000)上方，且包含至少兩個內(nèi)部電極以及在所述至少兩個內(nèi)部電極之間的至少兩個絕緣薄片。舉例而言，第二電容器部分(2000)可包含第七絕緣薄片至第十絕緣薄片(107至110)以及分別安置于第七絕緣薄片至第十絕緣薄片(107至110)上的第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)。此處，第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)可具有連接至外部電極(5100以及5200；5000)(在x方向上面向彼此)的一側(cè)以及彼此隔開的另一側(cè)。第五內(nèi)部電極以及第七內(nèi)部電極(205、207)中的每一者在第七絕緣薄片以及第九絕緣薄片(107、109)中的每一者上具有預(yù)定面積。又，第五內(nèi)部電極以及第七內(nèi)部電極(205、207)中的每一者使一側(cè)連接至第一外部電極(5100)，且使另一側(cè)與第二外部電極(5200)隔開。第六內(nèi)部電極與第八內(nèi)部電極(206、208)可分別在第八絕緣薄片與第十絕緣薄片(108、110)上具有預(yù)定面積。又，第二內(nèi)部電極以及第四內(nèi)部電極(202、204)中的每一者可使一側(cè)連接至第二外部電極(5200)，且使另一側(cè)與第一外部電極(5100)隔開。意即，第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)可交替地連接至外部電極(5000)中的一者以允許第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)的預(yù)定面積分別與第八絕緣薄片至第十絕緣薄片(108、110)重疊，其中第八絕緣薄片至第十絕緣薄片(108、110)處于其間。此處，第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)中的每一者具有對應(yīng)于第七絕緣薄片至第十絕緣薄片(107至110)中的每一者的面積的10％至85％的面積。又，第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)中的每一者的面積與其總面積的10％至85％可重疊。舉例而言，第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)中的每一者可具有為1μm至10μm的厚度。第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)中的每一者可具有各種形狀，諸如具有預(yù)定寬度以及距離的正方形形狀、矩形形狀、預(yù)定圖案形狀以及螺旋形形狀。第二電容器部分(4000)在第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)之間具有電容?？筛鶕?jù)第五內(nèi)部電極至第八內(nèi)部電極(205至208)中的每一者的重疊面積以及絕緣薄片(108至110)中的每一者的厚度來調(diào)整所述電容。除了第三內(nèi)部電極以及第四內(nèi)部電極(203、204)之外，第二電容器部分(4000)可更包含至少一個內(nèi)部電極以及至少一個絕緣薄片，所述至少一個內(nèi)部電極安置于所述至少一個絕緣薄片上。又，第二電容器部分(4000)可包含兩個內(nèi)部電極。盡管作為一實例而描述包含四個內(nèi)部電極的第二電容器部分(4000)，但可提供至少兩個內(nèi)部電極，即多個內(nèi)部電極。第一電容器部分(2000)的內(nèi)部電極(201至204)中的每一者與第二電容器部分(4000)的內(nèi)部電極(205至208)中的每一者可具有相同形狀以及面積，且亦具有相同重疊面積。又，第一電容器部分(2000)的絕緣薄片(101至104)中的每一者與第二電容器部分(4000)的絕緣薄片(107至110)中的每一者可具有相同厚度。此處，在第一絕緣薄片(101)充當(dāng)下部蓋層時，第一絕緣薄片(101)可具有大于其余絕緣薄片中的每一者的厚度的厚度。因此，第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)可具有相同電容。然而，第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)可具有彼此不同的電容。在此情況下，內(nèi)部電極的面積中的至少一者、內(nèi)部電極的重疊面積以及絕緣薄片的厚度可彼此不同。又，電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(201至208)中的每一者可具有大于esd保護(hù)部分(3000)的放電電極(310)的長度的長度以及大于放電電極(310)的面積的面積。電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(201至208)可具有對應(yīng)于堆疊式本體(1000)的厚度的0.05％至50％的厚度。意即，內(nèi)部電極(201至208)的厚度的總和可為堆疊式本體(1000)的厚度的0.05％至50％。此處，內(nèi)部電極(201至208)可具有相同厚度，或內(nèi)部電極(201至208)中的至少一者可具有不同厚度。舉例而言，內(nèi)部電極(201至208)中的至少一者可比其他內(nèi)部電極中的每一者厚。又，內(nèi)部電極(201至208)中的每一者的至少一個區(qū)可具有不同于其他區(qū)的厚度的厚度。然而，在內(nèi)部電極(201至208)中的至少一者具有不同厚度，且內(nèi)部電極(201至208)中的每一者的至少一個區(qū)具有不同厚度時，內(nèi)部電極(201至208)的厚度的總和可為堆疊式本體(1000)的厚度的0.05％至50％。又，電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(201至208)可具有對應(yīng)于堆疊式本體(1000)的橫截面積的0.05％至50％的橫截面積。意即，內(nèi)部電極(201至208)在厚度方向(意即，z方向)上的橫截面積的總和可為堆疊式本體(1000)的橫截面積的0.05％至50％。此處，內(nèi)部電極(201至208)可具有相同橫截面積，或內(nèi)部電極(201至208)中的至少一者可具有不同橫截面積。然而，內(nèi)部電極(201至208)中的至少一者具有不同橫截面積，內(nèi)部電極(201至208)的橫截面積的總和可為堆疊式本體(1000)的橫截面積的0.05％至50％。又，電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(201至208)可具有對應(yīng)于絕緣薄片(100)的長度以及寬度的95％或更小的長度以及寬度。意即，內(nèi)部電極(201至208)中的每一者在x方向上的長度可為絕緣薄片(100)在x方向上的長度的10％至95％，且在y方向上的寬度可為絕緣薄片(100)在y方向上的寬度的10％至95％。然而，因為內(nèi)部電極(201至208)的至少一部分必須與絕緣薄片(100)重疊，且絕緣薄片(100)位于其間，因此內(nèi)部電極(201至208)中的每一者可具有對應(yīng)于絕緣薄片(100)的長度以及寬度的50％至95％、較佳絕緣薄片(100)的長度以及寬度的80％至90％的長度以及寬度。此處，內(nèi)部電極(210至208)中的至少一者可具有不同于其他內(nèi)部電極的長度的長度。舉例而言，一個內(nèi)部電極可具有大于或小于其他內(nèi)部電極中的每一者的長度的長度。在一個內(nèi)部電極具有大于其他內(nèi)部電極中的每一者的長度的長度時，重疊面積可增大。另一方面，在一個內(nèi)部電極具有小于其他內(nèi)部電極中的每一者的長度的長度時，重疊面積可減小。因此，至少一個內(nèi)部電極可具有不同長度以調(diào)整電容。外部電極(5100、5200；5000)安置于堆疊式本體(1000)的面向彼此的兩個側(cè)表面上，且連接至第一電容器部分及第二電容器部分(2000、4000)以及esd保護(hù)部分(3000)的內(nèi)部電極。外部電極(5000)可安置于堆疊式本體(1000)的面向彼此的兩個側(cè)表面上，意即堆疊式本體(1000)的除了第一表面以及第二表面之外的頂表面及底表面，意即，第三表面以及第四表面中的至少一個表面。意即，外部電極(5000)可安置于堆疊式本體(1000)的面向彼此的所有第一以及第二表面上，且亦安置于第三表面以及第四表面中的至少一者上?；蛘?，如圖4中所說明，除了第一表面至第四表面之外，外部電極(5000)亦可安置于第五表面以及第六表面上。此處，外部電極可安置于堆疊式本體(1000)的所有第一表面以及第二表面上。因此，堆疊式本體(1000)的第一表面以及第二表面可不曝露。又，外部電極(5000)可安置于第三至第六表面中的至少一個表面上。較佳地，如圖4中所說明，安置于第三至第六表面上的外部電極(5000)可彼此隔開，堆疊式本體(1000)的中心部分位于其間。因此，安置于堆疊式本體(1000)的第三至第六表面上的外部電極(5000)可曝露堆疊式本體(1000)的表面。此處，安置于堆疊式本體(1000)的第三至第六表面上的外部電極(5000)在縱向方向(意即，x方向)上可具有對應(yīng)于堆疊式本體(1000)的對應(yīng)面積的10％至70％的面積。又，如圖4中所說明，在外部電極(5000)中，安置于堆疊式本體(1000)的第三至第六表面上的部分的中心部分可大于其邊緣部分。意即，外部電極(5000)可在形狀上圓化，其中自第一表面以及第二表面的其長度自兩個表面彼此接觸的邊緣至所述表面中的每一者的中心部分增大。此處，最長部分與最短部分之間的差可為(例如)5μm至100μm。意即，中心部分可比邊緣長5μm至100μm。分別安置在第三表面以及第四表面上的第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)的部分可具有彼此不同的形狀和/或面積。又，分別安置在第五表面以及第六表面上的第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)的部分可具有彼此不同的形狀和/或面積。外部電極(5000)中的每一者可提供為至少一個層。外部電極(5000)可由諸如ag的金屬層形成，且至少一個鍍層可安置于金屬層上。舉例而言，外部電極(5000)可通過堆疊銅層、ni鍍層以及sn或sn/ag鍍層而形成?；蛘?，鍍層可通過堆疊銅鍍層與sn鍍層或通過堆疊堆疊cu鍍層、ni鍍層以及sn鍍層而形成。又，外部電極(5000)可通過混合(例如)使用0.5％至20％的bi2o3或sio2作為主要成分的多組分玻璃粉(glassfrit)與金屬粉末而形成。此處，玻璃粉與金屬粉末的混合物可制備成膏體形式，且涂覆至堆疊式本體(1000)的兩個表面。如上文所描述，因為玻璃粉含于外部電極(5000)中，因此可改良外部電極(5000)與堆疊式本體(1000)之間的黏著力，且可改良內(nèi)部電極(200)與外部電極(5000)之間的接觸反應(yīng)。又，在涂覆含有玻璃的導(dǎo)電膏之后，至少一個鍍層可安置于導(dǎo)電膏上以形成外部電極(5000)。意即，可提供含有玻璃的金屬層，且至少一個鍍層可安置于所述金屬層上以形成外部電極(5000)。舉例而言，在外部電極(5000)中，在形成含有玻璃粉以及ag與cu中的至少一者的層之后，可執(zhí)行電鍍或無電極鍍敷以連續(xù)地形成ni鍍層以及sn鍍層。此處，sn鍍層可具有等于或大于ni鍍層的厚度的厚度?；蛘?，可通過僅使用至少一個鍍層來形成外部電極(5000)。意即，可在不涂覆膏體的情況下執(zhí)行鍍敷制程至少一次以形成至少一個鍍層，由此形成外部電極(5000)。外部電極(5000)可具有為2μm至100μm的厚度。此處，ni鍍層可具有為1μm至10μm的厚度，且sn或sn/ag鍍層可具有為2μm至10μm的厚度。