本實用新型涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種CSPLED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：由于在LED市場中，客戶采用線性集成電路的電源方案的比例正持續(xù)增加，而這類電源方案需要有9V、18V、36V、48V或以上電壓的CSP(ChipScalePackage芯片級封裝)的封裝單體來配合線路設(shè)計。但市售的CSP芯片無多種高操作電壓款式提供且底部的正負(fù)極焊盤面積較小，導(dǎo)致多個CSP芯片之間組合貼裝難度極高。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的主要目的是提供一種CSPLED封裝結(jié)構(gòu)，旨在降低CSPLED的貼裝工藝難度并提供市場多樣化的高壓CSPLED的選擇。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出的CSPLED封裝結(jié)構(gòu)包括：芯片本體；焊盤，設(shè)于所述芯片本體的一面，且所述焊盤為所述芯片本體的電極；封裝膠，包裹所述芯片本體，且所述封裝膠具有暴露所述焊盤的開口；金屬片，設(shè)于所述焊盤遠(yuǎn)離所述芯片本體連接的一面，且所述金屬片的面積大于芯片上所述最小電極之面積。優(yōu)選地，所述焊盤包括正電極和電極；所述金屬片的面積大于一個所述正電極或一個所述負(fù)電極的面積；多個所述芯片主體之間通過所述金屬片串連或并聯(lián)導(dǎo)通。優(yōu)選地，所述金屬片焊接于相鄰的兩個所述芯片主體上的所述正電極或所述負(fù)電極。優(yōu)選地，所述CSPLED封裝結(jié)構(gòu)之芯片為倒裝芯片。優(yōu)選地，所述封裝膠為硅膠層。優(yōu)選地，所述封裝膠含有熒光材料。優(yōu)選地，所述焊盤表面具有金屬層。本實用新型技術(shù)方案通過在焊盤背對與芯片本體連接的一面上增設(shè)一金屬片，利用金屬片增加焊盤的焊接面積，從而讓芯片本體的電極更容易與其余芯片本體進(jìn)行連接，并透過不同金屬片的排布設(shè)計來達(dá)到復(fù)數(shù)個芯片的串聯(lián)設(shè)計。附圖說明為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。圖1為本實用新型CSPLED的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型CSPLED封裝結(jié)構(gòu)一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為多個CSPLED封裝結(jié)構(gòu)串聯(lián)的剖視圖；圖4為多個CSPLED封裝結(jié)構(gòu)串聯(lián)的俯視圖。附圖標(biāo)號說明：標(biāo)號名稱標(biāo)號名稱100芯片本體200焊盤210正電極220負(fù)電極300封裝膠400金屬片本實用新型目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。需要說明，本實用新型實施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后……)僅用于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對位置關(guān)系、運(yùn)動情況等，如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時，則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。另外，在本實用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示其相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。另外，各個實施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合，但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ)，當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實現(xiàn)時應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在，也不在本實用新型要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。本實用新型提出一種CSPLED封裝結(jié)構(gòu)。