本實(shí)用新型涉及光電領(lǐng)域，涉及一種光電器件，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

目前，電致發(fā)光器件是一種自發(fā)光器件，屬于注入式發(fā)光,在正向偏壓的作用下,陽極向電荷傳輸層注入空穴,在電場的作用下向傳輸層界面移動,而由陰極注入的電子也由電子傳輸層向界面移動,由于勢壘的作用,電子不易進(jìn)入電荷傳輸層,而在界面附近發(fā)光層一側(cè)積累，從陰極注入的電子和從陽極注入的空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合，釋放出能量，將能量傳遞給發(fā)光物質(zhì)的分子，使其從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，由于激發(fā)態(tài)很不穩(wěn)定，受激分子發(fā)光從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)，輻射躍遷而產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象。

由于使用無機(jī)化合物制備的電致發(fā)光器件具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)固，使用壽命長，穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)勢，得到了廣泛的應(yīng)用，但是無機(jī)電致發(fā)光器件制作成功高，加工困難，效率低下，難以滿足人們對信息顯示設(shè)備的需求，有機(jī)電致發(fā)光器件材料選擇范圍寬，具有低電壓驅(qū)動、高亮度、寬視角、響應(yīng)速度快等特性，在顯示照明等方面有良好的應(yīng)用前景，在近年來得到了迅猛的發(fā)展，有機(jī)電致發(fā)光器件已經(jīng)成為目前的研究熱點(diǎn)之一。

CN 103904178 A公開了一種量子點(diǎn)發(fā)光器件。該量子點(diǎn)發(fā)光器件包括依次相鄰設(shè)置的陽極、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，量子點(diǎn)發(fā)光器件還包括電子阻擋層，設(shè)置在電子傳輸層中或設(shè)置在量子點(diǎn)發(fā)光層與電子傳輸層之間。利用設(shè)置電子阻擋層一方面保證載流子的平衡注入，另一方面隔 絕電子傳輸層與量子點(diǎn)發(fā)光層之間的電荷自發(fā)轉(zhuǎn)移，保證了量子點(diǎn)電中性。所述量子點(diǎn)發(fā)光器件采用常用的CdSe、CdS等量子點(diǎn)，量子效率低，且發(fā)光性質(zhì)不可控。

CN 105720204 A公開了一種種反置結(jié)構(gòu)的無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括ITO玻璃基板、沉積在ITO玻璃表面的ZnO電子傳輸層、無機(jī)鈣鈦礦CsPbX₃量子點(diǎn)發(fā)光層、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺空穴傳輸層、空穴注入層和陽極電極材料。通過以下步驟制備：首先在潔凈的ITO玻璃上采用磁控濺射法沉積ZnO電子傳輸層，之后取CsPbX3量子點(diǎn)的分散液旋涂在器件表面，然后熱蒸發(fā)沉積TCTA空穴傳輸層，再熱蒸發(fā)沉積空穴注入層，最后沉積陽極電極材料。所述發(fā)光二極管的發(fā)光層采用CsPbX₃，通過X為Cl、Br和I任意兩種的組合來調(diào)節(jié)發(fā)光層發(fā)光性質(zhì)，但是兩種化合物的簡單摻雜并不能對發(fā)光層產(chǎn)生太大影響，不能從根本上改變發(fā)光層的發(fā)光性質(zhì)，且容易造成發(fā)光不均勻的問題，同時(shí)外量子效率較低。

因此，針對現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層采用CdSe、CdS等量子點(diǎn)，亮度低，開啟電壓高的問題，研究一種新的有機(jī)電致發(fā)光器件十分重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實(shí)用新型的目的之一在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，所述有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光亮度大，開啟電壓小，發(fā)光性質(zhì)可控，所述制備方法工藝簡單，可用于工業(yè)化生產(chǎn)。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括從陽極層一側(cè)依次連接的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；

其中，所述發(fā)光層為鈣鈦礦量子點(diǎn)層，所述發(fā)光層的厚度為15～20nm。

所述放光層的厚度可以是15nm、16nm、17nm、18nm、19nm或20nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)包含的其他未列舉的數(shù)值也同樣適用。其中鈣鈦礦量子點(diǎn)層為現(xiàn)有技術(shù)，參見CN 105720204 A。

