本實(shí)用新型屬于光伏領(lǐng)域，涉及一種太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備。

背景技術(shù)：

圖1顯示為現(xiàn)有太陽(yáng)能電池片工藝流程，包括如下步驟：清洗制絨、擴(kuò)散制結(jié)、邊緣刻蝕/背拋光/去除磷硅玻璃、PECVD鍍膜、絲網(wǎng)印刷/燒結(jié)。其中，邊緣刻蝕/背拋光/去除磷硅玻璃通過(guò)RENA刻蝕實(shí)現(xiàn)。

如圖2所示，在太陽(yáng)能電池片的RENA刻蝕過(guò)程中，依次會(huì)通過(guò)蝕刻槽、第一水槽、堿洗槽、第二水槽、酸洗槽、第三水槽。其中蝕刻槽中的溶液由硝酸、氫氟酸和硫酸的混合液組成，由于混合液的表面張力，電池片漂浮在蝕刻槽溶液上，進(jìn)行邊緣刻蝕及背面拋光，以去除電池片邊緣及背面的PN結(jié)；第一水槽進(jìn)行循環(huán)噴淋水洗以去除刻蝕后吸附在電池片上的刻蝕液；堿洗槽采用KOH溶液，通過(guò)KOH噴淋(兩面噴淋)將電池片表面從刻蝕槽中攜帶的未沖洗干凈的酸除去，并去除電池片上的多孔硅及雜質(zhì)；第二水槽進(jìn)行循環(huán)噴淋水洗以去除吸附在電池片上的堿液；酸洗槽采用氫氟酸溶液，通過(guò)HF循環(huán)沖刷噴淋去除電池片正面的磷硅玻璃；第三水槽進(jìn)行循環(huán)噴淋水洗去除吸附在電池片上的HF酸液。

現(xiàn)有的RENA刻蝕過(guò)程在采用第一水槽對(duì)電池片進(jìn)行清洗時(shí)會(huì)使其含氮，這個(gè)過(guò)程會(huì)產(chǎn)生大量含氮廢水。如果含氮廢水沒(méi)有得到好的處理，就會(huì)污染水資源。由于含氮廢水的處理成本相對(duì)較高，會(huì)提高了電池片的生產(chǎn)成本。

因此，如何提供一種新的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備，以在避免使用硝酸的情況下完成太陽(yáng)能電池片刻蝕的工藝要求(邊緣刻蝕/背拋光/去磷硅玻璃)，杜絕含氮廢水的產(chǎn)生，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)重要技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中硝酸處理晶體硅后會(huì)產(chǎn)生含氮廢液，容易污染水資源，廢液處理成本高的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備，所述太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備包括：

第一堿槽；所述第一堿槽用于容置第一KOH溶液，在電池片處于漂浮狀態(tài)時(shí)對(duì)電池片背面進(jìn)行拋光，以去除所述電池片背面的PN結(jié)；

第一水槽；所述第一水槽用于去除所述電池片上殘留的第一KOH溶液；

氫氟酸槽；所述氫氟酸槽用于去除所述電池片正面的磷硅玻璃；

第二水槽；所述第二水槽用于去除所述電池片上殘留的氫氟酸溶液。

可選地，所述太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備包括：

第一堿槽；所述第一堿槽用于容置第一KOH溶液，在電池片處于漂浮狀態(tài)時(shí)對(duì)電池片背面進(jìn)行拋光，以去除所述電池片背面的PN結(jié)；

第一水槽；所述第一水槽用于去除所述電池片上殘留的第一KOH溶液；

第二堿槽；所述第二堿槽用于采用第二KOH溶液噴淋去除所述電池片正面及背面的污染物；

第三水槽；所述第三水槽用于去除所述電池片上殘留的第二KOH溶液；

氫氟酸槽；所述氫氟酸槽用于去除所述電池片正面的磷硅玻璃；

第二水槽；所述第二水槽用于去除所述電池片上殘留的氫氟酸溶液。

可選地，所述第一堿槽中設(shè)有若干平行排列的用于承載電池片并傳送電池片的滾輪；所述滾輪包括主體軸及若干環(huán)繞所述主體軸表面的用于在傳動(dòng)過(guò)程中將所述第一KOH溶液帶至所述電池片背面的凸紋。

