本實用新型涉及多晶硅片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽能電池板用多晶硅片。

背景技術(shù)：

隨著全世界環(huán)境保護意識的高漲，地球升溫所造成的自然災(zāi)害日益嚴重，全世界十億以上住在無電或缺電地區(qū)的人口用電量需求日益迫切，太陽能電池市場將會繼續(xù)快速地成長，多晶硅太陽能電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，多晶硅太陽能電池比單晶硅太陽能電池要便宜一些，材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展，但是多晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少，從而導致光能的利用率較低，因此，我們提出一種太陽能電池板用多晶硅片。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點，而提出的一種太陽能電池板用多晶硅片。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了如下技術(shù)方案：

設(shè)計一種太陽能電池板用多晶硅片，包括多晶硅片、氮化硅層、底座和安裝套片，所述氮化硅層涂設(shè)在多晶硅片的背光側(cè)，所述底座位于多晶硅片的吸光側(cè)，所述多晶硅片、氮化硅層和底座側(cè)面的四周通過安裝套片連接，所述底座的上端均勻的開設(shè)有多個呈矩陣排列的安裝槽，所述安裝槽呈半球狀，且安裝槽的底部與多晶硅片相通，所述多晶硅片吸光側(cè)的表面設(shè)有絨面凸起，所述安裝槽的側(cè)壁上粘接有凹面鏡。

優(yōu)選的，所述安裝套片的內(nèi)壁上開設(shè)有防止多晶硅片、氮化硅層和底座脫落的凹槽。

優(yōu)選的，所述底座底部均勻的開設(shè)有多個限位槽，所述多晶硅片的吸光側(cè)設(shè)有多個與限位槽匹配的限位凸起。

優(yōu)選的，所述絨面凸起的表面設(shè)有透明的防腐蝕薄膜，且防腐蝕薄膜為聚四氟乙烯。

本實用新型提出的一種太陽能電池板用多晶硅片，有益效果在于：本實用新型在操作時，通過在多晶硅片吸光側(cè)設(shè)有底座、安裝槽和凹面鏡，設(shè)有的凹面鏡能夠聚集照射的太陽光，使得多晶硅片能夠更多的吸收太陽能，通過在多晶硅片表面設(shè)有絨面凸起，能夠減少多晶硅片吸光側(cè)的表面反射，從而提高光能的利用率，使得多晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換率增高，該太陽能電池板用多晶硅片，結(jié)構(gòu)簡單，轉(zhuǎn)換率高，光能利用率高。

附圖說明

圖1為本實用新型提出的一種太陽能電池板用多晶硅片的結(jié)構(gòu)主剖圖；

圖2為本實用新型提出的一種太陽能電池板用多晶硅片的結(jié)構(gòu)俯視圖。

圖中：多晶硅片1、氮化硅層2、底座3、安裝套片4、安裝槽5、凹面鏡6、絨面凸起7、限位槽8、限位凸起9。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

參照圖1-2，一種太陽能電池板用多晶硅片，包括多晶硅片1、氮化硅層2、底座3和安裝套片4，氮化硅層2涂設(shè)在多晶硅片1的背光側(cè)，底座3位于多晶硅片1的吸光側(cè)，多晶硅片1、氮化硅層2和底座3側(cè)面的四周通過安裝套片4連接，安裝套片4的內(nèi)壁上開設(shè)有防止多晶硅片1、氮化硅層2和底座3脫落的凹槽，使得多晶硅片1、氮化硅層2和底座3的邊緣壓合在凹槽內(nèi)，實現(xiàn)更加穩(wěn)固的目的。

底座3的上端均勻的開設(shè)有多個呈矩陣排列的安裝槽5，安裝槽5呈半球狀，且安裝槽5的底部與多晶硅片1相通，多晶硅片1吸光側(cè)的表面設(shè)有絨面凸起7，絨面凸起7的表面設(shè)有透明的防腐蝕薄膜，且防腐蝕薄膜為聚四氟乙烯，使得多硅晶片更具有耐腐蝕性能，使用壽命更長，安裝槽5的側(cè)壁上粘接有凹面鏡6，底座3底部均勻的開設(shè)有多個限位槽8，多晶硅片1的吸光側(cè)設(shè)有多個與限位槽8匹配的限位凸起9，能夠防止多晶硅片1與底座3之間發(fā)生相對滑動，使得多晶硅片1與底座3之間更加穩(wěn)固。

本實用新型在操作時，通過在多晶硅片1吸光側(cè)設(shè)有底座3、安裝槽5和凹面鏡6，設(shè)有的凹面鏡6能夠聚集照射的太陽光，使得多晶硅片1能夠更多的吸收太陽能，通過在多晶硅片1表面設(shè)有絨面凸起7，能夠減少多晶硅片1吸光側(cè)的表面反射，從而提高光能的利用率，使得多晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換率增高，該太陽能電池板用多晶硅片，結(jié)構(gòu)簡單，轉(zhuǎn)換率高，光能利用率高。

以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實用新型的技術(shù)方案及其實用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。