技術(shù)編號：12715194
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體測試技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種識別超低k介質(zhì)TDDB失效模式的測試結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著先進(jìn)的超大規(guī)模集成技術(shù)的發(fā)展，超低k(介電常數(shù))介質(zhì)材料的時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿(TimeDependentDielectricBreakdown，簡稱TDDB)問題逐漸成為一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)。對于銅/超低k介質(zhì)互連中，目前行業(yè)中討論最多的是以下兩種主要的失效模式：其一是在銅互連結(jié)構(gòu)中，化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)會造成超低k介質(zhì)材料上表面出現(xiàn)損傷、缺陷以及形成懸空鍵等，銅離子容易在硅及其氧化物中擴(kuò)散，但由于擴(kuò)散...
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