又，如圖3中所說明，表層(400)可安置于堆疊式本體(1000)的至少一個表面上。舉例而言，表層(400)可安置于堆疊式本體(1000)在z方向上的頂表面及底表面上且進(jìn)一步安置于堆疊式本體(1000)的第四側(cè)表面上。表層(400)可由堆疊式本體(1000)的組分形成，意即，混合了絕緣薄片(100)的組分與玻璃組分的絕緣材料。意即，表層(400)可通過使用混合了諸如mlcc、batio3、baco3、tio2、nd2o3、bi2o3、zn0以及al2o3的介電材料粉末中的至少一者與玻璃的材料形成。此處，使用絕緣薄片組分與玻璃組分的混合物的表層(400)可安置于堆疊式本體(1000)的頂表面及底表面上。又，表層(4000)可通過使用玻璃、聚合物以及陶瓷中的至少一者而形成。此處，聚合物可包含聚對二甲苯(parylene)、鐵氟龍(teflon)，及類似者。意即，表層(400)可通過使用玻璃、聚合物以及陶瓷中的每一者或使用玻璃、聚合物以及陶瓷的至少兩種混合物而安置于六個表面上，包含除安置外部電極(5000)的表面以外的四個表面或安置外部電極(5000)的表面。電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(201至208)以及esd保護(hù)部分(3000)的放電電極(311、312)可由諸如ag、al、cu、cr、ni、mo的金屬或其合金形成。意即，內(nèi)部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可由一種金屬或至少兩種金屬合金形成。或者，內(nèi)部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可由具有導(dǎo)電性的金屬氧化物或金屬氮化物形成。又，電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(201至208)以及esd保護(hù)部分(3000)的放電電極(311以及312；310)中的每一者可經(jīng)由各種方法形成。舉例而言，電極可通過經(jīng)由絲網(wǎng)印刷方法涂覆導(dǎo)電膏而形成。又，電極可使用光微影過程形成。意即，在導(dǎo)電層形成于絕緣薄片(100)上之后，可經(jīng)由使用預(yù)定掩模的光微影以及蝕刻過程圖案化導(dǎo)電層以形成電極。此處，導(dǎo)電層可經(jīng)由諸如濺鍍以及cvd的各種方法形成。又，電極可使用鍍敷制程形成。意即，在感光干膜形成于絕緣薄片(100)上之后，可通過使用預(yù)定掩模執(zhí)行光微影以及顯影過程以曝露預(yù)定區(qū)域，且可執(zhí)行鍍敷制程以自曝露區(qū)域生長鍍層，由此形成各自具有預(yù)定圖案的電極。此處，可在晶種層首先形成于絕緣薄片(100)上之后執(zhí)行執(zhí)行鍍敷制程。在完成鍍敷制程之后移除感光干膜時，可移除殘留在電極圖案以外的區(qū)域上的晶種層。又，內(nèi)部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可含有用于形成堆疊式本體(1000)的組分。意即，內(nèi)部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可含有用于形成絕緣薄片(100)的組分以及導(dǎo)電材料。意即，內(nèi)部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可通過使用包含諸如mlcc、batio3、baco3、tio2、nd2o3、bi2o3、zn0以及al2o3的介電材料粉末中的至少一者的導(dǎo)電材料而形成。此處，堆疊式本體的組分(意即，絕緣薄片的組分)可以20％的比率接觸導(dǎo)電材料。舉例而言，在絕緣薄片的組分與導(dǎo)電材料的混合物為100時，絕緣薄片的組分可接觸約1至約20的比率。如上文所描述，因為含有絕緣薄片的組分，因此內(nèi)部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可具有類似于堆疊式本體(1000)的收縮率的收縮率。因此，可改良電極與絕緣薄片(100)之間的耦接力。此處，esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的距離可小于或等于電容器部分(2000、4000)內(nèi)的兩個內(nèi)部電極之間的距離。意即，安置于esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置于電容器部分(2000、4000)內(nèi)的內(nèi)部電極(200)之間的絕緣薄片(102至104，107至110)中的每一者的厚度的厚度。又，esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的距離可小于或等于esd保護(hù)部分(3000)的兩個放電電極(310)之間的距離。意即，安置于esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置有esd保護(hù)層(320)的第六絕緣薄片(106)的厚度的厚度。結(jié)果，安置于esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置于電容器部分(2000、4000)內(nèi)的內(nèi)部電極(200)之間的絕緣薄片(102至104，107至110)中的每一者的厚度的厚度，或具有小于或等于esd保護(hù)部分(3000)的兩個放電電極(310)之間的距離b的厚度。意即，若esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)之間的距離為a1以及a2，電容器部分(2000、4000)內(nèi)的兩個內(nèi)部電極之間的距離為c1以及c2，且esd保護(hù)部分(3000)的兩個放電電極300之間的距離為b，則可滿足以下由a1＝a2≤c1＝c2或a1＝a2≤b表達(dá)的式子?；蛘?，距離a1可不同于距離a2，且距離c1可不同于距離c2。最下部絕緣薄片以及最上部絕緣薄片(即，第一絕緣薄片以及第十一絕緣薄片(101、111))中的每一者可具有大于10μm的厚度，且對應(yīng)于堆疊式本體(1000)的厚度的50％或小于50％。此處，在第一絕緣薄片(101)與第十一絕緣薄片(111)分別具有厚度d1與d2時，可滿足以下由b≤d1＝d2表達(dá)的式子，其中厚度d1可不同于厚度d2。安置有內(nèi)部電極(201至208)的絕緣薄片(100)、安置有放電電極(311、312)的絕緣薄片(100)以及安置有esd保護(hù)層的絕緣薄片可以硅加以涂布?；蛘撸询B式本體(1000)可以硅加以涂布。此處，可在形成了表層(400)且未形成外部電極(5000)的狀態(tài)中或在形成外部電極(5000)之后涂布堆疊式本體(1000)。此處，可經(jīng)由諸如噴射方法以及浸漬方法的各種方法執(zhí)行硅涂布。如上文所描述，因為絕緣薄片(100)和/或堆疊式本體(1000)被涂布，因此可改良防止觸電的裝置的可靠性。意即，若濕氣滲透至絕緣薄片(100)和/或堆疊式本體(1000)中，可靠性可能劣化。因此，以硅涂布絕緣薄片(100)和/或堆疊式本體(1000)以防止?jié)駳鉂B透，由此防止可靠性劣化。盡管根據(jù)例示性實施例提供在堆疊式本體(1000)內(nèi)包含一個esd保護(hù)層(320)的esd保護(hù)部分(3000)，但可提供兩個或大于兩個esd保護(hù)層(320)，即多個esd保護(hù)層，且esd保護(hù)部分(3000)可提供多個。舉例而言，至少兩個esd保護(hù)層(320)可垂直地安置，且放電電極可進(jìn)一步安置于所述esd保護(hù)層(320)之間以使得可通過至少一個電容器部分以及至少兩個esd保護(hù)部分構(gòu)成一個防止觸電的裝置。又，電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(200)以及esd保護(hù)部分(3000)的放電電極(310)及esd保護(hù)層(320)可在y方向上提供至少兩個或大于兩個。因此，可在一個堆疊式本體(1000)內(nèi)提供彼此平行的多個防止觸電的裝置。圖7以及圖8為說明根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的esd保護(hù)層(320)的橫截面圖以及橫截面相片。又，圖9為包含esd保護(hù)層(320)以及放電電極(310)的esd保護(hù)部分(3000)的橫截面相片。如圖7(a)以及圖8(a)中所說明，可通過混合導(dǎo)電材料與絕緣材料而形成esd保護(hù)層(320)。意即，混合了導(dǎo)電材料與絕緣材料的esd保護(hù)材料可涂覆至或填充至形成于至少一個薄片(100)中的通孔的至少一部分中，以形成esd保護(hù)層(320)。舉例而言，可通過使用混合了導(dǎo)電陶瓷與絕緣陶瓷的esd保護(hù)材料來形成esd保護(hù)層(320)。在此情況下，可通過以例如10∶90至90∶10的混合比率混合導(dǎo)電陶瓷與絕緣陶瓷而形成esd保護(hù)層(320)。絕緣陶瓷的混合比率愈大，放電開始電壓愈大。又，導(dǎo)電陶瓷的混合比率愈大，放電開始電壓愈小。因此，可調(diào)整導(dǎo)電陶瓷與絕緣陶瓷的混合比率以獲得預(yù)定放電開始電壓。此處，多個孔(未圖示)可形成于esd保護(hù)層(320)中。意即，因為esd保護(hù)層(320)使用多孔絕緣材料，因此可形成多個孔。因為形成了孔，因此可更容易地將esd電壓旁通至接地端子。又，esd保護(hù)層(300)可具有堆疊了導(dǎo)電層與絕緣層的預(yù)定堆疊結(jié)構(gòu)。意即，導(dǎo)電層與絕緣層可堆疊至少一次以便彼此分隔，由此形成esd保護(hù)層(300)。舉例而言，esd保護(hù)層(320)可具有堆疊了導(dǎo)電層與絕緣層的兩層結(jié)構(gòu)或堆疊了導(dǎo)電層、絕緣層以及導(dǎo)電層的三層結(jié)構(gòu)。又，導(dǎo)電層(321)以及絕緣層(322)可堆疊若干次以形成至少三層結(jié)構(gòu)。舉例而言，如圖7(b)中所說明，可形成具有堆疊了第一導(dǎo)電層(321a)、絕緣層(322)以及第二導(dǎo)電層(321b)的三層結(jié)構(gòu)的esd保護(hù)層(300)。圖8(b)說明在安置于絕緣薄片之間的內(nèi)部電極之間具有三層結(jié)構(gòu)的esd保護(hù)層的相片。在導(dǎo)電層與絕緣層堆疊若干次時，導(dǎo)電層可安置在最上部層以及最下部層處。此處，多個孔(未圖示)可形成于導(dǎo)電層(321)以及絕緣層(322)中的每一者的至少一部分中。舉例而言，因為安置于導(dǎo)電層(321)之間的絕緣層具有多孔結(jié)構(gòu)，因此多個孔可形成于絕緣層(322)中。又，空隙(void)可進(jìn)一步形成于esd保護(hù)層(320)的預(yù)定區(qū)域中。舉例而言，空隙可經(jīng)形成于混合了導(dǎo)電材料與絕緣材料的層之間或形成于導(dǎo)電層與絕緣層之間。意即，可堆疊混合了導(dǎo)電層與絕緣材料的第一混合層、空隙以及第二混合層，或可堆疊導(dǎo)電層、空隙以及絕緣層。舉例而言，如圖7(c)中所說明，第一導(dǎo)電層(321a)、第一絕緣層(322a)、空隙(323)、第二絕緣層(322b)以及第二導(dǎo)電層(321b)可經(jīng)堆疊以形成esd保護(hù)層(320)。意即，絕緣層(322)可安置于導(dǎo)電層(321)之間，且空隙可形成于絕緣層(322)之間。圖8(c)說明具有上述堆疊結(jié)構(gòu)的esd保護(hù)層(320)的橫截面的相片?；蛘?，導(dǎo)電層、絕緣層以及空隙可重復(fù)堆疊以形成esd保護(hù)層(320)。