可選地，各凸紋之間分立設(shè)置且平行排列。

可選地，所述凸紋的徑面與所述主體軸的軸線垂直。

可選地，相鄰?fù)辜y之間的距離為1-10毫米。

可選地，所述凸紋的高度范圍是1-6毫米。

可選地，所述凸紋的橫截面為三角形、矩形、梯形或鋸齒形。

可選地，所述第一水槽包括上水刀及下水刀，以對(duì)電池片兩面進(jìn)行噴淋。

可選地，所述第二水槽均包括上水刀及下水刀，以對(duì)電池片兩面進(jìn)行噴淋。

可選地，所述氫氟酸槽包括上水刀及下水刀，以采用氫氟酸溶液對(duì)電池片兩面進(jìn)行噴淋。

如上所述，本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備，具有以下有益效果：使用本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備進(jìn)行電池片刻蝕，可以取消硝酸的使用，從而不需產(chǎn)生含氮廢水，減少了對(duì)水資源的污染，并降低了廢液處理成本，同時(shí)還具備RENA刻蝕所具有的邊緣刻蝕、背拋光、去PSG(磷硅玻璃)的作用，其中所述邊緣刻蝕通過(guò)激光刻蝕法實(shí)現(xiàn)。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為現(xiàn)有太陽(yáng)能電池片工藝流程

圖2顯示為現(xiàn)有太陽(yáng)能電池片的RENA刻蝕過(guò)程所采用的刻蝕設(shè)備。

圖3a-圖3b顯示為本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4a-圖4b顯示為利用本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備進(jìn)行太陽(yáng)能電池片制作的工藝流程圖。

圖5顯示為利用本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備進(jìn)行太陽(yáng)能電池片制作的過(guò)程中在第一堿槽中采用第一KOH溶液拋光所述電池片背面的示意圖。

圖6顯示為所述滾輪的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7顯示為所述滾輪的側(cè)視圖。

圖8-圖11分別顯示為所述凸紋橫截面為三角形、矩形、梯形或鋸齒形的示意圖。

圖12顯示為利用本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備進(jìn)行太陽(yáng)能電池片制作在一種實(shí)施方式中的工藝流程。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

S1～S6，S301～S302 步驟

1 主體軸

2 凸紋

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖3至圖12。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

實(shí)施例一

本實(shí)用新型提供一種太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備，請(qǐng)參閱圖3a，顯示為所述太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，包括第一堿槽、第一水槽、氫氟酸槽及第二水槽。

本實(shí)施例中，所述第一堿槽、第一水槽、氫氟酸槽及第二水槽依次連續(xù)放置，以便于太陽(yáng)能電池片在各個(gè)槽中依次流轉(zhuǎn)。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，所述第一堿槽、第一水槽、氫氟酸槽及第二水槽的相對(duì)位置也可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，此處不應(yīng)過(guò)分限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

具體的，所述第一堿槽用于容置第一KOH溶液，在電池片處于漂浮狀態(tài)時(shí)對(duì)電池片背面進(jìn)行拋光，以去除所述電池片背面的PN結(jié)。

本實(shí)施例中，所述第一堿槽中設(shè)有若干平行排列的用于承載電池片并傳送電池片的滾輪。

本實(shí)用新型中，所述第一堿槽可以代替常規(guī)RENA刻蝕工藝中的刻蝕槽實(shí)現(xiàn)對(duì)電池片背面的拋光，從而可以取消硝酸的使用，不需產(chǎn)生含氮廢水，減少了對(duì)水資源的污染，并降低了廢液處理成本。

由于KOH溶液的表面張力不如硝酸/氫氟酸/硫酸混合液的表面張力，本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)電池片經(jīng)過(guò)第一堿槽時(shí)處于漂浮狀態(tài)，將傳統(tǒng)的內(nèi)部行走滾輪改為凸紋狀滾輪。傳統(tǒng)的內(nèi)部行走滾輪包括主體軸及套設(shè)于所述主體軸上的橡膠圈，且相鄰橡膠圈之間的間距較大(只要保證間距小于電池片寬度，防止電池片掉下即可)。而本實(shí)用新型中的凸紋狀滾輪包括主體軸及若干環(huán)繞所述主體軸表面的用于在傳動(dòng)過(guò)程中將所述第一KOH溶液帶至所述電池片背面的凸紋。

