本實用新型涉及基本電子元件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種熔斷器。
背景技術(shù):
熔斷器是指當電流超過規(guī)定值時,以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷、斷開電路的一種電器,廣泛應(yīng)用于配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng),主要進行短路保護或嚴重過載保護。現(xiàn)有的熔斷器一般包括底座、固定于所述底座上的外套筒和收容于所述外套筒內(nèi)的熔體,所述底座設(shè)有與熔體相連的接線端子。由于熔體通過底座與接線端子相連,熔體與底座的連接穩(wěn)定性直接影響到熔體與接線端子的連接可靠性,通常熔體與底座為平面與平面光滑接觸連接,采用該種連接方式穩(wěn)定性較差,接觸電阻也比較大。
因此,急需提供一種新結(jié)構(gòu)的熔斷器來解決上述技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本實用新型的目的是克服上述技術(shù)問題,提供一種熔體與底座的出線銅排接觸可靠、接觸電阻小的熔斷器。
本實用新型提供的熔斷器,包括底座、具開口的絕緣支架和收容于所述絕緣支架內(nèi)的熔體,所述底座包括具安裝面的凸柱,所述凸柱形狀與所述開口形狀相適配,所述絕緣支架套設(shè)于所述凸柱上,所述熔體包括本體和設(shè)于所述本體一端的導(dǎo)電桿,所述導(dǎo)電桿與所述安裝面相抵接,且所述安裝面和/或所述導(dǎo)電桿與所述安裝面相抵接的表面為壓花面。
優(yōu)選的,,所述底座還包括用于連接外部電路的出線銅排,所述出線銅排通過螺栓與所述凸柱連接。
優(yōu)選的,所述壓花面的花紋均勻排布。
優(yōu)選的,所述壓花面的花紋密度為50~90目/英寸,花紋深度為5~30微米。
優(yōu)選的,所述安裝面的壓花的凹凸深度與所述導(dǎo)電桿與所述安裝面相抵接的表面的壓花的凹凸深度相同。
優(yōu)選的,所述安裝面的壓花形狀與所述導(dǎo)電桿與所述安裝面相抵接的表面的壓花形狀相匹配。
優(yōu)選的,所述熔體還包括設(shè)于所述本體內(nèi)部的銅熔絲,所述銅熔絲與所述導(dǎo)電桿連接。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本實用新型提供的熔斷器通過將熔體的導(dǎo)電桿與底座的凸柱的接觸面其中一方或兩方設(shè)置為壓花面,可以使二者之間的接觸更穩(wěn)定,從而使得所述熔體與所述底座的出線銅排的接觸更可靠,減少接觸電阻,延長熔斷器使用壽命。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖,其中:
圖1為本實用新型提供的熔斷器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為圖1所示熔斷器壓花面的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本實用新型的一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
請參閱圖1,其中圖1為本實用新型提供的熔斷器的結(jié)構(gòu)示意圖。所述熔斷器100包括底座1、絕緣支架2和熔體3。所述底座1包括具安裝面的凸柱11、出線銅排12和螺栓13。所述出線銅排12用于連接外部電路,其通過所述螺栓13與所述凸柱11連接。所述絕緣支架2呈中空結(jié)構(gòu),其一端具有開口(未標號),所述開口形狀與所述凸柱11形狀相適配,所述絕緣支架2通過該開口套設(shè)于所述凸柱11上。所述熔體3收容于所述絕緣支架2內(nèi),其包括本體31、設(shè)于所述本體31一端的導(dǎo)電桿32及設(shè)于所述本體31內(nèi)部的銅熔絲33。所述銅熔絲33與所述導(dǎo)電桿32連接。所述導(dǎo)電桿32與所述凸柱11的安裝面相抵接,且所述安裝面和/或所述導(dǎo)電桿32與所述安裝面相抵接的表面為壓花面。通過將所述導(dǎo)電桿32與所述凸柱11的接觸面其中一方或兩方設(shè)置為壓花面,可以使二者之間的接觸更穩(wěn)定,從而使得所述熔體3與所述出線銅排12的接觸更可靠,減少接觸電阻,延長熔斷器使用壽命。
優(yōu)選的,所述壓花面的花紋均勻排布,如圖2所示。
優(yōu)選的,所述壓花面的花紋密度為50~90目/英寸,花紋深度為5~30微米。
優(yōu)選的,所述安裝面的壓花的凹凸深度與所述導(dǎo)電桿32與所述安裝面相抵接的表面的壓花的凹凸深度相同。更優(yōu)的,所述安裝面的壓花形狀與所述導(dǎo)電桿32與所述安裝面相抵接的表面的壓花形狀相匹配。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本實用新型提供的熔斷器通過將熔體3的導(dǎo)電桿32與底座1的凸柱11的接觸面其中一方或兩方設(shè)置為壓花面,可以使二者之間的接觸更穩(wěn)定,從而使得所述熔體3與所述底座1的出線銅排12的接觸更可靠,減少接觸電阻,延長熔斷器使用壽命。
以上所述僅為本實用新型的實施例,并非因此限制本實用新型的專利范圍,凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。