在堆疊導(dǎo)電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)時，導(dǎo)電層(321)、絕緣層(322)與空隙(323)可具有相同厚度，或?qū)щ妼?321)、絕緣層(322)以及空隙(323)中的至少一者可具有小于其他組件的厚度的厚度。舉例而言，空隙(323)可具有小于導(dǎo)電層(321)以及絕緣層(322)中的每一者的厚度的厚度。又，導(dǎo)電層(321)可具有與絕緣層(322)相同的厚度，或具有大于或小于絕緣層(322)的厚度的厚度?？稍诰酆衔锊牧现髨?zhí)行填充燃燒過程，且接著，可移除聚合物材料以形成空隙(323)。舉例而言，含有導(dǎo)電陶瓷的第一聚合物材料、含有絕緣陶瓷的第二聚合物材料以及不含導(dǎo)電陶瓷或絕緣陶瓷的第三聚合物材料可填充至介層孔中，且接著，執(zhí)行燃燒過程以移除聚合物材料，由此形成導(dǎo)電層、絕緣層以及空隙?？障?323)可經(jīng)形成而不與其他層分離。舉例而言，絕緣層(322)可安置于導(dǎo)電層(321a、321b)之間，且多個空隙垂直地或水平地連接至絕緣層(322)的內(nèi)部以形成空隙(323)。意即，空隙(323)可提供為絕緣層(322)內(nèi)的多個孔。或者，空隙(323)可作為多個孔形成于導(dǎo)電層(321)中。又，在esd保護(hù)層(320)中，含有多孔絕緣材料以及導(dǎo)電材料的esd保護(hù)材料可涂覆至孔洞的一部分，但不涂覆至其他部分，以形成空隙。或者，在esd保護(hù)層(320)中，esd保護(hù)材料形成于通孔中，且空隙可形成于兩個放電電極(311、312)之間。意即，如圖9中所說明，esd保護(hù)層(320)可具有在一個方向(例如，圖1中的縱向方向(意即，x方向))的長形狀，且多個孔可形成于esd保護(hù)層(320)中。又，放電電極(311、312)可安置于esd保護(hù)層(320)的上部部分以及下部部分上。此處，放電電極(311、312)中的每一者的至少一個區(qū)可被移除或具有不同厚度。意即，放電電極(311、312)中的每一者的至少一個區(qū)可具有多孔(porous)。然而，盡管放電電極(311、312)中的每一者被部分移除，但可維持放電電極(310)在平面上的完全連接配置而不被切割以防止電特性顯著劣化。如上文所描述，在放電電極(311、312)中的每一者的至少一個區(qū)被移除或具有不同厚度時，放電電極(311、312)中的每一者可具有電阻以減小esd電壓的能量位準(zhǔn)。因此，可實現(xiàn)更有效的放電。用于esd保護(hù)層(320)的導(dǎo)電層(321)可具有預(yù)定電阻以允許電流流動。舉例而言，導(dǎo)電層(321)可為具有若干ω至數(shù)十mω電阻的電阻器。在過量引入諸如esd的電壓時，導(dǎo)電層(321)可降低能量位準(zhǔn)以防止防止觸電的裝置因過電壓而在結(jié)構(gòu)上斷裂。意即，導(dǎo)電層(321)可充當(dāng)將電能轉(zhuǎn)化為熱能的散熱片(heatsink)?？赏ㄟ^使用導(dǎo)電陶瓷而形成導(dǎo)電層(321)。導(dǎo)電陶瓷可使用含有l(wèi)a、ni、co、cu、zn、ru、ag、pd、pt、w、fe以及bi中的至少一者的混合物。又，導(dǎo)電層(321)可具有為1μm至50μm的厚度。意即，在導(dǎo)電層(321)提供為多個層時，導(dǎo)電層(321)的厚度的總和可為1μm至50μm。又，用于esd保護(hù)層(320)的絕緣層(322)可由放電誘發(fā)材料形成以充當(dāng)具有多孔結(jié)構(gòu)的電障壁。絕緣層(322)可由絕緣陶瓷形成，且具有為約50至約50,000的介電常數(shù)的鐵電材料可用作絕緣陶瓷。舉例而言，絕緣陶瓷可通過使用含有諸如mlcc、sio2、fe2o3、co3o4、batio3、baco3、tio2、nd、bi、zn以及al2o3的介電材料粉末中的至少一者的混合物形成。絕緣層(322)可具有多孔結(jié)構(gòu)，其中各自具有約1nm至約30μm的大小的多個孔經(jīng)形成以具有30％至80％的孔隙率。此處，所述孔之間的最短距離可為約1nm至約50μm。意即，在絕緣層(322)中，孔隙率愈大，孔之間的距離可能愈大，且孔的大小愈大，孔之間的距離可能愈大。盡管絕緣層(322)是由電流不會流過的電絕緣材料形成，但因為形成了孔，因此電流可流過所述孔。此處，在孔的大小增大或孔隙率增大時，放電開始電壓可能會減小。另一方面，在孔的大小減小或孔隙率減小時，放電開始電壓可能會增大。然而，若孔的大小超過30μm，或孔隙率超過80％，則可能難以維持esd保護(hù)層(320)的配置。因此，為維持esd保護(hù)層(320)的配置，可調(diào)整放電開始電壓以調(diào)整孔的大小以及絕緣層(322)的孔隙率。在esd保護(hù)層(320)是由絕緣材料與導(dǎo)電材料的混合材料形成時，絕緣材料可使用具有細(xì)孔以及小孔隙率的絕緣陶瓷。又，絕緣層(322)可由于細(xì)孔而具有小于絕緣薄片(100)的電阻的電阻，且可經(jīng)由所述細(xì)孔執(zhí)行部分放電。意即，細(xì)孔形成于絕緣層(322)中，且因此，經(jīng)由所述細(xì)孔執(zhí)行部分放電。絕緣層(322)可具有為1μm至50μm的厚度。意即，在絕緣層(322)提供為多個層時，絕緣層(322)的厚度的總和可為1μm至50μm。又，esd保護(hù)層(320)可包含絕緣薄片(100)的組分以及多孔絕緣材料及導(dǎo)電材料。意即，esd保護(hù)層(320)可通過使用包含諸如mlcc、batio3、baco3、tio2、nd2o3、bi2o3、zn0以及al2o3的介電材料粉末中的至少一者的多孔絕緣材料或?qū)щ姴牧隙纬伞４颂?，堆疊式本體的組分(意即，絕緣薄片的組分)可以20％比率接觸多孔絕緣材料或?qū)щ姴牧稀Ｅe例而言，在絕緣薄片的組分與多孔絕緣材料的混合物為100時，絕緣薄片的組分可接觸約1至約20的比率。如上文所描述，因為含有絕緣薄片的組分，因此esd保護(hù)層(320)可具有類似于堆疊式本體(1000)的收縮率的收縮率。如上文所描述，根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置可安置于如圖5中所說明的電子裝置的金屬殼(10)與內(nèi)部電路(20)之間。意即，防止觸電的裝置可安置于內(nèi)部電路(20)上，至少其外部部分是由導(dǎo)體形成且自外部(例如pcb)接收電力。此處，電子裝置可通過使用經(jīng)由可移動變壓器或建置在電子裝置中的內(nèi)置式變壓器供應(yīng)的電壓來驅(qū)動，或包含可充電電池且因此通過使用自電池供應(yīng)的電壓來驅(qū)動。此處，外部電極(5000)中的一者可連接至電子裝置的金屬殼(10)，且另一者可連接至接地端子。此處，接地端子可安置于內(nèi)部電路(20)中。舉例而言，第一外部電極(5100)可連接至電子裝置的金屬殼(10)，且第二外部電極(5200)可連接至接地端子。又，如圖6中所說明，接觸部分(30)以及防止觸電的裝置可安置在電子裝置的金屬殼(10)與內(nèi)部電路(20)之間。此處，在防止觸電的裝置中，外部電極(5000)中的一者可連接至接觸部分(30)，且另一者可連接至接地端子。舉例而言，第一外部電極(5100)可連接至接觸部分(30)，且第二外部電極(5200)可連接至接地端子。因此，可阻斷自內(nèi)部電路(20)的接地端子傳輸至金屬殼的觸電電壓，以使得250μa或更大的觸電電壓被阻斷，且自外部經(jīng)由金屬殼(10)施加至內(nèi)部電路(20)的esd電壓可旁通至接地端子以保護(hù)內(nèi)部電路(20)。意即，在所述防止觸電的裝置中，電流在額定電壓以及觸電電壓下不在外部電極(5000)之間流動，但在esd電壓下流過esd保護(hù)部分(3000)以允許將esd電壓旁通至接地端子。在所述防止觸電的裝置中，放電開始電壓可能大于額定電壓且小于esd電壓。舉例而言，在所述防止觸電的裝置中，額定電壓可為100v至240v，觸電電壓可等于或大于電路的操作電壓，且由外部靜電產(chǎn)生的esd電壓可大于觸電電壓。此處，放電開始電壓可為350v至15kv。又，通信信號可通過電容器部分(2000、4000)而在外部與內(nèi)部電路(20)之間傳輸。意即，來自外部的通信信號，例如rf信號，可通過電容器部分(2000、4000)傳輸至內(nèi)部電路(20)，且來自內(nèi)部電路(20)的通信信號可通過電容器部分(2000、4000)傳輸至外部。在金屬殼(10)用作天線而不提供單獨天線的情況下，可通過使用電容器部分(2000、4000)將通信信號傳輸至外部且自外部接收通信信號。又，因為電容器部分(2000、4000)中的每一者充當(dāng)天線，因此防止觸電的裝置可充當(dāng)且替代(例如)用于具有700mhz或更大的頻率的行動通信裝置中的通信頻率天線匹配的電容器。意即，防止觸電的裝置可替代用于構(gòu)成在700mhz或更大的頻帶中的通信天線的電路中的電容器或與之組合。換言之，防止觸電的裝置可提供構(gòu)成在700mhz或更大的頻區(qū)中的通信天線的電路所需的電容。結(jié)果，根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置可阻斷自內(nèi)部電路的接地端子施加的觸電電壓，且將自外部施加的esd電壓旁通至接地端子以在外部與電子裝置之間傳輸通信信號。又，在防止觸電的裝置安置于接觸部分(30)與內(nèi)部電路(20)之間時，所述裝置可執(zhí)行接觸部分(30)與內(nèi)部電路(20)之間的dc阻斷(blocking)以及ac耦接(coupling)，以防止內(nèi)部電路因?qū)?yīng)于esd或外部電壓的1倍至1.5倍的電壓而失效。此處，外部電壓可為家用電壓的額定電壓或充電器的輸出電壓，且可包含正常電壓或異常電壓。又，在根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置中，各自具有高電阻特性的多個絕緣薄片可堆疊以形成電容器部分。因此，在通過有缺陷的充電器將(310)v的觸電電壓自內(nèi)部電路引入至金屬殼時，可維持絕緣電阻狀態(tài)以防止漏電流流動。又，在將esd電壓自金屬殼引入至內(nèi)部電路中時，esd保護(hù)部分可旁通所述esd電壓以維持高絕緣電阻狀態(tài)而不損壞裝置。意即，esd保護(hù)部分(3000)可包含esd保護(hù)層(300)，所述esd保護(hù)層包含：導(dǎo)電層(310)，其降低能量位準(zhǔn)以將電能轉(zhuǎn)化為熱能；以及絕緣層(320)，其具有多孔結(jié)構(gòu)以允許電流流過細(xì)孔以旁通自外部施加的esd電壓，由此保護(hù)電路。因此，esd保護(hù)部分可安置于包含金屬殼的電子裝置中，以持續(xù)防止在有缺陷的充電器中產(chǎn)生的觸電經(jīng)由電子裝置的金屬殼傳輸至使用者而無介電質(zhì)擊穿。通用多層電容電路(mlcc，multilayercapacitancecircuit)可保護(hù)觸電電壓，但對esd作用不大。因此，在重復(fù)施加esd時，電花(spark)可能會因電充電(charging)造成的泄漏點(leakpoint)而出現(xiàn)，以損壞裝置。然而，因為包含導(dǎo)電層以及絕緣層的esd保護(hù)層安置于根據(jù)例示性實施例的電容器部分之間，因此esd電壓可經(jīng)由esd保護(hù)層旁通，以使得電容器部分不會斷裂。根據(jù)例示性實施例，esd保護(hù)材料填充至或涂覆至形成于絕緣薄片(106)中的通孔，以形成esd保護(hù)層(320)。然而，esd保護(hù)層(320)可安置于絕緣薄片的預(yù)定區(qū)域上，且放電電極(310)可經(jīng)安置以接觸esd保護(hù)層(320)。意即，如在圖10的根據(jù)另一例示性實施例的橫截面圖中所說明，兩個放電電極(311、312)可在絕緣薄片(106)上水平地彼此隔開，且esd保護(hù)層(320)可安置于兩個放電電極(311、312)之間。