本實(shí)用新型涉及硅片技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高強(qiáng)度太陽能硅片。

背景技術(shù)：

當(dāng)今世界，常規(guī)能源的持續(xù)使用帶來了能源緊缺以及環(huán)境惡化等一系列經(jīng)濟(jì)和社會問題，解決上述問題的最好途經(jīng)是大力發(fā)展和推廣可再生能源。在可再生能源中，太陽能發(fā)電由于地域性限制小、應(yīng)用范圍廣、基本無污染、可持續(xù)利用率高等優(yōu)點(diǎn)，成為世界各國競相發(fā)展的目標(biāo)。

目前，現(xiàn)有的各類太陽能電池中，晶體硅太陽電池占了90%的市場份額，其中單晶硅電池的轉(zhuǎn)化效率超過18%，多晶硅電池轉(zhuǎn)化效率也接近17%。盡管在實(shí)驗(yàn)室中小面積的晶體硅電池的最高轉(zhuǎn)化效率接近25%，但由于其工藝與結(jié)構(gòu)過于復(fù)雜，不利于規(guī)?；a(chǎn)及應(yīng)用。因此，在成本不太高，工藝不太復(fù)雜的前提下，各國都在從新的器件結(jié)構(gòu)努力，開發(fā)效率更高的晶體硅類太陽電池及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)。但是在目前階段，太陽能相關(guān)設(shè)備的成本還很高，可靠性和使用壽命等都不是很理想，因此怎樣提高太陽能相關(guān)設(shè)備的可靠性、使用壽命等成為了研究熱點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種高強(qiáng)度太陽能硅片，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種高強(qiáng)度太陽能硅片，包括硅片單元，所述硅片單元均勻排列在硅晶基板上，所述硅晶基板設(shè)置在鋁合金框上，所述硅片單元上方設(shè)有耐老化薄膜，所述耐老化薄膜下方設(shè)有吸光層，所述吸光層下方設(shè)有N型硅半導(dǎo)體，所述N型硅半導(dǎo)體下方設(shè)有P型硅半導(dǎo)體,所述N型硅半導(dǎo)體和P型硅半導(dǎo)體之間形成了一PN結(jié)，所述N型硅半導(dǎo)體的左側(cè)接通上電極，所述P型硅半導(dǎo)體的右側(cè)接通下電極，所述P型硅半導(dǎo)體下方設(shè)有防反射層。

優(yōu)選的，所述防反射層下方設(shè)有保護(hù)膜。

優(yōu)選的，所述硅片單元的表面設(shè)有柵格。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本高強(qiáng)度太陽能硅片，通過在硅片單元上設(shè)置耐老化薄膜提高了硅片的使用壽命，以及吸光層和防反射層的設(shè)置提高了硅片的光電轉(zhuǎn)換強(qiáng)度。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型硅片單元結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1硅片單元、11上電極、12吸光層、13 N型硅半導(dǎo)體、14 PN結(jié)、15 P型硅半導(dǎo)體、16下電極、17保護(hù)膜、18防反射層、19耐老化薄膜、2硅晶基板、3鋁合金框。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請參閱圖1-2，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案：一種高強(qiáng)度太陽能硅片，包括硅片單元1，所述硅片單元1均勻排列在硅晶基板2上，所述硅晶基板2設(shè)置在鋁合金框3上，所述硅片單元1上方設(shè)有耐老化薄膜19，所述耐老化薄膜19下方設(shè)有吸光層12，所述吸光層12下方設(shè)有N型硅半導(dǎo)體13，所述N型硅半導(dǎo)體13下方設(shè)有P型硅半導(dǎo)體15,所述N型硅半導(dǎo)體13和P型硅半導(dǎo)體15之間形成了一PN結(jié)14，所述N型硅半導(dǎo)體13的左側(cè)接通上電極11，所述P型硅半導(dǎo)體15的右側(cè)接通下電極16，所述P型硅半導(dǎo)體15下方設(shè)有防反射層18，所述防反射層18下方設(shè)有保護(hù)膜17，所述硅片單元1的表面設(shè)有柵格。

工作原理：工作時(shí)，當(dāng)太陽光照射到硅片單元1上，在PN結(jié)14中，N型硅半導(dǎo)體13的空穴往P型硅半導(dǎo)體15移動，而P型硅半導(dǎo)體15中的電子往N型硅半導(dǎo)體13移動，從而形成從N型硅半導(dǎo)體13到P型硅半導(dǎo)體15的電流。然后在PN結(jié)14中形成電勢差，這就形成了電源。硅片單元1上設(shè)置耐老化薄膜19提高了硅片的使用壽命，以及吸光層12和防反射層18的設(shè)置提高了硅片的光電轉(zhuǎn)換強(qiáng)度。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。