1.一種成像像素陣列，其特征在于包括：
第一襯底層；
第二襯底層；
在所述第一襯底層中形成的p型光電二極管；
源極跟隨器晶體管，其中所述源極跟隨器晶體管是p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管；以及
互連層，所述互連層將所述第一襯底層耦接到所述第二襯底層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素陣列，其特征在于還包括：
在所述第一襯底層中形成的轉(zhuǎn)移晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像像素陣列，其特征在于還包括：
在所述第二襯底層中形成的重置晶體管，其中所述重置晶體管是p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像像素陣列，其特征在于還包括：
在所述第二襯底層中形成的行選擇晶體管，其中所述行選擇晶體管是p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素陣列，其特征在于所述互連層包括金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素陣列，其特征在于還包括：
在所述第一襯底層中形成的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)，其中所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)包括輕摻雜p型浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像像素陣列，其特征在于還包括：
在所述第二襯底層中形成的額外的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)，其中所述額外的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)包括輕摻雜p型浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像像素陣列，其特征在于所述互連層插置在所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)和所述額外的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像像素陣列，其特征在于還包括：
第三襯底層，其中所述第三襯底層包括選自由以下項(xiàng)構(gòu)成的組中的一個(gè)或多個(gè)電路：時(shí)鐘生成電路、像素尋址電路、信號處理電路、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路、數(shù)字圖像處理電路和系統(tǒng)接口電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成像像素陣列，其特征在于還包括：
額外的互連層，所述額外的互連層將所述第二襯底層耦接到所述第三襯底層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素陣列，其特征在于還包括：
在所述第一襯底層的背側(cè)上形成的鈍化層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素陣列，其特征在于還包括：
與所述p型光電二極管相鄰的n型摻雜釘扎層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素陣列，其特征在于所述源極跟隨器晶體管形成于所述第二襯底層中。
14.一種處理器系統(tǒng)，其特征在于包括：
中央處理單元；
存儲器；
輸入-輸出電路；以及
成像設(shè)備，其中所述成像設(shè)備包括具有圖像像素陣列的圖像傳感器，并且其中所述圖像傳感器包括：
上部晶圓，其中所述上部晶圓包括p型釘扎光電二極管陣列；
中部晶圓；
具有至少一個(gè)處理電路的下部晶圓；
源極跟隨器晶體管，所述源極跟隨器晶體管是p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管；
第一互連層，所述第一互連層將所述上部晶圓耦接至所述中部晶圓；以及
第二互連層，所述第二互連層將所述中部晶圓耦接至所述上部晶圓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理器系統(tǒng)，其特征在于所述中部晶圓具有耦接至所述第二互連層的硅通孔。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理器系統(tǒng)，其特征在于所述中部晶圓還包括重置晶體管和行選擇晶體管，其中所述重置晶體管和所述行選擇晶體管兩者都是p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的處理器系統(tǒng)，其特征在于所述圖像傳感器還包括：
在所述上部晶圓的背側(cè)上形成的鈍化層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的處理器系統(tǒng)，其特征在于所述鈍化層包括所述上部晶圓中的n型注入物。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的處理器系統(tǒng)，其特征在于所述鈍化層包括帶正電的薄膜。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理器系統(tǒng)，其特征在于所述源極跟隨器晶體管形成于所述中部晶圓中。