本實用新型主要涉及到肖特基二極管，尤其涉及一種低溫升高氣密性肖特基二極管結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

肖特基二極管廣泛應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、交流電源適配器及充電器領(lǐng)域近年來，隨著消費類電子產(chǎn)品的厚度越來越薄，要求相應(yīng)的肖特基二極管也要越來越小且低溫升低功耗，同時也要求肖特基二極管氣密性高，能在高溫高濕的環(huán)境中穩(wěn)定工作。本實用新型通過引入高的雜質(zhì)濃度緩沖層，降低了的肖特基二極管的導(dǎo)通電阻從而減少了正向壓降，正向壓降降低對應(yīng)的肖特基二極管溫升也隨之降低；當(dāng)肖特基二極管加反偏電壓時，緩沖層和漂移層承擔(dān)反向阻斷電壓時，與常規(guī)的肖特基二極管相比會減緩或改變電場強(qiáng)度的下降，但不改變整個器件耗盡層中電場強(qiáng)度最大地方仍然為勢壘層附近的情況，合理的緩沖層與漂移層設(shè)計可以保證肖特基二極管即有額定的反向工作電壓又具有低的正向壓降。另外在終端氧化層和陽極金屬邊緣引入高介電常數(shù)的耐熱抗腐蝕性的氮化硅作為鈍化層，可保證肖特基二極管的熱穩(wěn)定性好，耐濕性強(qiáng)，器件氣密性高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的肖特基二極管件具有低溫升高氣密性，與傳統(tǒng)的肖特基制作流程兼容增加工步少容易實現(xiàn)。

本實用新型提供一種低溫升高氣密性肖特基二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：雙層外延，在N+襯底上通過外延生長方式形成緩沖層與漂移層；終端鈍化層，在終端氧化層與陽極金屬邊緣覆蓋介電常數(shù)高耐熱抗腐蝕性的氮化硅作為鈍化層。

本實用新型的特點是N+襯底上生長雙層外延結(jié)構(gòu)，通過降低導(dǎo)通壓降來有效降低肖特基二極管工作時的溫升，降低能耗提升效率。同時在終端氧化層及陽極金屬邊緣引入氮化硅鈍化層，可以提升肖特基二極管封裝后的氣密性，保證肖特基二極管在高溫高濕環(huán)境中可以穩(wěn)定的工作，提升使用壽命。

附圖說明

圖1為本實用新型一種低溫升高氣密性肖特基二極管結(jié)構(gòu)圖，

1. N+襯底層；

2. 緩沖層；

3. 漂移層；

4. P型保護(hù)環(huán)；

5. 終端氧化層；

6. 勢壘層；

7. 陽極電極；

8. 終端鈍化層；

9. 陰極電極。

具體實施方式

圖1示出了本實用新型一種低溫升高氣密性肖特基二極管結(jié)構(gòu)示意圖，下面結(jié)合圖1說明一種低溫升高氣密性肖特基二極管制造流程。

加工制程如下：

A、在N+襯底上通過外延生產(chǎn)方式形成緩沖層和漂移層；

B、在漂移層上生長氧化層，經(jīng)過第一次光刻、腐蝕、摻雜、推結(jié)形成P型保護(hù)環(huán)與終端氧化層；

C、經(jīng)過第二次光刻、腐蝕，金屬淀積、合金形成勢壘層；

D、陽極金屬層蒸鍍，經(jīng)過第三次光刻、腐蝕后形成陽極電極；

E、鈍化層淀積，經(jīng)過第四次光刻，腐蝕后形成終端鈍化層；

F、N+襯底底部減薄，再進(jìn)行陰極金屬層蒸鍍形成陰極電極，器件結(jié)構(gòu)形成。

通過上述實施例闡述了本實用新型，同時也可以采用其它實施例實現(xiàn)本實用新型。

本實用新型不局限于上述具體實施例，因此本實用新型由所附權(quán)利要求范圍限定。