作為示例，各凸紋之間分立設(shè)置且平行排列，且所述凸紋的徑面與所述主體軸的軸線垂直(如圖6及圖7所示)，以防止電池片在傳送過(guò)程中跑偏。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，也可采用其它可以防止電池片跑偏的凸紋排布方式，此處不應(yīng)過(guò)分限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

作為示例，所述凸紋的橫截面包括但不限于三角形、矩形、梯形、鋸齒形等。其中，圖8顯示為三角形凸紋、圖9顯示為矩形凸紋、圖10顯示為梯形凸紋、圖11顯示為鋸齒形凸紋。

為了實(shí)現(xiàn)較好的帶液效果，所述凸紋的高度范圍是1-6毫米，相鄰?fù)辜y之間的距離為1-10毫米。本實(shí)施例中，所述凸紋的高度優(yōu)選為2毫米，相鄰?fù)辜y之間的距離優(yōu)選為5毫米。

此外，與常規(guī)RENA刻蝕工藝中的堿槽采用噴淋方式中和電池片表面從刻蝕槽帶出的酸液及去除電池片表面的多孔硅不同的是，本實(shí)用新型中所述第一堿槽是采用漂浮方式，電池片只有背面接觸第一KOH溶液實(shí)現(xiàn)背拋光。并且本實(shí)用新型中，所述第一堿槽采用的高濃度KOH熱溶液，以提高反應(yīng)速度，更加有效地進(jìn)行背拋光，去除所述電池片背面的PN結(jié)。

作為示例，所述第一KOH溶液的濃度范圍是10-40wt％，溫度范圍是40-60℃，本實(shí)施例中優(yōu)選為50℃。

具體的，所述第一水槽用于去除所述電池片上殘留的第一KOH溶液。作為示例，所述第一水槽包括上水刀及下水刀，以對(duì)電池片兩面進(jìn)行噴淋清洗。所述第一水槽還可以包括風(fēng)刀，以吹干電池片。

具體的，所述第二水槽用于去除所述電池片上殘留的氫氟酸溶液。作為示例，所述第二水槽包括上水刀及下水刀，以對(duì)電池片兩面進(jìn)行噴淋清洗。所述第二水槽還可以包括風(fēng)刀，以吹干電池片。

本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備可以取消硝酸的使用，從而不需產(chǎn)生含氮廢水，減少了對(duì)水資源的污染，并降低了廢液處理成本，同時(shí)還具備RENA刻蝕所具有的邊緣刻蝕、背拋光、去PSG(磷硅玻璃)的作用，其中所述邊緣刻蝕可通過(guò)激光刻蝕法實(shí)現(xiàn)。

實(shí)施例二

本實(shí)施例與實(shí)施例一采用基本相同的技術(shù)方案，不同之處在于，本實(shí)施例中，所述太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備還包括第二堿槽及第三水槽。請(qǐng)參閱圖3b，顯示為本實(shí)施例中所述太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，包括第一堿槽、第一水槽、第二堿槽、第三水槽、氫氟酸槽及第二水槽。

本實(shí)施例中，所述第一堿槽、第一水槽、第二堿槽、第三水槽、氫氟酸槽及第二水槽依次連續(xù)放置，以便于太陽(yáng)能電池片在各個(gè)槽中依次流轉(zhuǎn)。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，所述第一堿槽、第一水槽、第二堿槽、第三水槽、氫氟酸槽及第二水槽的相對(duì)位置也可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，此處不應(yīng)過(guò)分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

所述第一堿槽、第一水槽、氫氟酸槽、第二水槽的結(jié)構(gòu)及作用請(qǐng)參見(jiàn)實(shí)施例一，此處不再贅述。

本實(shí)施例中，所述第二堿槽用于容置濃度范圍為3-8wt％的第二KOH溶液(優(yōu)選采用濃度為5wt％的KOH溶液)，并采用噴淋方式去除電池片正面及背面的污染物，例如多孔硅、油污等。對(duì)電池片正面及背面的噴淋可通過(guò)設(shè)于所述第二堿槽中的上水刀及下水刀實(shí)現(xiàn)。電池片可通過(guò)設(shè)置于所述第二堿槽中的滾輪進(jìn)行傳動(dòng)。所述滾輪可采用傳統(tǒng)的內(nèi)部行走滾輪，包括主體軸及套設(shè)于所述主體軸上的橡膠圈。

