1.一種識(shí)別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括間隔且并排設(shè)置的第一TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)、第二TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)和第三TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)；
大塊源區(qū)域，對(duì)稱位于所述第二TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，適于提供銅離子源或水汽源；其中，所述水汽源的外周設(shè)有環(huán)狀的隔水結(jié)構(gòu)，且所述隔水結(jié)構(gòu)面對(duì)所述第二TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)的一側(cè)均設(shè)有開口；
偽柵結(jié)構(gòu)，分別位于所述大塊源區(qū)域與所述第一TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)之間以及所述大塊源區(qū)域與所述第三TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)之間，適于隔離所述第一TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)、所述第二TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述第三TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)，使三者獨(dú)立工作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)均包括所述TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)、所述偽柵結(jié)構(gòu)以及所述大塊源區(qū)域，且所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)中的所述大塊源區(qū)域?yàn)榇篑R士革工藝制程形成的銅墊，所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)中的所述大塊源區(qū)域?yàn)槌蚹介質(zhì)薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的識(shí)別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)中的所述銅墊為矩形結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的識(shí)別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)中的所述超低k介質(zhì)薄膜外周的所述隔水結(jié)構(gòu)為銅環(huán)，所述銅環(huán)為矩形結(jié)構(gòu)，且所述銅環(huán)面對(duì)所述第二TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)的一側(cè)均設(shè)有開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的識(shí)別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)均適于電容測(cè)試、斜坡電壓測(cè)試、TDDB測(cè)試以及漏電流測(cè)試。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述偽柵結(jié)構(gòu)為任何金屬圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識(shí)別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)、所述第二TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述第三TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)均相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的識(shí)別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)、所述第二TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述第三TDDB測(cè)試結(jié)構(gòu)均為堆棧的梳齒狀結(jié)構(gòu)。