以下作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，但不作為本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案的限制，通過以下技術(shù)方案，可以更好的達(dá)到和實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的技術(shù)目的和有益效果。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述陽極層選自ITO層、Au層或Cu層中的任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實(shí)例有：ITO層和Au層的組合、Au層和Cu層的組合、ITO層和Cu層的組合或ITO層、Au層和Cu層的組合等，陽極層為ITO層時(shí)效果最好。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述空穴注入層選自PEDOT:PSS層、MoO₃層或TDATA層中任意一種或至少兩種的組合，所述空穴注入層的厚度為10～30nm。

其中所述組合典型但非限制性實(shí)例有PEDOT:PSS層和MoO₃層的組合、MoO₃層和TDATA層的組合、PEDOT:PSS層和TDATA層的組合或PEDOT:PSS)層、MoO₃層和TDATA層的組合等，空穴注入層為PEDOT:PSS層時(shí)效果最好；所述空穴注入層的厚度可以是10nm、12nm、15nm、18nm、20nm、22nm、25nm、28nm或30nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)包含的其他未列舉的數(shù)值也同樣適用。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述空穴傳輸層選自TPD層、Poly-TPD層或NPD層中任意一種或至少兩種的組合，所述空穴傳輸層的厚度為5～30nm。

其中所述組合典型但非限制性實(shí)例有：TPD層和Poly-TPD層的組合、Poly-TPD層和NPD層的組合、TPD層和NPD層的組合或TPD層、Poly-TPD 層和NPD層的組合等，所述空穴傳輸層為Poly-TPD層時(shí)效果最好；所述空穴傳輸層的厚度可以是5nm、8nm、10nm、12nm、15nm、18nm、20nm、22nm、25nm、28nm或30nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)包含的其他未列舉的數(shù)值也同樣適用。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述電子傳輸層選自Alq₃層、PBD層或TPBi層中任意一種或至少兩種的組合，所述電子傳輸層的厚度為30～50nm。

其中所述組合典型但非限制性實(shí)例有，Alq₃層和PBD層的組合、PBD層和TPBi層的組合、Alq₃層和TPBi層的組合或Alq₃層、PBD層和TPBi層的組合等，所述電子傳輸層為TPBi層時(shí)效果最好；所述電子傳輸層的厚度可以是30nm、32nm、35nm、38nm、40nm、42nm、45nm、48nm或50nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)包含的其他未列舉的數(shù)值也同樣適用。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述電子注入層選自LiF層、ZnO層或TiO₂層中任意一種或至少兩種的組合，所述電子注入層的厚度為1～5nm。

其中所述組合典型但非限制性實(shí)例有LiF層和ZnO層的組合、ZnO層和TiO₂的組合、LiF層和TiO₂層的組合或LiF層、ZnO層和TiO₂層等，所述電子注入層為LiF層時(shí)效果最好；所述電子注入層的厚度可以是1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm或5nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)包含的其他未列舉的數(shù)值也同樣適用。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述陰極層選自Al層、Mg層或Li層中人分宜一種或至少兩種的組合，所述陰極層的厚度為100～200nm。

其中所述組合典型但非限制性實(shí)例有，Al層和Mg層的組合、Mg層和Li層的組合、Al層和Li層的組合或Al層、Mg層和Li層的組合等，所述陰極層為Al時(shí)效果最好；所述陰極層的厚度可以是100nm、110nm、120nm、130nm、 140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)包含的其他未列舉的數(shù)值也同樣適用。

與現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本實(shí)用新型至少具有以下有益效果：

本實(shí)用新型提供的有機(jī)電致發(fā)光器件采用鈣鈦礦量子點(diǎn)層作為發(fā)光層，并嚴(yán)格控制其厚度，通過對其他各層的材料和厚度的選擇，使本實(shí)用新型提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度達(dá)32090cd/m²，開啟電壓低至1.5V。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1-陰極層，2-電子注入層，3-電子傳輸層，4-發(fā)光層，5-空穴傳輸層，6-空穴注入層，7-陽極層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。

本實(shí)用新型具體實(shí)施例部分，提供了一種如圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括從陽極層7一側(cè)依次連接的空穴注入層6、空穴傳輸層5、發(fā)光層4、電子傳輸層3、電子注入層2以及陰極層1；