所述第三水槽用于去除所述電池片上殘留的第二KOH溶液。作為示例，所述第三水槽包括上水刀及下水刀，以對(duì)電池片兩面進(jìn)行噴淋清洗。所述第一水槽還可以包括風(fēng)刀，以吹干電池片。

實(shí)施例三

圖4a顯示為利用本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備進(jìn)行太陽(yáng)能電池片制作的工藝流程圖，包括如下步驟：

S1：提供一經(jīng)過(guò)清洗制絨、擴(kuò)散制結(jié)的晶體硅電池片，于所述電池片正面的磷硅玻璃層上形成氧化膜；

S2：采用第一KOH溶液拋光所述電池片背面，以去除所述電池片背面的PN結(jié)；

S3：采用第一水槽對(duì)所述電池片進(jìn)行清洗；

S4：采用氫氟酸溶液去除所述氧化膜及所述電池片正面的磷硅玻璃層；

S5：采用第二水槽對(duì)所述電池片進(jìn)行清洗；

S6：采用激光刻蝕法對(duì)所述電池片進(jìn)行邊緣刻蝕，以去除所述電池片邊緣的PN結(jié)。

首先執(zhí)行步驟S1：提供一經(jīng)過(guò)清洗制絨、擴(kuò)散制結(jié)的晶體硅電池片，于所述電池片正面的磷硅玻璃層上形成氧化膜。

具體的，所述晶體硅為單晶硅或多晶硅，其中，針對(duì)單晶硅電池片可采用堿制絨形成金字塔絨面，針對(duì)多晶硅電池片可采用酸制絨形成蜂窩狀絨面。表面絨面陷光結(jié)構(gòu)可以降低硅片表面對(duì)太陽(yáng)光的反射率，以提高對(duì)光的吸收效率。

具體的，制作太陽(yáng)能的晶體硅片通常是P型的，需要用液態(tài)磷源或其它磷源在硅片表面摻磷并擴(kuò)散，制作出太陽(yáng)能電池的核心PN結(jié)。而PN結(jié)上方在擴(kuò)散過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生一層磷硅玻璃層(簡(jiǎn)稱(chēng)PSG，為富含磷元素的二氧化硅層)，會(huì)對(duì)后續(xù)鍍膜和燒結(jié)工藝產(chǎn)生不良影響，需要在后續(xù)工藝中去除。并且由于擴(kuò)散時(shí)整個(gè)腔體內(nèi)均充滿含磷元素的蒸汽，因此，除了電池片正面會(huì)形成PN結(jié)，電池片邊緣及背面也可能形成PN結(jié)。電池片邊緣的PN結(jié)可能導(dǎo)致硅片兩面電極的導(dǎo)通漏電，降低電池對(duì)光生電流的收集效率，電池片背面的PN結(jié)也將對(duì)太陽(yáng)能電池性能產(chǎn)生不良影響，均需要在后續(xù)工藝中去除。

具體的，通過(guò)熱氧化法或其它沉積方法在所述磷硅玻璃層上形成厚度范圍為5-15nm的氧化膜，其材質(zhì)為二氧化硅。所述氧化膜用于保護(hù)后續(xù)背拋光過(guò)程中電池片正面不被濺灑的第一KOH溶液所腐蝕。

雖然磷硅玻璃層也有一定保護(hù)作用，但一方面由于絨面的存在，磷硅玻璃層的厚度可能不均勻，存在一些薄弱點(diǎn)，另一方面擴(kuò)散制結(jié)過(guò)程中所得磷硅玻璃層的厚度有限。而本實(shí)用新型后續(xù)背拋光步驟中所采用的第一KOH溶液濃度及溫度均較高，磷硅玻璃層無(wú)法起到良好的保護(hù)作用。

然后執(zhí)行步驟S2：采用第一KOH溶液拋光所述電池片背面，以去除所述電池片背面的PN結(jié)。

具體的，在第一堿槽中進(jìn)行所述電池片的背面拋光，所述第一KOH溶液的濃度范圍是10-40wt％，溫度范圍是40-60℃，本實(shí)施例中優(yōu)選為50℃。

