本實(shí)用新型涉及IC結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種五引腳IC結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中常見(jiàn)的IC結(jié)構(gòu)一般設(shè)有8引腳、10引腳甚至更多，這些IC在實(shí)際使用中的多數(shù)情況下都會(huì)有引腳空置的現(xiàn)象，造成引腳材料的浪費(fèi)。圖1示出的是現(xiàn)有技術(shù)中常見(jiàn)的8引腳IC結(jié)構(gòu)，塑封體1’內(nèi)設(shè)有基島2’，基島2’為一個(gè)單片，基島2’兩側(cè)的引腳3’數(shù)量多，且引腳3’與基島2’之間間隔設(shè)置，造成IC的長(zhǎng)度和寬度尺寸都比較大，使用時(shí)需要更大的安裝空間。

同時(shí)，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，目前應(yīng)用于各類(lèi)型驅(qū)動(dòng)電路中的IC都比較復(fù)雜，需要封裝兩個(gè)芯片，而現(xiàn)有IC結(jié)構(gòu)內(nèi)的基島2’為單片，生產(chǎn)時(shí)必須將兩個(gè)芯片分別進(jìn)行封裝，再通過(guò)外部引線連接，加工工藝復(fù)雜且不良率高，無(wú)法滿足新型IC的生產(chǎn)需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種五引腳IC結(jié)構(gòu)，該五引腳IC結(jié)構(gòu)具有5個(gè)輸入端/輸出端，減少引腳浪費(fèi)，塑封體內(nèi)設(shè)有兩個(gè)基島，同時(shí)滿足單芯片或雙芯片的IC生產(chǎn)需求。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是，設(shè)計(jì)一種五引腳IC結(jié)構(gòu)，包括：塑封體、設(shè)于塑封體內(nèi)的基島、及設(shè)于塑封體兩側(cè)的引腳。基島由上下間隔設(shè)置的上基島和下基島構(gòu)成，引腳由橫向設(shè)于塑封體右側(cè)的三個(gè)右引腳和橫向設(shè)于塑封體左側(cè)的兩個(gè)左引腳構(gòu)成。右引腳伸入塑封體內(nèi)且與基島之間留有間隙，兩個(gè)左引腳中位于上部的左引腳伸入塑封體內(nèi)與上基島連接，兩個(gè)左引腳中位于下部的左引腳一端伸入塑封體內(nèi)與下基島連接。

其中，上基島和下基島中至少有一個(gè)設(shè)有芯片，芯片通過(guò)內(nèi)引線連接至對(duì)應(yīng)的右引腳上。

在一實(shí)施例中，上基島和下基島上均設(shè)有芯片，兩個(gè)芯片之間通過(guò)內(nèi)引線連接。

在另一實(shí)施例中，上基島或下基島上設(shè)有芯片。

優(yōu)選的，兩個(gè)左引腳中至少有一個(gè)為散熱引腳，散熱引腳的寬度大于右引腳。

優(yōu)選的，上基島和下基島的兩側(cè)邊緣分別設(shè)有凸出部。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1、適用于具有5個(gè)或5個(gè)以下輸出端的IC結(jié)構(gòu)，減少現(xiàn)有技術(shù)中的引腳浪費(fèi)；

2、IC內(nèi)設(shè)有兩個(gè)基島，適合單芯片或雙芯片的IC生產(chǎn)需求，

3、左引腳連接在基島上，取消基島左側(cè)與引腳之間間距，縮小IC的整體寬度；

4、將與基島連接的左引腳設(shè)置為散熱引腳，提高IC的散熱效率，使其保持更穩(wěn)定的工作狀態(tài)。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，其中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中8引腳IC的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型中5引腳IC的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2中的A-A剖面示意圖；

圖4是圖2中的B-B剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖2、3所示，本實(shí)用新型提出的五引腳IC結(jié)構(gòu)，包括：塑封體1、基島及引腳?；鶏u由上下并列設(shè)置在塑封體1內(nèi)的上基島2和下基島3構(gòu)成，上基島2和下基島3之間設(shè)有間距，上基島2和下基島3中至少有一個(gè)設(shè)有芯片4，生產(chǎn)時(shí)針對(duì)不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，可同時(shí)在兩個(gè)基島上封裝芯片4制成雙芯片IC，兩個(gè)芯片4之間通過(guò)內(nèi)引線在塑封體1內(nèi)部進(jìn)行連接，IC封裝的結(jié)構(gòu)更緊湊穩(wěn)定，也可以在上基島2或下基島3上封裝芯片4制成單芯片IC。

引腳由橫向設(shè)于塑封體1右側(cè)的三個(gè)右引腳5和橫向設(shè)于塑封體1左側(cè)的兩個(gè)左引腳6構(gòu)成。右引腳5伸入塑封體1內(nèi)且與基島之間留有間距，基島上的芯片4通過(guò)內(nèi)引線連接到相應(yīng)的右引腳5上，兩個(gè)左引腳6中位于上部的左引腳伸入塑封體1內(nèi)與上基島2連接，兩個(gè)左引腳6中位于下部的左引腳一端伸入塑封體1內(nèi)與下基島3連接。引腳分布在塑封體1的左右兩側(cè)且數(shù)量少，減小了IC的整體長(zhǎng)度，左引腳6直接連接到基島上，減小了IC的寬度，使用時(shí)需要的安裝空間更小。左引腳6和右引腳5露在塑封體外側(cè)的端部向后折彎形成焊接腳，焊接腳超出塑封體的背面以方便IC的焊接安裝。

為了提高IC的散熱性能，兩個(gè)左引腳6中至少有一個(gè)為散熱引腳，散熱引腳的寬度大于右引腳5，在本實(shí)施例中，兩個(gè)左引腳6均為散熱引腳，左引腳6的寬度是右引腳5的兩倍。較優(yōu)的，上基島2和下基島3的兩側(cè)邊緣分別設(shè)有凸出部，上基島2的凸出部位于右側(cè)上部和左側(cè)下部，下基島3的凸出部位于右側(cè)下部和左側(cè)上部，這樣可以增加基島與塑封體1之間的接觸面積，塑封體1封裝的穩(wěn)定性更好。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。