技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高強(qiáng)度太陽(yáng)能硅片，包括硅片單元，所述硅片單元均勻排列在硅晶基板上，所述硅晶基板設(shè)置在鋁合金框上，所述硅片單元上方設(shè)有耐老化薄膜，所述耐老化薄膜下方設(shè)有吸光層，所述吸光層下方設(shè)有N型硅半導(dǎo)體，所述N型硅半導(dǎo)體下方設(shè)有P型硅半導(dǎo)體,所述N型硅半導(dǎo)體和P型硅半導(dǎo)體之間形成了一PN結(jié)，所述N型硅半導(dǎo)體的左側(cè)接通上電極，所述P型硅半導(dǎo)體的右側(cè)接通下電極，所述P型硅半導(dǎo)體下方設(shè)有防反射層。本高強(qiáng)度太陽(yáng)能硅片，通過(guò)在硅片單元上設(shè)置耐老化薄膜提高了硅片的使用壽命，以及吸光層和防反射層的設(shè)置提高了硅片的光電轉(zhuǎn)換強(qiáng)度。

技術(shù)研發(fā)人員：楊松;白京生;孫志剛;姜斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京諾飛新能源科技有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼：201620789104
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.26
技術(shù)公布日：2017.02.22