此處，因為第一電容器部分及第二電容器部分(2000、4000)以及外部電極(5000)中的每一者具有與根據(jù)例示性實施例者相同的配置，因此將省略其詳細(xì)描述，且亦可省略對esd保護(hù)部分(3000)的重復(fù)描述。esd保護(hù)部分(3000)可包含彼此水平地間隔開的至少兩個放電電極(311、312)以及安置在至少兩個放電電極(311、312)之間的至少一個esd保護(hù)層(320)。意即，兩個放電電極(311、312)可在兩個放電電極(311、312)彼此間隔開的方向上安置于預(yù)定區(qū)域(例如薄片的中心部分)上，意即在x方向上。又，至少兩個放電電極(未圖示)可進(jìn)一步在彼此垂直的方向上安置。因此，至少一個放電電極可在與安置外部電極(5000)的方向垂直的方向上安置，且至少一個放電電極可經(jīng)安置成面朝彼此，彼此間隔開預(yù)定距離。舉例而言，如圖10中所說明，esd保護(hù)部分(3000)可包含第六絕緣薄片(106)、第六絕緣薄片(106)上彼此間隔開的第一放電電極以及第二放電電極(311、312)以及安置于第六絕緣薄片(106)上的esd保護(hù)層(320)。此處，esd保護(hù)層(320)可具有連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)的至少一部分。第一放電電極(311)可連接至外部電極(5100)，且安置于第六絕緣薄片(106)上，且具有連接至esd保護(hù)層(320)的端部。第二放電電極(312)連接至外部電極(5200)，且與第六絕緣薄片(106)上的第一放電電極(311)間隔開，且具有連接至esd保護(hù)層(320)的端部?；蛘?，至少一個放電電極可進(jìn)一步在與放電電極與第一放電電極以及第二放電電極(311、322)間隔開且安置外部電極(5000)的方向垂直的方向上安置。esd保護(hù)層(320)可安置于預(yù)定區(qū)域上(例如第六絕緣薄片(106)的中心部分)，且連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)。此處，esd保護(hù)層(320)可與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者部分重疊。esd保護(hù)層(320)可安置于在第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間曝露的第六絕緣薄片(106)上，且連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的側(cè)表面。然而，在所述情況下，因為esd保護(hù)層(320)在不與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)間隔開的情況下不會接觸第一放電電極以及第二放電電極(311、312)，所以esd保護(hù)層(320)可經(jīng)安置成與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)重疊。又，esd保護(hù)層(300)可具有與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者相同的厚度，或具有比第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的厚度大的厚度。舉例而言，esd保護(hù)層(320)可具有100μm至500μm的直徑以及10μm至50μm的厚度。圖11為說明根據(jù)另一例示性實施例的esd保護(hù)部分(3000)的經(jīng)修改實例的示意性平面圖。如圖11(a)中所說明，esd保護(hù)層(320)可安置在彼此間隔開的兩個第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間。esd保護(hù)層(320)可通過將導(dǎo)電材料與絕緣材料混合而形成。舉例而言，如圖11(b)中所說明，第一導(dǎo)電層(321a)、絕緣層(322)以及第二導(dǎo)電層(321b)可水平地安置以形成具有三層結(jié)構(gòu)的esd保護(hù)層(320)。意即，第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層(321a、321b)可分別經(jīng)安置成接觸第一放電電極以及第二放電電極(311、312)，且絕緣層(322)可經(jīng)安置成連接于第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層(321a、321b)之間。然而，esd保護(hù)層(320)可通過在水平方向上使用導(dǎo)電層(321)以及絕緣層(322)至少一次而形成。舉例而言，esd保護(hù)層(320)可通過使用導(dǎo)電層(321)以及絕緣層(322)而具有兩層結(jié)構(gòu)?；蛘?，導(dǎo)電層(321)、絕緣層(322)以及導(dǎo)電層(321)可交替地安置以形成三層結(jié)構(gòu)。又，導(dǎo)電層(321)以及絕緣層(322)可交替地安置若干次以形成至少三層結(jié)構(gòu)。此處，可至少在絕緣層(322)中形成多個孔?；蛘撸稍趯?dǎo)電層(321)中形成多個孔。又，如圖11(c)中所說明，esd保護(hù)層(320)可包含位于第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間的第一導(dǎo)電層(321a)、第一絕緣層(322a)、空隙(323)、第二絕緣層(322b)以及第二導(dǎo)電層(321b)。意即，第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層(321a、321b)可分別經(jīng)安置成接觸第一放電電極以及第二放電電極(301、302)，第一絕緣層以及第二絕緣層(322a、322b)可安置在第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層(321a、321b)之間，且空隙(323)可形成于第一絕緣層以及第二絕緣層(322a、322b)之間?；蛘撸瑢?dǎo)電層、絕緣層以及空隙可重復(fù)安置若干次以形成esd保護(hù)層(320)。在水平地安置導(dǎo)電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)時，導(dǎo)電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)可具有相同寬度，或?qū)щ妼?321)、絕緣層(322)以及空隙(323)中的至少一者可具有比其他組件的寬度小的寬度。舉例而言，空隙(323)可具有比導(dǎo)電層(321)以及絕緣層(322)中的每一者的寬度小的寬度。又，導(dǎo)電層(321)可具有與絕緣層(322)相同的寬度，或具有比絕緣層(322)的寬度大或小的寬度。在經(jīng)由印刷過程形成絕緣層(322)時，可通過形成絕緣層(322)而形成空隙(323)，以使得空隙(323)與絕緣層(322)間隔開預(yù)定距離。導(dǎo)電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)中的每一者可具有對應(yīng)于第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間的寬度的30％至50％的寬度。意即，在水平地安置導(dǎo)電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)中的至少一者時，導(dǎo)電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)的寬度之和可為第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間的寬度的30％至50％?？障?323)可在絕緣層(322)之間一體成型。意即，空隙(323)可形成于絕緣層(322)中。或者，絕緣層(322)內(nèi)的多個孔可在水平或垂直方向上彼此連接以形成空隙(323)?；蛘?，可通過僅使用空隙(323)來形成esd保護(hù)層(320)。意即，如圖11(d)中所說明，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)可彼此間隔開預(yù)定距離，且空隙(323)可形成于第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間。因此，空隙(323)可充當(dāng)esd保護(hù)層(320)。在通過僅使用空隙(323)來形成esd保護(hù)層(320)時，esd保護(hù)層(320)可具有比通過使用導(dǎo)電層(321)、絕緣層(322)或其混合物而形成的esd保護(hù)層(320)的寬度小的寬度。又，在根據(jù)另一例示性實施例的防止觸電的裝置中，可提供esd保護(hù)部分(3000)的至少三個放電電極以在其間形成至少兩個esd保護(hù)層。下文將參考圖12的示意性平面圖來描述根據(jù)另一例示性實施例的esd保護(hù)部分(3000)的經(jīng)修改實例。如圖12(a)中所說明，在一個方向上彼此間隔開的至少三個放電電極(311、312、313)可安置于相同平面上，且esd保護(hù)部分(3000)可安置在彼此鄰接的放電電極之間。意即，第一放電電極、第二放電電極以及第三放電電極(311、312、313)可在一個方向上彼此間隔開預(yù)定距離，第一esd保護(hù)層(320a)可安置在第一放電電極以及第三放電電極(311、313)之間，且第二esd保護(hù)層(320b)可安置在第三放電電極以及第二放電電極(313、312)之間。此處，第一esd保護(hù)層以及第二esd保護(hù)層(320a、320b)可由相同材料形成或由彼此不同的材料形成。舉例而言，第一esd保護(hù)層以及第二esd保護(hù)層(320a、320b)中的每一者可提供為由絕緣材料以及導(dǎo)電材料的混合材料形成的層?；蛘?，第一esd保護(hù)層以及第二esd保護(hù)層(320a、320b)中的每一者可提供為導(dǎo)電層或絕緣層。又，第一esd保護(hù)層以及第二esd保護(hù)層(320a、320b)中的一者可提供為導(dǎo)電層，且另一層可提供為絕緣層。又，如圖12(b)中所說明，在一個方向上彼此間隔開的四個放電電極(311、312、313、314)可安置于相同平面上，且esd保護(hù)部分(320)可安置在彼此鄰接的放電電極之間。意即，四個放電電極(311、312、313、314)可在一個方向上彼此間隔開預(yù)定距離，第一esd保護(hù)層(320a)可安置在第一放電電極以及第三放電電極(311、313)之間，第二esd保護(hù)層(320b)可安置在第三放電電極以及第四放電電極(313、314)之間，且第三esd保護(hù)層(320c)可安置在第四放電電極以及第二放電電極(314、312)之間。此處，第一esd保護(hù)層至第三esd保護(hù)層(320a、320b、320c)可由相同材料形成。舉例而言，第一esd保護(hù)層至第三esd保護(hù)層(320a、320b、320c)中的每一者可提供為由絕緣材料以及導(dǎo)電材料的混合材料形成的層?；蛘?，第一esd保護(hù)層至第三esd保護(hù)層(320a、320b、320c)中的每一者可提供為導(dǎo)電層或絕緣層。又，第一esd保護(hù)層至第三esd保護(hù)層(320a、320b、320c)中的至少一者可由不同材料形成。又，第一esd保護(hù)層以及第三esd保護(hù)層(320a、320c)中的每一者可提供為導(dǎo)電層，且第二esd保護(hù)層(320b)可提供為絕緣層?；蛘?