在本實用新型實施例中，參照圖1、圖2和圖4，該CSPLED封裝結(jié)構(gòu)包括芯片本體100；焊盤200，設(shè)于所述芯片本體100的一面，且所述焊盤200為所述芯片本體100的電極；封裝膠300，包裹所述芯片本體100，所述封裝膠300具有暴露所述焊盤200的開口；金屬片400，設(shè)于所述焊盤200背對與所述芯片本體100連接的一面，且所述金屬片的面積大于所述焊盤200的面積。具體地，焊盤200用于連接芯片本體100和印刷線路板，實現(xiàn)CSPLED封裝結(jié)構(gòu)的電性傳導(dǎo)。芯片本體100與印刷線路板使用焊接方式，提高芯片本體100與印刷線路板的連接強(qiáng)度。封裝膠300上的開口可以讓焊盤200暴露在外，以便通過焊盤200連接芯片本體100和印刷線路板。CSPLED為(ChipScalePackage)芯片級封裝的芯片，即芯片周圍包覆之封裝膠體接近芯片尺寸，因此這類CSPLED的尺寸較小，所以焊盤200的面積較小。如此，在CSPLED實際生產(chǎn)過程中，焊盤200面積較小的芯片需要精確度更高的生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行焊接和抓取，直接增大CSPLED的貼裝工藝難度。為了解決焊盤200面積小，難貼裝的問題，因而在CSPLED的基礎(chǔ)上，在焊盤200背對與所述芯片本體100連接的一面上設(shè)置一金屬片400。金屬片400的面積大于焊盤200的面積，如此焊盤200(芯片本體100的電極)與印刷線路板貼裝過程中，金屬片400作為芯片本體100的電極之延伸焊盤，增加了焊接面積，使得印刷線路板更容易通過更大面積的金屬片400與芯片本體100焊接，且能形成更大的連接強(qiáng)度。例如:①金屬片400的長度大于焊盤200的長度；②金屬片400的寬度大于焊盤200的寬度。優(yōu)選地，所述封裝膠300為硅膠層，因為硅膠是一種高穩(wěn)定性材料，除強(qiáng)堿、氫氟酸外不與任何物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，不溶于水和任何溶劑，無毒無味，熱穩(wěn)定性好、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、有較高的機(jī)械強(qiáng)度等等優(yōu)點。本實用新型技術(shù)方案通過在焊盤200背對與芯片本體100連接的一面上增設(shè)一金屬片400，利用金屬片400增加焊盤200的焊接面積，從而讓芯片本體100的電極更容易與其余芯片本體100進(jìn)行連接，并透過不同金屬片400的排布設(shè)計來達(dá)到復(fù)數(shù)個CSPLED的串聯(lián)設(shè)計。進(jìn)一步地，參照圖3和圖4，所述焊盤200包括一個正電極210和一個負(fù)電極220；所述金屬片400的面積大于一個所述正電極210或一個所述負(fù)電極220的面積；多個所述芯片本體100之間通過所述金屬片400串連或并聯(lián)導(dǎo)通。如此，金屬片400可覆蓋相鄰的兩個芯片本體之間的正電極210和負(fù)電極220，實現(xiàn)多個芯片本體的串連或并聯(lián)，以形成更大電壓的CSPLED組，適應(yīng)線性集成電路的電源方案的使用。進(jìn)一步地，參照圖3，所述金屬片400焊接于相鄰的兩個所述芯片主體100上的所述正電極210或所述負(fù)電極220采用焊接。如此，提高了金屬片400與正電極210或負(fù)電極220的連接強(qiáng)度，同時提高了CSPLED封裝結(jié)構(gòu)的封裝可靠性。優(yōu)選地，參照圖1，所述CSPLED封裝結(jié)構(gòu)之芯片為倒裝芯片。在本實施例，CSPLED封裝結(jié)構(gòu)的芯片優(yōu)選倒裝芯片，因為倒裝芯片的封裝技術(shù)的熱學(xué)性能明顯優(yōu)越于常規(guī)使用的引線鍵合工藝。而且倒裝芯片的封裝密度和處理速度方面都很優(yōu)秀。優(yōu)選地，參照圖1，所述焊盤200表面具有過渡金屬層(圖中未示)。如此設(shè)置，所述過渡金屬層起到防擴(kuò)散、增加粘附力和保護(hù)焊盤200的作用。形成所述過渡金屬層的工藝可以為物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電化學(xué)沉積和電鍍工藝。所述過渡金屬層可以為NiPdAu層，Ag層，Ti層、Ta層、TiN層、TaN層、Cu層或者Cu合金層中的一種或幾種的疊層。所述過渡金屬層的厚度為0.1μm至3μm。以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是在本實用新型的發(fā)明構(gòu)思下，利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接/間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
均包括在本實用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3