如圖5所示，所述第一堿槽中設(shè)有若干平行排列的用于承載電池片并傳送電池片的滾輪。如圖6及圖7所示，所述滾輪包括主體軸1及若干環(huán)繞所述主體軸1表面的凸紋2。當(dāng)所述滾輪停止轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，所述第一KOH溶液的液面低于所述電池片背面。當(dāng)所述滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，在傳動(dòng)過(guò)程中，所述凸紋2可以將所述第一KOH溶液帶至所述電池片背面，并使電池片處于漂浮狀態(tài)，以實(shí)現(xiàn)所述電池片的背面拋光，去除電池片背面的PN結(jié)。

本實(shí)施例中，各凸紋2之間分立設(shè)置且平行排列，且所述凸紋2的徑面與所述主體軸1的軸線垂直，有利于防止電池片傳動(dòng)過(guò)程中跑偏。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，也可采用其它可以防止電池片跑偏的凸紋排布方式，此處不應(yīng)過(guò)分限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

作為示例，所述凸紋的橫截面包括但不限于三角形、矩形、梯形、鋸齒形等。其中，圖8顯示為三角形凸紋、圖9顯示為矩形凸紋、圖10顯示為梯形凸紋、圖11顯示為鋸齒形凸紋。

為了實(shí)現(xiàn)較好的帶液效果，所述凸紋的高度范圍是1-6毫米，相鄰?fù)辜y之間的距離為1-10毫米。本實(shí)施例中，所述凸紋的高度優(yōu)選為2毫米，相鄰?fù)辜y之間的距離優(yōu)選為5毫米。

本步驟采用第一KOH溶液對(duì)電池片背面的拋光，取消了硝酸的使用，不需產(chǎn)生含氮廢水，減少了對(duì)水資源的污染，并降低了廢液處理成本，并同樣可以達(dá)到常規(guī)RENA刻蝕工藝中的刻蝕槽的背拋光效果。

此外，與常規(guī)RENA刻蝕工藝中的堿槽采用噴淋方式中和電池片表面從刻蝕槽帶出的酸液及去除電池片表面的多孔硅不同的是，本實(shí)用新型中所述第一堿槽是采用漂浮方式，電池片只有背面接觸第一KOH溶液實(shí)現(xiàn)背拋光。并且本實(shí)用新型中，所述第一堿槽采用的高濃度KOH熱溶液，可以提高反應(yīng)速度，更加有效地進(jìn)行背拋光，去除所述電池片背面的PN結(jié)。

接著執(zhí)行步驟S3：采用第一水槽對(duì)所述電池片進(jìn)行清洗。

具體的，所述第一水槽用于去除所述電池片上殘留的第一KOH溶液。作為示例，所述第一水槽包括上水刀及下水刀，以對(duì)電池片兩面進(jìn)行噴淋清洗。所述第一水槽還可以包括風(fēng)刀，以吹干電池片。

再執(zhí)行步驟S4：采用氫氟酸溶液去除所述氧化膜及所述電池片正面的磷硅玻璃層。

具體的，氫氟酸溶液可以和二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)性的四氟化硅氣體，從而實(shí)現(xiàn)去除所述氧化膜及磷硅玻璃層的目的。氫氟酸溶液配方可采用現(xiàn)有的RENA刻蝕工藝中的氫氟酸溶液配方，或者根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整，此處不應(yīng)過(guò)分限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

接著再執(zhí)行步驟S5：采用第二水槽對(duì)所述電池片進(jìn)行清洗。

具體的，所述第二水槽用于去除所述電池片上殘留的氫氟酸溶液。作為示例，所述第二水槽包括上水刀及下水刀，以對(duì)電池片兩面進(jìn)行噴淋清洗。所述第二水槽還可以包括風(fēng)刀，以吹干電池片。

最后執(zhí)行步驟S6：采用激光刻蝕法對(duì)所述電池片進(jìn)行邊緣刻蝕，以去除所述電池片邊緣的PN結(jié)，實(shí)現(xiàn)電池片邊緣的絕緣。

進(jìn)一步，本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片的制作方法還包括PECVD鍍膜、絲網(wǎng)印刷及燒結(jié)的步驟。所述PECVD鍍膜、絲網(wǎng)印刷及燒結(jié)步驟可以在激光刻蝕步驟之前執(zhí)行，也可以在激光刻蝕步驟之后進(jìn)行。