，第一esd保護(hù)層以及第三esd保護(hù)層(320a、320c)中的每一者可提供為絕緣層，且第二esd保護(hù)層(320b)可提供為導(dǎo)電層?；蛘撸琫sd保護(hù)層(320)中的至少一者可提供為空隙(323)。意即，如圖12(c)中所說明，四個放電電極(311、312、313、314)可在一個方向上彼此間隔開預(yù)定距離，第一esd保護(hù)層(320a)可安置在第一放電電極以及第三放電電極(311、313)之間，空隙(323)可在第三放電電極以及第四放電電極(313、314)之間形成為第二esd保護(hù)層(320b)，且第三esd保護(hù)層(320c)可安置在第四放電電極以及第二放電電極(314、312)之間。此處，第一esd保護(hù)層以及第三esd保護(hù)層(320a、320c)可由相同材料形成。舉例而言，第一esd保護(hù)層以及第三esd保護(hù)層(320a、320c)中的每一者可提供為由絕緣材料以及導(dǎo)電材料的混合材料形成的層?；蛘?，第一esd保護(hù)層以及第三esd保護(hù)層(320a、320c)中的每一者可提供為導(dǎo)電層或絕緣層。此處，第一esd保護(hù)層以及第三esd保護(hù)層(320a、320c)可由彼此不同的材料形成。舉例而言，第一esd保護(hù)層以及第三esd保護(hù)層(320a、320c)中的一者可提供為導(dǎo)電層，且另一層可提供為絕緣層。又，在根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置中，esd保護(hù)部分(3000)的放電電極的形狀可不同地變形。舉例而言，如圖13(a)中所說明，放電電極(311、312)的面朝彼此的端部中的每一者可具有尖形形狀?；蛘?，如圖13(b)中所說明，放電電極(311、312)的面朝彼此的端部中的每一者可具有圓形形狀。意即，放電電極(311、312)的面朝彼此的至少一個區(qū)域之間的距離可小于放電電極(311、312)的其他區(qū)域之間的距離。因為彼此間隔開的兩個放電電極(311、312)的端部中的每一者為尖形或圓形，所以兩個放電電極(311、312)之間的距離可彼此接近，且因此也可能出現(xiàn)兩個放電電極(311、312)之間的放電。又，兩個放電電極(311、312)可在維持其間的距離的同時具有各種形狀。舉例而言，如圖13(c)中所說明，一個放電電極(311)具有自一側(cè)至另一側(cè)的預(yù)定傾斜，且另一放電電極(312)具有在相反方向上的預(yù)定傾斜，意即自另一側(cè)至一側(cè)。又，放電電極(311、312)可在維持其間的距離的同時具有至少一個不均勻結(jié)構(gòu)。舉例而言，如圖13(d)中所說明，一個放電電極(311)的端部具有凹面形狀，且另一放電電極(312)的端部具有凸面形狀，以使得凸面部分插入至凹面部分中。如上文所描述，因為兩個內(nèi)部電極在維持其間的距離的同時具有各種形狀，所以兩個內(nèi)部電極之間的面積可增加以改良esd容限。圖14為根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。參考圖14，根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置可包含：堆疊式本體(1000)，其中多個絕緣薄片(101至111；100)堆疊；至少一個電容器部分(2000、4000)，安置于堆疊式本體(1000)中且包含多個內(nèi)部電極(201至208；200)；esd保護(hù)部分(3000)，包含至少一個放電電極(310)以及esd保護(hù)層(320)；以及外部電極(5100以及5200；5000)，分別安置于堆疊式本體(1000)的面向彼此的兩個側(cè)表面上且連接至第一電容器部分及第二電容器部分(2000、4000)以及esd保護(hù)部分(3000)。此處，esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)之間的距離(a1、a2)可小于或等于電容器部分(2000、4000)中的每一者內(nèi)的兩個內(nèi)部電極之間的距離(c1、c2)。意即，安置在esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置在電容器部分(2000、4000)內(nèi)的內(nèi)部電極(200)之間的絕緣薄片(102至104以及107至110)中的每一者的厚度的厚度。又，esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)之間的距離(a1、a2)可小于或等于esd保護(hù)部分(3000)的兩個放電電極(310)之間的距離(b)。意即，安置在esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于其上安置了esd保護(hù)層(320)的第六絕緣薄片(106)的厚度的厚度。結(jié)果，安置在esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置在電容器部分(2000、4000)內(nèi)的內(nèi)部電極(200)之間的絕緣薄片(102至104以及107至110)中的每一者的厚度的厚度，或具有小于或等于esd保護(hù)部分(3000)的兩個放電電極(310)之間的距離(b)的厚度。意即，esd保護(hù)部分(3000)與電容器部分(2000、4000)之間的距離(a1、a2)、電容器部分(2000、4000)內(nèi)的兩個內(nèi)部電極之間的距離(c1、c2)以及esd保護(hù)部分(3000)的兩個放電電極(300)之間的距離b可滿足以下等式：a1＝a2≤c1＝c2或a1＝a2≤b?；蛘?，距離a1可不同于距離a2，且距離c1可不同于距離c2。最下部絕緣薄片以及最上部絕緣薄片(意即第一絕緣薄片以及第十一絕緣薄片(101、111))可具有大于10μm的厚度(d1、d2)，且對應(yīng)于堆疊式本體(1000)的厚度的50％或小于50％。此處，等式可為b≤d1＝d2，厚度d1可不同于厚度d2。又，在根據(jù)又一實施例的防止觸電的裝置中，鄰近于放電電極(311、312)的兩個內(nèi)部電極(意即第四內(nèi)部電極以及第五內(nèi)部電極(204、205))可連接至放電電極(311、312)以及相同外部電極。意即，第一內(nèi)部電極、第三內(nèi)部電極、第五內(nèi)部電極以及第七內(nèi)部電極(201、203、205、207)可連接至第二外部電極(5200)，且第二內(nèi)部電極、第四內(nèi)部電極、第六內(nèi)部電極以及第八內(nèi)部電極(202、204、206、208)可連接至第一外部電極(5100)。又，第一放電電極(311)可連接至第一外部電極(5100)，且第二放電電極(312)可連接至第二外部電極(5200)。因此，第一放電電極(311)以及鄰近于第一放電電極(311)的第四內(nèi)部電極(204)可連接至第一外部電極(5100)，且第二放電電極(312)以及鄰近于第二放電電極(312)的第五內(nèi)部電極(205)可連接至第二外部電極(5200)。如上文所描述，因為放電電極(310)以及鄰近于放電電極(310)的內(nèi)部電極(200)連接至相同外部電極(5000)，所以盡管出現(xiàn)絕緣薄片(100)的降級(意即絕緣擊穿)，可能仍不會將esd電壓施加至電子裝置內(nèi)部。意即，在放電電極(310)以及鄰近于放電電極(310)的內(nèi)部電極(200)連接彼此不同的外部電極(5000)時，若出現(xiàn)絕緣薄片(100)的絕緣擊穿，則經(jīng)由一個外部電極(5000)施加的esd電壓可經(jīng)由放電電極(310)以及鄰近于放電電極(310)的內(nèi)部電極(200)流動至另一外部電極(5000)。舉例而言，如圖2中所說明，在第一放電電極(311)連接至第一外部電極(5100)，且鄰近于第一放電電極(311)的第四內(nèi)部電極(204)連接至第二外部電極(5200)時，若出現(xiàn)絕緣薄片(100)的絕緣擊穿，則導(dǎo)電路徑可形成于第一放電電極(311)與第四內(nèi)部電極(204)之間以允許經(jīng)由第一外部電極(5100)施加的esd電壓流動至第一放電電極(311)、絕緣失效第五絕緣薄片(105)以及第二內(nèi)部電極(202)。因此，可經(jīng)由第二外部電極(5200)將esd電壓施加至內(nèi)部電路。為了解決上文描述的限制，盡管絕緣薄片(100)具有厚的厚度，但在此情況下，防止觸電的裝置的大小可增加。然而，如圖14中所說明，因為放電電極(310)以及鄰近于放電電極(310)的內(nèi)部電極(200)連接至相同外部電極(5000)，所以盡管出現(xiàn)絕緣薄片(100)的降級(意即絕緣擊穿)，仍不可以將esd電壓施加至電子裝置內(nèi)部。又，盡管絕緣薄片(100)不具有厚的厚度，但可防止施加esd電壓。圖15為根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。參考圖15，根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置可包含：堆疊式本體(1000)，其中多個絕緣薄片(101至111；100)堆疊；至少一個電容器部分(2000、4000)，安置于堆疊式本體(1000)中且包含多個內(nèi)部電極(201至208；200)；esd保護(hù)部分(3000)，包含至少一個放電電極(310)以及esd保護(hù)層(320)；以及外部電極(5100、5200；5000)，分別安置于堆疊式本體(1000)的面朝彼此的兩個側(cè)表面上，且連接至第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)以及esd保護(hù)部分(3000)。此處，外部電極(5000)可在預(yù)定區(qū)域與內(nèi)部電極(200)中的每一者重疊。意即，除了外部電極(5000)與內(nèi)部電極(200)部分重疊之外，當(dāng)前實施例可與前文例示性實施例相同。外部電極(5000)可延伸至堆疊式本體(1000)的頂表面及底表面以及堆疊式本體(1000)的側(cè)表面。又，外部電極(5000)的預(yù)定區(qū)域可與連接至不同外部電極(5000)的內(nèi)部電極(200)重疊。舉例而言，第一外部電極(5100)的延伸至堆疊的上部以及下部部分的部分中的每一者可在預(yù)定區(qū)域與內(nèi)部電極(200)中的每一者重疊。又，第二外部電極(5200)的延伸于堆疊式本體(1000)的上部以及下部部分的部分中的每一者可在預(yù)定區(qū)域與內(nèi)部電極(200)中的每一者重疊。舉例而言，外部電極(5000)的延伸至堆疊式本體(1000)的上部以及下部部分的部分可分別與第一內(nèi)部電極以及第八內(nèi)部電極(201、208)重疊。意即，外部電極(5000)中的至少一者可延伸至堆疊式本體(1000)的頂表面及底表面，且延伸部分中的至少一者可與內(nèi)部電極(200)部分重疊。此處，內(nèi)部電極(200)與外部電極(5000)重疊的面積可為內(nèi)部電極(200)的總面積的1％至10％。又，外部電極(5000)可經(jīng)由多個過程增加堆疊式本體(1000)的頂表面以及底表面中的至少一者的面積。為了與外部電極(5000)重疊，在與根據(jù)例示性實施例的情況相比較時，電容器部分(2000、4000)中的每一者的內(nèi)部電極可較長地形成于x方向上。舉例而言，內(nèi)部電極(200)的端部以及鄰近于端部的外部電極(5000)可在x方向上維持在其間5％至10％的距離。意即，內(nèi)部電極(200)可具有在x方向上對應(yīng)于絕緣薄片(100)的長度的90％至95％的長度。如上文所描述，因為外部電極(5000)以及內(nèi)部電極(200)彼此重疊，所以可在外部電極(5000)與內(nèi)部電極(200)之間產(chǎn)生預(yù)定寄生電容。