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一種電極埋入式單層片式瓷介電容器的制作方法

文檔序號:11707343閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種電極埋入式單層片式瓷介電容器,包括陶瓷介質(zhì)層(1),陶瓷介質(zhì)層(1)上表面附著有第一金端電極層(2),陶瓷介質(zhì)層(1)下表面附著有第二金端電極層(3),其特征是:陶瓷介質(zhì)層(1)內(nèi)部埋有平行分布的第一內(nèi)電極層(4)和第二內(nèi)電極層(5),陶瓷介質(zhì)層(1)內(nèi)設(shè)有第一連接孔(6)和第二連接孔(7),第一連接孔(6)一端與第一金端電極層(2)導(dǎo)通,第一連接孔(6)另一端與第一內(nèi)電極層(4)導(dǎo)通,第二連接孔(7)一端與第二金端電極層(3)導(dǎo)通,第二連接孔(7)另一端與第二內(nèi)電極層(5)導(dǎo)通,第一連接孔(6)和第二連接孔(7)內(nèi)填有金屬介質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極埋入式單層片式瓷介電容器,其特征是:所述的第一金端電極層(2)、第二金端電極層(3)、第一內(nèi)電極層(4)、第二內(nèi)電極層(5)相互之間平行分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極埋入式單層片式瓷介電容器,其特征是:所述的第一連接孔(6)與第一內(nèi)電極層(4)垂直分布,第二連接孔(7)與第二內(nèi)電極層(5)垂直分布。

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