其中，所述發(fā)光層4為鈣鈦礦量子點(diǎn)層，所述放光層4的厚度為15～20nm。

為更好地說明本實(shí)用新型，便于理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，本實(shí)用新型的典型但非限制性的實(shí)施例如下：

實(shí)施例1

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，陽極層7為ITO層，空穴注入層6為20nm厚的PEDOT:PSS層，空穴傳輸層5為18nm厚的Poly-TPD層，發(fā)光層4為18nm厚的鈣鈦礦量子點(diǎn)層，電子傳輸層3為40nm厚的TPBi層，電子注入層2為3nm厚的LiF層，陰極層1位150nm厚的Al層。

制備得到的OLED器件的發(fā)光亮度為32090cd/m²，開啟電壓為1.8V。

實(shí)施例2

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，陽極層7為Au層，空穴注入層6為10nm厚的TDATA層，空穴傳輸層5為5nm厚的TPD層，發(fā)光層4為10nm厚的鈣鈦礦量子點(diǎn)層，電子傳輸層3為30nm厚的PBD層，電子注入層2為1nm厚的ZnO層，陰極層1位100nm厚的Li層。

制備得到的OLED器件的發(fā)光亮度為30785cd/m²，開啟電壓為1.62V。

實(shí)施例3

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，陽極層7為Cu層，空穴注入層6為30nm厚的MoO₃層，空穴傳輸層5為30nm厚的NPD層，發(fā)光層4為30nm厚的鈣鈦礦量子點(diǎn)層，電子傳輸層3為50nm厚的Alq₃層，電子注入層2為5nm厚的TiO₂層，陰極層1位200nm厚的Mg層。

制備得到的OLED器件的發(fā)光亮度為31057cd/m²，開啟電壓為1.56V。

實(shí)施例4

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，除了陽極層7為Au層和Cu層的組合外，其他條件均與實(shí)施例1相同。

制備得到的OLED器件的發(fā)光亮度為29700cd/m²，開啟電壓為1.66V。

實(shí)施例5

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，除了空穴注入層6為PEDOT:PSS層和TDATA層的組合外，其他條件均與實(shí)施例1相同。

制備得到的OLED器件的發(fā)光亮度為30220cd/m²，開啟電壓為1.62V。

實(shí)施例6

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，除了空穴傳輸層5為TPD層和Poly-TPD層的組 合外，其他條件均與實(shí)施例1相同。

制備得到的OLED器件的發(fā)光亮度為31980cd/m²，開啟電壓為1.5V。

實(shí)施例7

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，除了電子傳輸層3為PBD層和TPBi層的組合外，其他條件均與實(shí)施例1相同。

制備得到的OLED器件的發(fā)光亮度為29520cd/m²，開啟電壓為1.57V。

實(shí)施例8

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，除了電子注入層2為LiF層和ZnO層的組合外，其他條件均與實(shí)施例1相同。

制備得到的OLED器件的發(fā)光亮度為28710cd/m²，開啟電壓為1.78V。

實(shí)施例9

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，除了陰極層1為Al層和Mg層的組合外，其他條件均與實(shí)施例1相同。

制備得到的OLED器件的發(fā)光亮度為27960cd/m²，開啟電壓為1.74V。

通過實(shí)施例1-9可以看出，本實(shí)用新型提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，使用鈣鈦礦量子點(diǎn)作為發(fā)光層，并嚴(yán)格控制其厚度，對器件其他各層做出合理的選擇并控制其厚度，可以使發(fā)光亮度達(dá)32090cd/m²，開啟電壓低至1.5V。同時(shí)通過對有機(jī)電致發(fā)光器件除發(fā)光層外其他各層的選擇，并調(diào)整其厚度，可以得到不同發(fā)光強(qiáng)度以及開啟電壓的有機(jī)電致發(fā)光器件。

申請人聲明，本實(shí)用新型通過上述實(shí)施例來說明本實(shí)用新型的詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征，但本實(shí)用新型并不局限于上述詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征，即不意味著本實(shí)用新型必須依賴上述詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本實(shí)用新型的任何改進(jìn)，對本實(shí)用新型所選用部件的等效替換以及輔助部件的增 加、具體方式的選擇等，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。

以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

另外需要說明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合，為了避免不必要的重復(fù)，本實(shí)用新型對各種可能的組合方式不再另行說明。

此外，本實(shí)用新型的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本實(shí)用新型的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型所公開的內(nèi)容。