舉例而言，可在第一內(nèi)部電極以及第八內(nèi)部電極(201、208)與第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)的延伸部分之間產(chǎn)生電容。因此，可調(diào)整外部電極(5000)與內(nèi)部電極(200)之間的重疊面積以調(diào)整防止觸電的裝置的電容。意即，甚至可在制造防止觸電的裝置的過程之后調(diào)整外部電極(5000)的重疊面積以在堆疊式本體(1000)的外部調(diào)整防止觸電的裝置的電容。又，在根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置中，電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(200)以及esd保護(hù)部分(2000)的放電電極(310)可具有各種形狀。內(nèi)部電極(200)與放電電極(310)的形狀分別在圖16與圖17中加以說明。圖16為說明根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的內(nèi)部電極(200)的示意性平面圖。內(nèi)部電極(200)可使一端曝露于絕緣薄片(100)的一個側(cè)表面且使另一端不曝露于絕緣薄片(100)的另一側(cè)表面。又，整個內(nèi)部電極(200)上可具有相同寬度。然而，內(nèi)部電極(200)的至少一個區(qū)域可具有不同寬度，例如具有「t」形狀。意即，如圖16(a)中所說明，在y方向上的預(yù)定區(qū)域具有第一寬度，且其余區(qū)域具有小于第一寬度的第二寬度。舉例而言，內(nèi)部電極(200)的長度的1/3可定義為第一寬度，且內(nèi)部電極(200)的長度的其余2/3可定義為小于第一寬度的第二寬度。此處，具有第一寬度的區(qū)域可曝露于絕緣薄片(100)的一個側(cè)表面以接觸外部電極(5000)。意即，如圖16(b)中所說明，在y方向上的第一區(qū)域具有第一寬度，第二區(qū)域具有小于第一寬度的第二寬度，第三區(qū)域具有小于第一寬度且大于第二寬度的第三寬度。此處，具有第三寬度的第三區(qū)域可安置于具有第一寬度的第一區(qū)域與具有第二寬度的第二區(qū)域之間。舉例而言，內(nèi)部電極(200)的長度的2/6可定義為第一寬度，內(nèi)部電極(200)的長度的1/6可定義為第三寬度，且其余3/6可定義為第二寬度。此處，具有第一寬度的第一區(qū)域可曝露于絕緣薄片(100)的一個側(cè)表面以接觸外部電極(5000)。又，如圖16(c)中所說明，在y方向上的第一區(qū)域具有第一寬度，第二區(qū)域具有小于第一寬度的第二寬度，在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的第三區(qū)域具有自第一寬度至第二寬度減小的形狀。舉例而言，內(nèi)部電極(200)的長度的2/6可定義為第一寬度，內(nèi)部電極(200)的長度的1/6可定義為第三寬度，且其余3/6可定義為第二寬度。此處，具有第一寬度的第一區(qū)域可曝露于絕緣薄片(100)的一個側(cè)表面以接觸外部電極(5000)。圖17為說明根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的放電電極(310)的示意性平面圖。放電電極(310)可使一端曝露于絕緣薄片(100)的一個側(cè)表面，且使另一端與esd保護(hù)層(320)的至少一部分重疊。第一區(qū)域可具有第一寬度，且第二區(qū)域可具有小于第一寬度的第二寬度。舉例而言，放電電極(310)可具有「t」形狀?；蛘?，整個放電電極(310)上可具有第二寬度。然而，放電電極(310)的一端可具有寬的寬度以增大與外部電極(5000)的接觸面積。又，為了增大與esd保護(hù)層(320)的重疊面積，放電電極(310)的與esd保護(hù)層(320)重疊的至少一部分可具有大于第二區(qū)域的寬度的寬度。意即，可形成寬度小于esd保護(hù)層(320)的寬度且大于第二區(qū)域的寬度的第三區(qū)域。舉例而言，如圖17(a)中所說明，放電電極(310)的與esd保護(hù)層(320)重疊的區(qū)域的至少一部分可具有大于第二區(qū)域的寬度的寬度。又，如圖17(b)中所說明，放電電極(310)的面向第一區(qū)域的區(qū)域可沿著esd保護(hù)層(320)的配置圓化。如圖17(c)中所說明，放電電極(310)可沿著esd保護(hù)層(320)的配置而形成以使得放電電極(310)與esd保護(hù)層(320)的邊緣隔開預(yù)定距離。放電電極(310)可由ag、pd、pt、pr、al、ni以及cu中的至少一者形成。意即，放電電極(310)可通過使用上述材料中的每一者或上述材料的至少兩種混合物或通過堆疊至少兩種材料而形成。然而，放電電極(310)的至少一個區(qū)域可由不同于放電電極的其他區(qū)的材料的材料形成。舉例而言，接觸esd保護(hù)層(320)的區(qū)域與不接觸esd保護(hù)層(320)的區(qū)域可分別由彼此不同的材料形成。意即，如圖15中所說明，接觸esd保護(hù)層(320)的部分(310a)是由第一材料形成以形成放電電極(310)，且不接觸esd保護(hù)層(320)的部分(310b)可由第二材料形成以形成放電電極(310)。此處，接觸esd保護(hù)層(320)的部分(310a)可由不會因esd放電而降級或具有緩慢降級速率(意即，具有高熔點)的金屬形成，且不接觸esd保護(hù)層(320)的部分(310b)可由相對于外部電極(5000)具有低接觸電阻的材料形成。舉例而言，接觸esd保護(hù)層(320)的部分(310a)可由諸如pt以及pt/pd的金屬形成，且不接觸esd保護(hù)層(320)的部分(310b)可由諸如ag以及以及ag/pd的金屬形成。因此，可改良式歸因于esd的可靠性，且可改良外部電極(5000)的接觸特性。又，由第一材料形成的第一部分(310a)與由第二材料形成的第二部分(310b)可彼此重疊預(yù)定面積。舉例而言，第一部分(310a)可延伸至esd保護(hù)層(320)外部以與第二部分(310b)重疊預(yù)定面積。防止觸電的裝置可根據(jù)諸如智能電話的電子裝置的大小而具有各種大小。意即，隨著諸如智能電話的電子裝置小型化，防止觸電的裝置的大小可減小。又，隨著電子裝置多功能化，防止觸電的裝置的大小可增大。舉例而言，根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置具有在一個方向(意即，x方向)上的為0.3mm至5.7mm的長度(l)、在垂直于所述一個方向的另一方向(意即，y方向)上的為0.15mm至5.5mm的寬度(w)，以及在z方向上的為0.15mm至5.5mm的高度。舉例而言，防止觸電的裝置的長度、寬度以及厚度可分別為0.9mm至1.1mm、0.45mm至0.55mm以及0.45mm至0.55mm，或0.55mm至0.65mm、0.25mm至0.35mm以及0.25mm至0.35mm，或0.35mm至0.45mm、0.15mm至0.25mm以及0.15mm至0.25mm。舉例而言，防止觸電的裝置的長度、寬度以及厚度可分別為1.4mm至1.8mm、0.6mm至1.0mm以及0.5mm至0.9mm，1.8mm至2.2mm、1.0mm至1.4mm以及0.6mm至1.3mm，以及2.75mm至3.25mm、0.9mm至1.5mm以及0.6mm至1.3mm。或者，防止觸電的裝置的長度、寬度以及厚度可分別為2.9mm至3.5mm、1.3mm至1.9mm以及0.6mm至1.8mm，4.0mm至5.0mm、2.8mm至3.6mm以及1.2mm至3.5mm，以及5.2mm至6.2mm、4.5mm至5.5mm以及2.0mm至5.5mm。防止觸電的裝置可具有為1.1～3∶1∶0.5～1至1的長度∶寬度∶厚度的比率。意即，在防止觸電的裝置中，長度可比寬度大1.1倍至3倍(基于寬度)，且厚度可比寬度大0.5倍至1倍(基于寬度)。裝置的尺寸(dimension)可基于用于典型smt裝置的標(biāo)準(zhǔn)。此處，根據(jù)防止觸電的裝置的大小，esd保護(hù)層(320)可具有(例如)為50μm至1,000μm的寬度以及為5μm至500μm的厚度。特別地，防止觸電的裝置的長度×寬度×厚度可減小至1.0mm×0.5mm×0.5mm(下文中為第一觸電防止裝置)、0.6mm×0.3mm×0.3mm(下文中為第二觸電防止裝置)以及0.4mm×0.2mm×0.2mm(下文中為第三觸電防止裝置)的長度×寬度×厚度。意即，多個矩形薄片(其中的每一者具有1.0mm的長度以及0.5mm的寬度)可經(jīng)堆疊以制造具有0.5mm的厚度的第一觸電防止裝置。又，多個矩形薄片(其中的每一者具有0.6mm的長度以及0.3mm的寬度)可經(jīng)堆疊以制造具有0.3mm的厚度的第二觸電防止裝置。又，多個矩形薄片(其中的每一者可具有0.4mm的長度以及0.2mm的寬度)可經(jīng)堆疊以制造具有0.2mm的厚度的第三觸電防止裝置。此處，防止觸電的裝置的電容器部分(2000、4000)的薄片可具有15μm至300μm(較佳地，15μm至300μm)的厚度。esd保護(hù)層(320)可具有為50μm至450μm的寬度以及為5μm至50μm的厚度。舉例而言，防止觸電的裝置的長度、寬度以及厚度可制造為具有如下大小：1.6mm×0.8mm×0.5mm、2.0mm×1.2mm×0.6mm、3.0mm×1.2mm×0.6mm、3.2mm×1.6mm×0.6mm、4.5mm×3.2mm×1.2mm、5.7mm×5.0mm×2.0mm。意即，長度、寬度以及厚度可增大以使得防止觸電的裝置在大小上比第一觸電防止裝置增大。此處，防止觸電的裝置的電容器部分(2000、4000)的薄片可具有為300μm至5,000μm，較佳為400μm至4,000μm的厚度。esd保護(hù)層(320)可具有為100μm至1000μm的寬度以及為10μm至200μm的厚度。防止觸電的裝置的大小可減小且因此尺寸(dimension)減小，從而亦減小內(nèi)部電極的面積。內(nèi)部電極的面積可維持在薄片面積的10％至95％的范圍內(nèi)。然而，即使防止觸電的裝置的大小減小，必須將防止觸電的裝置的電容維持在0.3pf至500pf。意即，第一觸電防止裝置以及第二觸電防止裝置以及第三觸電防止裝置(其中的每一者的大小小于第一觸電防止裝置)必須具有相同電容。為了實現(xiàn)第二觸電防止裝置以及第三觸電防止裝置具有與第一觸電防止裝置相同的電容，意即為了減小介電質(zhì)的厚度或薄片具有較高介電常數(shù)，必須使用高k材料?？赏ㄟ^以下等式1計算電容。[等式1]電容＝空氣介電常數(shù)×材料的介電常數(shù)×內(nèi)部電極的總重疊面積/內(nèi)部電極之間的介電質(zhì)厚度在用于實現(xiàn)相同電容而不管大小的另一方法中，介電質(zhì)的堆疊厚度可減小。然而，防止觸電的裝置可具有關(guān)于esd電壓的破壞容限。對此，因為需要介電質(zhì)的最小厚度，所以可限制介電質(zhì)以減小介電質(zhì)的堆疊厚度以便維持電容。因此，為了實現(xiàn)在預(yù)定厚度或更多厚度處相同的電容，必須選擇高k材料。若使用高k材料，則必須最小化內(nèi)部電極的面積，且介電質(zhì)的厚度必須厚。然而，因為不可能通過限制最小印刷面積與防止觸電的裝置的厚度的標(biāo)準(zhǔn)而增加介電質(zhì)的厚度，所以難以使用過高k材料。因此，在第二以及第三觸電防止裝置(其中的每一者具有相對較小大小)中，內(nèi)部電極之間的介電質(zhì)具有15μm至300μm的厚度，內(nèi)部電極中的每一者具有對應(yīng)于裝置的大小(意即，0.6mm×0.3mm或0.4mm×0.2mm)內(nèi)的平面面積的10％至95％的面積，外邊限(意即，自內(nèi)部電極的邊緣至介電質(zhì)的邊緣的距離)為25μm至100μm，且介電質(zhì)在第二觸電防止裝置中具有200至3000的介電常數(shù)，且在第三觸電防止裝置中具有600至3000的介電常數(shù)。