技術(shù)總結(jié)
本實用新型提供一種識別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測試結(jié)構(gòu)，包括：TDDB測試結(jié)構(gòu)，包括間隔且并排設(shè)置的第一TDDB測試結(jié)構(gòu)、第二TDDB測試結(jié)構(gòu)和第三TDDB測試結(jié)構(gòu)；大塊源區(qū)域，對稱位于第二TDDB測試結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，適于提供銅離子源或水汽源；其中，所述水汽源的外周設(shè)有環(huán)狀的隔水結(jié)構(gòu)，且所述隔水結(jié)構(gòu)面對所述第二TDDB測試結(jié)構(gòu)的一側(cè)均設(shè)有開口；偽柵結(jié)構(gòu)，分別位于大塊源區(qū)域與第一TDDB測試結(jié)構(gòu)之間以及大塊源區(qū)域與第三TDDB測試結(jié)構(gòu)之間，適于隔離各個TDDB測試結(jié)構(gòu)，使其獨立工作。本實用新型可同時識別銅離子擴散模式和水分滲透模式的超低k介質(zhì)TDDB失效問題，利于排除故障，節(jié)約時間；所述測試結(jié)構(gòu)適于電容測試、斜坡電壓測試、TDDB測試以及漏電流測試。

技術(shù)研發(fā)人員：竇濤;宋興華
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201621347255
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.08
技術(shù)公布日：2017.06.27