本實(shí)用新型屬于微電子加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種DBC生產(chǎn)用銅片氧化治具。

背景技術(shù)：

DBC(覆銅陶瓷基板)主要應(yīng)用到微電子器件中，目前多數(shù)采用的是覆銅氧化鋁陶瓷基板和覆銅氮化鋁陶瓷基板。但無(wú)論哪種陶瓷的覆銅基板，陶瓷覆銅燒結(jié)前銅片都需要進(jìn)行預(yù)氧化處理，銅片表面氧化生成一定氧化亞銅，然后將氧化好的銅片與瓷片擺好送至燒結(jié)爐內(nèi)，在1065～1083的溫度下銅表面氧化亞銅與氧生成共晶液并與陶瓷反應(yīng)達(dá)到陶瓷覆銅的目的，其中銅片表面氧化亞銅的量直接影響共晶液形成的多少，從而影響共晶液與陶瓷的反應(yīng)，最終影響陶瓷覆銅的結(jié)果，所以銅片的氧化狀態(tài)對(duì)DBC陶瓷基板十分重要。

目前，銅片主要采用前后條狀物支撐、下面通氧氧化銅片的氧化工藝，其存在以下問(wèn)題：1、銅片下表面靠近設(shè)備下通氧管，氣流不均勻，表面氧化層厚度不均勻；2、銅片左右兩邊無(wú)遮擋，底部氧氣往上竄，形成嚴(yán)重的邊緣效應(yīng)，銅片非燒結(jié)面邊緣氧化過(guò)重?zé)Y(jié)時(shí)容易出現(xiàn)疙瘩融化現(xiàn)象；3、上下氧氣連通交換，銅片上下兩面氧化無(wú)法獨(dú)立精確控制；4、銅片高溫變軟，四周固定不全，銅片氧化后變形嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種利于銅片表面均勻氧化、去除氧化時(shí)的邊緣效應(yīng)并能避免銅片高溫變軟坍塌變形問(wèn)題的DBC生產(chǎn)用銅片氧化治具。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型采用以下的技術(shù)方案：

DBC生產(chǎn)用銅片氧化治具，包括形成有支撐平面的呈框架結(jié)構(gòu)的支撐框，所述支撐框的內(nèi)沿尺寸小于待氧化銅片的外沿尺寸；所述支撐框的中部設(shè)置有支撐梁；

所述支撐框的左右兩側(cè)分別設(shè)置有將所述支撐框抬高的支撐立板，銅片預(yù)氧化時(shí)，支撐立板將支撐框的高度抬高至設(shè)備的一半高度，遠(yuǎn)離設(shè)備通氧管路，可以使氧氣自由均勻的擴(kuò)散至銅片表面；所述支撐立板的底端沿邊緣向外彎折形成隔絕平板，可以有效隔絕上下氧氣竄通的問(wèn)題，去除氧化時(shí)的邊緣效應(yīng)；

所述支撐框的前后兩側(cè)分別設(shè)置有擋板，所述擋板的底端位置高于所述支撐立板的底端位置，前后擋板用于遮擋前后銜接時(shí)，由于設(shè)備或治具間的高度而出現(xiàn)的上下隔絕不全面的問(wèn)題。

作為優(yōu)選，所述支撐框的內(nèi)沿尺寸比待氧化銅片的外沿尺寸小1～2mm，支撐框四周可以有效支撐銅片，避免銅片高溫變軟坍塌變形，同時(shí)有效的對(duì)上下氣流進(jìn)行隔絕，實(shí)現(xiàn)銅片上下氧化獨(dú)立精確控制的效果。

作為優(yōu)選，所述擋板的高度為所述支撐立板的高度的1/3～1/2。

作為優(yōu)選，所述支撐框和/或所述支撐梁采用不銹鋼材料。

由于采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有至少以下有益效果：

(1)本氧化治具能夠使銅片表面均勻氧化；

(2)本氧化治具能夠有效隔絕上下氧氣的交換，去除氧化時(shí)的邊緣效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)銅片上下兩面氧化獨(dú)立精確控制；

(3)本氧化治具可以有效支撐銅片，避免銅片高溫變軟坍塌的變形問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

以下附圖僅旨在于對(duì)本實(shí)用新型做示意性說(shuō)明和解釋，并不限定本實(shí)用新型的范圍。其中：

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的主視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-支撐框；2-支撐梁；3-支撐立板；4-隔絕平板；5-擋板。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。在下面的詳細(xì)描述中，只通過(guò)說(shuō)明的方式描述了本實(shí)用新型的某些示范性實(shí)施例。毋庸置疑，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到，在不偏離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，可以用各種不同的方式對(duì)所描述的實(shí)施例進(jìn)行修正。因此，附圖和描述在本質(zhì)上是說(shuō)明性的，而不是用于限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

如圖1至圖3所示，DBC生產(chǎn)用銅片氧化治具，包括形成有支撐平面的呈框架結(jié)構(gòu)的支撐框1，所述支撐框1的內(nèi)沿尺寸小于待氧化銅片的外沿尺寸；所述支撐框的內(nèi)沿尺寸最好比待氧化銅片的外沿尺寸小1～2mm，外沿尺寸可根據(jù)設(shè)備大小、材質(zhì)特性靈活選擇合適的大小，這樣支撐框四周可以有效支撐銅片，避免銅片高溫變軟坍塌變形，同時(shí)有效的對(duì)上下氣流進(jìn)行隔絕，實(shí)現(xiàn)銅片上下氧化獨(dú)立精確控制的效果。

所述支撐框1的中部設(shè)置有支撐梁2，支撐梁2將支撐框1限定為兩個(gè)內(nèi)框；支撐框1表面要求平整，需要氧化的銅片放置在兩個(gè)內(nèi)框上，氧化時(shí)可根據(jù)需要上下各自進(jìn)行精確通氧，氧化銅片。

所述支撐框1的左右兩側(cè)分別設(shè)置有將所述支撐框1抬高的支撐立板3，銅片預(yù)氧化時(shí)，支撐立板3將支撐框2的高度抬高至設(shè)備的一半高度，遠(yuǎn)離設(shè)備通氧管路，可以使氧氣自由均勻的擴(kuò)散至銅片表面；所述支撐立板3的底端沿邊緣向外彎折形成隔絕平板4，可以有效隔絕上下氧氣竄通的問(wèn)題，從而去除氧化時(shí)的邊緣效應(yīng)。

所述支撐框1的前后兩側(cè)分別設(shè)置有擋板5，所述擋板5的底端位置高于所述支撐立板3的底端位置，所述擋板5的高度最好為所述支撐立板3的高度的1/3～1/2。前后擋板用于遮擋前后銜接時(shí)，由于設(shè)備或治具間的高度而出現(xiàn)的上下隔絕不全面的問(wèn)題。

本氧化治具可以采用不銹鋼材料制作，使用前需要進(jìn)行氧化處理。其可以有效解決銅片表面氧化不均勻問(wèn)題，去除氧化時(shí)的邊緣效應(yīng)，利于提高DBC陶瓷基板的生產(chǎn)質(zhì)量。

以上所述僅為本實(shí)用新型示意性的具體實(shí)施方式，并非用以限定本實(shí)用新型的范圍。任何本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的構(gòu)思和原則的前提下所作出的等同變化與修改，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。