在內(nèi)部電極具有10％或更少的面積時，網(wǎng)板印刷可具有低解析度，且因此可擴(kuò)寬電容的分布。在內(nèi)部電極具有95％或更多的面積時，印刷面積可能太寬，且因此可能出現(xiàn)諸如內(nèi)部電極的表面突起的堆疊缺陷以及諸如分層(delamination)的分離缺陷，從而降低裝置的可靠性。在內(nèi)部電極之間的薄片(意即介電質(zhì))的厚度很厚時，電容可降低，且受限空間中的堆疊數(shù)目可受到限制。因此，可能難以實現(xiàn)適合于防止觸電的裝置的電容。另一方面，內(nèi)部電極之間的介電質(zhì)(意即薄片)的厚度可減小以增加電容。又，薄片可多重堆疊以增加電容。然而，防止觸電的裝置可滿足比ice61000-4-2第4級還嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)，ice61000-4-2第4級為關(guān)于esd可靠性的規(guī)章標(biāo)準(zhǔn)。此處，若基于測試參考，介電質(zhì)具有15μm或更小的厚度，則在重復(fù)施加esd電壓時，介電質(zhì)的絕緣電阻可失效而不管esd保護(hù)部分是否存在。介電質(zhì)的絕緣電阻失效的原因在于在自引入esd電壓的時間點至防止觸電的裝置的反應(yīng)時間的空白期，esd電壓未被旁通至esd保護(hù)部分，且在1ns至30ns的時間內(nèi)將500v或更大的電壓施加至電性層，且因此，介電質(zhì)的電阻性質(zhì)不被容忍且失效。若晶片大小減小，則設(shè)計空間可減小。因此，需要防止觸電的裝置的在窄空間中具有高esd電阻的內(nèi)表面。然而，在防止觸電的裝置的大小減小時，絕緣薄片可歸因于空間不足而更薄。因此，絕緣薄片自身的電阻性質(zhì)可下降以防止絕緣薄片的絕緣電阻不連續(xù)，即使是在施加具有低位準(zhǔn)的esd的情況下。為了解決上文描述的限制，具有各種形狀的浮動型(floatingtype)結(jié)構(gòu)可用以改良相同空間內(nèi)的esd電阻性質(zhì)(在與一般系緊型結(jié)構(gòu)相比較時)。意即，因為電容器部分的內(nèi)部電極的形狀變形以使絕緣薄片的厚度在內(nèi)部電極之間的一個區(qū)中增加兩倍或大于兩倍，所以可維持esd電阻性質(zhì)。因此，可進(jìn)一步改良與防止觸電的裝置的esd保護(hù)部分的設(shè)計相關(guān)聯(lián)的esd電阻性質(zhì)。結(jié)果，在歸因于esd保護(hù)部分的重復(fù)esd電壓的功能退化，esd未被旁通至esd保護(hù)部分時，電容器部分可能損壞，導(dǎo)致絕緣擊穿。又，盡管esd保護(hù)部分的功能并未退化，但在引入esd電壓時，在直至防止觸電的裝置的esd保護(hù)部分的反應(yīng)時間為止的1ns至30ns的空白期，在電容器部分中可暫時出現(xiàn)esd電壓負(fù)載，導(dǎo)致絕緣擊穿。然而，電容器部分可提供為浮動型以增加電容器層的esd電阻性質(zhì)，由此防止出現(xiàn)絕緣電阻失效以導(dǎo)致短路的現(xiàn)象。將參考圖18至圖21描述根據(jù)各種例示性實施例的浮動型電容器部分。參考圖18至圖21，根據(jù)又一例示性實施例的防止觸電的裝置可包含堆疊式本體(1000)，其上堆疊多個絕緣薄片(101至113；100)。堆疊式本體(1000)中可提供第一電容器部分(2000)、esd保護(hù)部分(3000)以及第二電容器部分(4000)。又，防止觸電的裝置可更包含安置于堆疊式本體(1000)的面朝彼此的兩個側(cè)表面上的外部電極(5100、5200；5000)以將第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)連接至esd保護(hù)部分(3000)。第一電容器部分(2000)可包含多個內(nèi)部電極(201至205)，且第二電容器部分(4000)可包含多個內(nèi)部電極(208至212)。意即，第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者可包含相同數(shù)目個內(nèi)部電極，例如五個內(nèi)部電極。又，提供esd保護(hù)部分(3000)，其包含第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間的放電電極(311以及312)；以及安置在放電電極(311以及312)之間的esd保護(hù)層(320)。此處，第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者可包含至少一個內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極具有移除至少一個區(qū)的形狀。如圖18中所說明，第一電容器部分(2000)的內(nèi)部電極(201)可具有中心部分移除了預(yù)定寬度的形狀，且在第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間對稱地安置有esd保護(hù)部分(3000)的第二電容器部分(4000)的內(nèi)部電極(210)亦可具有移除在與內(nèi)部電極(201)相同的位置處的預(yù)定區(qū)的形狀。因為移除內(nèi)部電極(201、210)中的每一者的預(yù)定區(qū)，所以分別鄰近于內(nèi)部電極(201、210)的內(nèi)部電極(202、209)之間的重疊面積可減小。此處，通過移除預(yù)定區(qū)而劃分成兩個部分的內(nèi)部電極(201、210)可分別連接至第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)。如上文所描述，因為內(nèi)部電極(201、210)中的每一者具有移除預(yù)定區(qū)的形狀，所以內(nèi)部電極(201、210)與鄰近于內(nèi)部電極(201、210)的內(nèi)部電極(202、209)之間的絕緣薄片(102、112)中的每一者可能更厚。意即，因為兩個絕緣薄片(101、102)安置在內(nèi)部電極(202)以及內(nèi)部電極(201)的經(jīng)移除部分之間，所以絕緣薄片(100)的厚度可增加。因此，因為絕緣薄片(100)在電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極(200)之間的一個區(qū)中增加至少兩倍，所以可維持esd電阻性質(zhì)。又，在圖19中說明，可移除第一電容器部分(2000)的內(nèi)部電極(201、203、205)的中心部分的預(yù)定區(qū)，且可移除在第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間對稱地安置有esd保護(hù)部分(3000)的第二電容器部分(4000)的內(nèi)部電極(206、208、210)的中心部分的預(yù)定區(qū)。此處，內(nèi)部電極(202、204、207、209)可不接觸外部電極(5000)以與內(nèi)部電極(201、203、205、206、208、210)中的每一者的至少一部分重疊。意即，內(nèi)部電極(202、204、207、209)可安置于絕緣薄片(100)的中心部分上以與內(nèi)部電極(201、203、205、206、208、210)重疊，所述內(nèi)部電極(201、203、205、206、208、210)并未安置在絕緣薄片(100)的中心部分處。又，在第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)的內(nèi)部電極中的每一者中，可移除與中心區(qū)間隔開預(yù)定距離的區(qū)以及中心區(qū)。舉例而言，如圖20中所說明，可移除第一電容器(2000)的內(nèi)部電極(201、203、205)的中心區(qū)，且安置在內(nèi)部電極(201、203、205)之間的內(nèi)部電極(202、204)的經(jīng)移除部分可安置在兩側(cè)，所述兩側(cè)與中心區(qū)間隔開預(yù)定距離。又，在第二電容器部分(4000)中，可移除與第一電容器部分(2000)(其間有esd保護(hù)部分(3000))的內(nèi)部電極(201、203、205)對稱安置的內(nèi)部電極(206、208、210)的中心區(qū)。又，安置在內(nèi)部電極(206、208以及210)之間的內(nèi)部電極(207、209)的移除區(qū)可形成于與第一電容器部分(2000)的內(nèi)部電極(202、204)相同的位置處。又，如圖21中所說明，至少兩個移除區(qū)可形成于第一電容器部分(2000)的內(nèi)部電極(201、203、205)的中心區(qū)處，且安置在內(nèi)部電極(201、203、205)之間的內(nèi)部電極(202、204)的移除區(qū)可形成于其兩側(cè)處，其中的每一者與中心區(qū)中的每一者間隔開預(yù)定距離。又，在第二電容器部分(4000)中，至少兩個移除區(qū)可形成于與第一電容器部分(2000)(其間有esd保護(hù)部分(3000))的內(nèi)部電極(201、203、205)對稱安置的內(nèi)部電極(206、208、210)的中心區(qū)處。又，安置在內(nèi)部電極(206、208、210)之間的內(nèi)部電極(207、209)的移除區(qū)可形成于與第一電容器部分(2000)的內(nèi)部電極(202、204)相同的位置處。或者，在第一放電電極以及第二放電電極(311、312)可水平地安置以接觸esd保護(hù)層(320)(如圖22至圖25中所說明)時，可在浮動型中提供電容器部分(2000、4000)的至少一個內(nèi)部電極。此處，因為參考圖22至圖25的描述與參考圖18至圖21的描述相同，所以將省略其重復(fù)描述。根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置可包含esd保護(hù)部分(3000)的至少一個esd保護(hù)層(320)。意即，如圖2以及圖9中所說明，一個esd保護(hù)層(300)可在x方向上安置。如圖26至圖29中所說明，至少兩個esd保護(hù)層(320)可在x方向上安置。此處，多個esd保護(hù)層(320)可在y方向上安置。舉例而言，如圖26中所說明，兩個esd保護(hù)層(320a、320b)可安置于相同平面上。如圖27中所說明，三個esd保護(hù)層(320a、320b、320c)可安置于相同平面上。esd保護(hù)層(320a、320b、320c)中至少兩個可經(jīng)由內(nèi)部電極彼此連接。又，如圖28中所說明，四個esd保護(hù)層(320a、320b、320c、320d)可垂直地劃分成兩個esd保護(hù)層的兩個群組。如圖29中所說明，六個esd保護(hù)層(320a、320b、320c、320d、320e、320f)可垂直地劃分成兩個esd保護(hù)層的三個群組。在彼此垂直地間隔開的esd保護(hù)層(320)中，上部esd保護(hù)層可彼此連接，且下部esd保護(hù)層可彼此連接。在提供多個esd保護(hù)層(320)時，esd保護(hù)層(320)可具有相同結(jié)構(gòu)或彼此不同的結(jié)構(gòu)。如上文所描述，根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置可包含在一個堆疊式本體內(nèi)的至少一個電容器部分(2000、4000)以及至少一個esd保護(hù)部分(3000)。舉例而言，可提供一個電容器部分以及至少兩個esd保護(hù)部分。此處，電容器部分可安置在內(nèi)部電路與金屬殼之間，且esd保護(hù)部分可安置在電容器部分與接地端子之間。