請(qǐng)參閱圖12，顯示為本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片的制作方法的一種工藝流程圖，其中，所述PECVD鍍膜、絲網(wǎng)印刷及燒結(jié)步驟是在激光刻蝕步驟之前執(zhí)行，有利于后續(xù)通過(guò)激光刻蝕將電池片邊緣的PN結(jié)及絲網(wǎng)印刷過(guò)程流至電池片的導(dǎo)電漿一并去除，防止邊緣PN結(jié)去除后電池片邊緣因絲網(wǎng)印刷而再次存在漏電風(fēng)險(xiǎn)。

具體的，PECVD鍍膜通常是鍍氮化硅薄膜。采用PECVD設(shè)備在等離子體低溫環(huán)境下進(jìn)行氮化硅鍍膜，該層氮化硅薄膜通過(guò)半波長(zhǎng)減反原理的光學(xué)設(shè)計(jì)，可以減少太陽(yáng)光的反射損失，同時(shí)利用膜層中富含的H元素對(duì)太陽(yáng)能電池硅片表面和體內(nèi)進(jìn)行鈍化，并因其膜層中富含的固定電荷產(chǎn)生表面電場(chǎng)，可有效降低電池片表面的復(fù)合速率。

具體的，絲網(wǎng)印刷的目的制作太陽(yáng)能電池的電極，燒結(jié)可以形成良好的金半接觸。

后續(xù)還可以進(jìn)一步進(jìn)行太陽(yáng)能電池的測(cè)試分選，即使太陽(yáng)能電池在一定溫度下接受在一定的輻照度的太陽(yáng)光照射，在接受照射的同時(shí)變化外電路負(fù)載，測(cè)量流出負(fù)載的電流I和電池端電壓V的數(shù)據(jù)和關(guān)系曲線，根據(jù)數(shù)據(jù)和曲線由計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)計(jì)算出各種電性能參數(shù)。

至此，完成了太陽(yáng)能電池片的制作，利用本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備進(jìn)行太陽(yáng)能電池片制作避免了硝酸的使用，并可以有效進(jìn)行邊緣刻蝕、背拋光、去PSG(磷硅玻璃)，杜絕了含氮廢水的產(chǎn)生。

實(shí)施例四

本實(shí)施例與實(shí)施例三采用基本相同的技術(shù)方案，不同之處在于，于所述步驟S3與步驟S4之間還包括步驟S301及步驟S302。請(qǐng)參閱圖4b，顯示為該方法的工藝流程圖，包括如下步驟：

S1：提供一經(jīng)過(guò)清洗制絨、擴(kuò)散制結(jié)的晶體硅電池片，于所述電池片正面的磷硅玻璃層上形成氧化膜；

S2：采用第一KOH溶液拋光所述電池片背面，以去除所述電池片背面的PN結(jié)；

S3：采用第一水槽對(duì)所述電池片進(jìn)行清洗；

S301：采用第二KOH溶液噴淋去除所述電池片正面及背面的污染物；

S302：采用第三水槽對(duì)所述電池片進(jìn)行清洗；

S4：采用氫氟酸溶液去除所述氧化膜及所述電池片正面的磷硅玻璃層；

S5：采用第二水槽對(duì)所述電池片進(jìn)行清洗；

S6：采用激光刻蝕法對(duì)所述電池片進(jìn)行邊緣刻蝕，以去除所述電池片邊緣的PN結(jié)。

本實(shí)施例中，所述步驟301利用第二堿槽以雙面KOH溶液噴淋方式清洗電池片正面與背面，以去除電池片正面及背面的污染物，例如多孔硅、油污等。所述第二KOH溶液的濃度范圍為3-8wt％，優(yōu)選為5wt％。

所述步驟302利用第三水槽清洗掉電池片上殘留的第二KOH溶液。作為示例，所述第三水槽包括上水刀及下水刀，以對(duì)電池片兩面進(jìn)行噴淋清洗。所述第一水槽還可以包括風(fēng)刀，以吹干電池片。

其余步驟的具體實(shí)現(xiàn)方式請(qǐng)參見(jiàn)實(shí)施例三，此處不再贅述。

綜上所述，本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池片刻蝕設(shè)備可以取消硝酸的使用，從而不需產(chǎn)生含氮廢水，減少了對(duì)水資源的污染，并降低了廢液處理成本，同時(shí)還具備RENA刻蝕所具有的邊緣刻蝕、背拋光、去PSG(磷硅玻璃)的作用，其中所述邊緣刻蝕通過(guò)激光刻蝕法實(shí)現(xiàn)。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。