對此，第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)安置于堆疊式本體的面朝彼此的兩個側(cè)表面上，且第三以及第四外部電極(未圖示)可安置于面朝彼此的兩個側(cè)表面上，第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)并未安置于所述兩個側(cè)表面上。第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)中的每一者可安置在電子裝置的金屬殼與內(nèi)部電路之間，且第三以及第四外部電極中的每一者可連接至接地端子。意即，第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)可分別安置于電子裝置的金屬殼與內(nèi)部電路之間的兩個區(qū)中，且第三以及第四外部電極可連接至接地端子。又，根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置可包含水平地安置于堆疊式本體(1000)中的多個電容器部分(2000、4000)以及多個esd保護(hù)部分(3000)。意即，垂直地堆疊的至少一個電容器部分(2000、4000)以及esd保護(hù)部分(3000)可水平地布置成至少兩個列，且連接至水平地布置的至少兩個外部電極(5000)。因此，防止觸電的多個裝置(其中的每一者包含多個電容器部分以及esd保護(hù)部分)可彼此平行地安置。因此，可在一個堆疊式本體(1000)中提供防止觸電的至少兩個裝置。此處，舉例而言，多個第一外部電極(5100)可連接至電子裝置的金屬殼的多個區(qū)域，且多個第二外部電極(5200)可連接至電子裝置的接地端子。在多個電容器部分中，至少一個內(nèi)部電極可具有不同長度。意即，水平地安置以分別構(gòu)成彼此不同的電容器部分的多個內(nèi)部電極的至少一個內(nèi)部電極可具有比其他內(nèi)部電極的長度小的長度。又，除了內(nèi)部電極的長度之外，還可調(diào)整內(nèi)部電極的重疊面積以及內(nèi)部電極的堆疊數(shù)目中的至少一者以調(diào)整電容。因此，多個電容器部分中的至少一者可具有不同電容。意即，一個堆疊式本體內(nèi)的至少一個電容器部分可實現(xiàn)具有彼此不同的電容的多個電容器部分。將如下描述依據(jù)根據(jù)例示性實施例的防止觸電的裝置的各種實驗例的結(jié)果。表1說明根據(jù)esd保護(hù)層的結(jié)構(gòu)的特性，且圖30為說明根據(jù)特性的放電開始電壓的視圖。意即，圖30說明根據(jù)esd保護(hù)層的厚度、導(dǎo)電層(a)以及絕緣層(b)的厚度、絕緣層的孔徑以及孔隙率以及esd保護(hù)層的結(jié)構(gòu)的放電開始電壓。[表1]在實驗例1中，具有25μm的厚度的esd保護(hù)層通過僅使用導(dǎo)電層(導(dǎo)電陶瓷)形成。在實驗例2中，具有10μm的厚度的esd保護(hù)層通過僅使用絕緣層(絕緣陶瓷)形成。在實驗例3中，具有25μm的厚度的esd保護(hù)層通過僅使用絕緣層形成。又，在實驗例4中，導(dǎo)電層以及絕緣層經(jīng)堆疊以形成具有25μm的厚度的esd保護(hù)層。在實驗例5中，導(dǎo)電層、絕緣層以及導(dǎo)電層經(jīng)堆疊以形成具有25μm的厚度的esd保護(hù)層。在實驗例5中，導(dǎo)電層以及絕緣層分別具有8μm以及5μm的厚度。又，在實驗例6中，導(dǎo)電層、絕緣層、氣隙、絕緣層以及導(dǎo)電層經(jīng)堆疊以形成具有25μm的厚度的esd保護(hù)層。此處，導(dǎo)電層、絕緣層以及空隙分別具有8μm、2μm以及3μm的厚度。在實驗例2至6中，絕緣層具有1nm至5μm的孔徑，且因此，絕緣層具有40％的孔隙率。意即，具有1nm至5μm的各種大小的孔形成于絕緣層中。如表1中所示，進(jìn)行關(guān)于實驗例1的多個實驗，其中通過僅使用導(dǎo)電層形成esd保護(hù)層。此處，放電開始電壓為大約2kv至大約4kv，且100％發(fā)生短路。意即，在實驗例1中，多個樣本的放電開始電壓經(jīng)分配至2kv至4kv的電壓。所有樣本絕緣失效，導(dǎo)致漏電流。又，在實驗例2(其中通過僅使用絕緣層執(zhí)行具有10μm的厚度的esd保護(hù)層)中，放電開始電壓為大約11kv至大約13kv，且短路發(fā)生率大約為0.8％。然而，在實驗例3至6(其中導(dǎo)電層以及絕緣層或空隙經(jīng)堆疊以形成esd保護(hù)層)中，將放電開始電壓調(diào)整為3kv至19kv的電壓，不會發(fā)生短路。意即，實驗例4至6中的放電開始電壓小于實驗例2中的放電開始電壓，但歸因于結(jié)構(gòu)差別而不會發(fā)生絕緣擊穿。圖30中說明根據(jù)實驗例的放電開始電壓。如表1中所示，可提供絕緣層以降低歸因于絕緣擊穿而發(fā)生短路的可能性。又，可提供導(dǎo)電層以減小絕緣層的厚度，且改良放電開始電壓。又，在減小絕緣層厚度的同時添加空隙時，放電開始電壓可下降以降低發(fā)生短路的可能性。表2說明根據(jù)絕緣層的厚度以及孔隙率的變化的特性，且圖31為說明根據(jù)特性的放電開始電壓的視圖。將孔隙率設(shè)定為40％以及1％或更小，且若孔隙率為40％，則孔徑為1nm至5μm，且若孔隙率為1％或更小，則孔徑為0。意即，在孔形成于絕緣層中時的特性以及在孔并未形成于絕緣層中時的特性可相比較且在表2中展示。[表2]在實驗例7以及8中，絕緣層具有10μm的厚度以及40％以及1％或更小的孔隙。又，在實驗例9以及10中，絕緣層具有25μm的厚度以及40％以及1％或更小的孔隙。又，在實驗例11中，絕緣層具有25μm的厚度以及40％的孔隙率。如實驗例7以及8中所示，esd保護(hù)層具有10μm的厚度。因此，在絕緣層具有10μm的厚度時，絕緣層的孔隙率減小以增大放電開始電壓以及發(fā)生短路的可能性。又，如實驗例9以及10中所示，esd保護(hù)層具有25μm的厚度。因此，在絕緣層具有25μm的厚度時，絕緣層的孔隙率減小以增大放電開始電壓。然而，因為絕緣層的厚度增加，所以不會發(fā)生短路。如實驗例11中所示，在絕緣層具有25μm的厚度且孔隙率增加至80％時，放電開始電壓大約為21.1kv。圖31中說明根據(jù)表2的放電開始電壓。表3說明根據(jù)絕緣層的孔徑的特性，且圖32為說明根據(jù)特性的放電開始電壓的視圖。意即，在esd保護(hù)層具有25μm的厚度且因此絕緣層具有25μm的厚度時，表達(dá)根據(jù)絕緣層的孔徑的放電開始電壓。[表3]在實驗例12中，絕緣層具有1nm至5μm的孔徑，且因此，絕緣層具有40％的孔隙率。又，在實驗例13中，絕緣層具有5nm至10μm的孔徑，且因此，絕緣層具有40％至60％的孔隙率。又，在實驗例14中，絕緣層具有孔徑0，且因此，絕緣層具有1％或更小的孔隙率。如表3以及圖32中所示，放電開始電壓為大約17kv至大約19kv，且因此在實驗例12的情況下具有大約18.3kv的均值。在實驗例13的情況下，放電開始電壓為大約18kv至大約20.5kv，且因此具有大約19.7kv的均值。意即，隨著孔徑的增加，放電開始電壓也增加。又，在實驗例14的情況下，放電開始電壓為大約24kv至大約28kv，且因此具有大約25.9kv的均值。意即，如實驗例14中所示，在通過使用其中未形成孔的絕緣層形成esd保護(hù)層時，獲得高放電開始電壓。然而，在此情況下，不會發(fā)生短路。表4說明根據(jù)esd保護(hù)層的厚度的特性，且圖33為說明根據(jù)特性的放電開始電壓的視圖。意即，在將esd保護(hù)層的厚度調(diào)整為10μm、25μm以及50μm的厚度且因此將絕緣層的厚度調(diào)整為10μm、25μm以及50μm的厚度時，表達(dá)根據(jù)esd保護(hù)層的厚度的放電開始電壓。此處，絕緣層具有1nm至5μm的孔徑以及40％的孔隙率。[表4]在實驗例15中，esd保護(hù)層具有10μm的厚度，且因此絕緣層具有10μm的厚度。在實驗例16中，esd保護(hù)層具有25μm的厚度，且因此絕緣層具有25μm的厚度。在實驗例17中，esd保護(hù)層具有50μm的厚度，且因此絕緣層具有50μm的厚度。如表4以及圖8中所示，在實驗例15的情況下，放電開始電壓為大約11kv至大約13kv(均值12.4kv)。在實驗例16的情況下，放電開始電壓為大約17kv至大約19kv(均值18.3kv)。在實驗例17的情況下，放電開始電壓為大約25kv至大約27kv(均值26.2kv)。如實驗例15至17中所示，在esd保護(hù)的厚度增加且因此絕緣層的厚度增加時，放電開始電壓增加。然而，在其中esd保護(hù)層具有厚度10μm的實驗例15的情況下，短路發(fā)生率大約為0.9％。表5說明根據(jù)電容器部分的內(nèi)部電極的重疊面積的短路的發(fā)生率。此處，電容器部分的十個內(nèi)部電極彼此重疊，絕緣薄片具有25μm的厚度，且所施加的esd電壓為10kv。[表5]在實驗例18中，內(nèi)部電極的總重疊面積為1.2mm2。在實驗例19中，內(nèi)部電極的總重疊面積為1.0mm2。在實驗例20中，內(nèi)部電極的總重疊面積為0.8mm2。在實驗例中，在施加10kv的esd電壓時，如表5中所示，均值短路發(fā)生次數(shù)隨著總重疊面積的減小而減小。然而，每一單位重疊面積esd通過次數(shù)的均值隨著重疊面積的減小而減小。因此，即使內(nèi)部電極的重疊面積減小，每一單元重疊面積的esd通過次數(shù)也可增加。因此，即使晶片大小減小，仍可維持esd電阻性質(zhì)。表6以及表7說明根據(jù)介電層的厚度的測試結(jié)果，其取決于薄片的介電常數(shù)以及esd電壓的重復(fù)施加。表6說明在具有介電常數(shù)75的介電質(zhì)具有5μm至30μm的厚度且重復(fù)施加10kv的esd電壓時的測試結(jié)果，且表8說明在具有介電常數(shù)2900的介電質(zhì)具有5μm至30μm的厚度且重復(fù)施加10kv的esd電壓時的測試結(jié)果。[表6]10次20次40次60次80次100次120次140次結(jié)果5μm2/10失敗10μm可以可以3/10失敗15μm可以可以可以可以2/10失敗20μm可以可以可以可以可以可以1/10通過25μm可以可以可以可以可以可以可以可以通過30μm可以可以可以可以可以可以可以可以通過如表6中所示，若將10kv的esd電壓施加至具有介電常數(shù)75的介電質(zhì)，則在5μm的厚度下施加esd電壓10次時，發(fā)生兩次失敗，且在10μm的厚度下施加esd電壓40次時，發(fā)生三次失敗。又，在15μm的厚度下施加esd電壓80次時，發(fā)生兩次失敗，且在20μm的厚度下施加esd電壓120次時，發(fā)生一次失敗。因此，在施加10kv的esd電壓80次時，可在15μm的厚度下獲得所要電容以及esd性質(zhì)。[表7]10次20次40次60次80次100次120次140次結(jié)果5μm3/10失敗10μm可以可以1/10失敗15μm可以可以可以可以4/10失敗20μm可以可以可以可以可以可以3/10通過25μm可以可以可以可以可以可以可以可以通過30μm可以可以可以可以可以可以可以可以通過如表7中所示，若將10kv的esd電壓施加至具有介電常數(shù)2900的介電質(zhì)，則在5μm的厚度下施加esd電壓10次時，發(fā)生三次失敗，且在10μm的厚度下施加esd電壓40次時，發(fā)生一次失敗。又，在15μm的厚度下施加esd電壓80次時，發(fā)生四次失敗，且在20μm的厚度下施加esd電壓120次時，發(fā)生三次失敗。因此，在施加10kv的esd電壓80次時，可在15μm的厚度下獲得所要電容以及esd性質(zhì)。然而，可以不同形式體現(xiàn)本發(fā)明，且不應(yīng)將本發(fā)明解釋為限于本文中所闡述的實施例。實際上，提供此等實施例以使得本發(fā)明將為透徹且完整的，且將向所屬領(lǐng)域中具通常知識者充分傳達(dá)本發(fā)明的范疇。此外，本發(fā)明僅由申請專利范圍的范疇界定。當(dāng)前第1頁12